本发明涉及一种光电子器件。器件具有：载体(140)；设置在载体(140)上的第一光电子半导体芯片(101)；设置在第一半导体芯片(101)上的第一转换元件(110)，以用于转换从第一半导体芯片(101)输出的光辐射；设置在载体(140)...

本发明涉及一种光电子构件(101，301，501)，其包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中半导体层序列(105，305，505)具有用于标识构件(101，301，501)的至...

本发明提出一种用于制造半导体激光二极管的方法，所述方法具有下述步骤：-在生长衬底(1)上外延地生长具有至少一个有源层(3)的半导体层序列(2)；-在半导体层序列(2)和生长衬底(1)上构成正面小面(5)，其中所述正面小面构建为具有用于在...

根据至少一个实施方式提出一种光电子器件，所述光电子器件包括：壳体(20)；发射辐射的或接收辐射的半导体芯片(10)，所述半导体芯片设置在壳体(20)中；和光学元件(50)，所述光学元件设置在器件的光路中。光学元件(50)具有两亲的嵌段共...

在至少一个实施方式中，光电子的半导体构件(1)包含载体(2)，所述载体具有至少一个转换机构体(21)和囊封体(22)。在俯视图中观察，所述囊封体至少局部地围绕所述转换机构体(21)。电接触结构(3)安置在所述载体(2)上。多个光电子的半...

提出一种光电子器件，所述光电子器件包括具有有源层的层序列，所述有源层发射电磁初级辐射；和至少一个透明的耦合输出元件，所述耦合输出元件设置在电磁初级辐射的光路中。至少一个透明的耦合输出元件包括杂化材料或由杂化材料制成。

提出一种光电子半导体芯片(1)，所述光电子半导体芯片具有半导体本体(2)和载体(5)，在所述载体上设置有半导体本体，其中半导体本体具有半导体层序列(200)，所述半导体层序列具有设为用于产生或接收辐射的有源区域(20)、第一半导体层(2...

本发明提出一种具有光电子器件(2)和另外的器件(3)的光电子半导体设备(1)。光电子器件和另外的器件在半导体设备运行时彼此并联连接。光电子器件与用于外部地接触半导体设备的第一接触部(6)和第二接触部(7)连接并且另外的器件与半导体设备的...

详述了一种用于制造光电装置(10)的方法，具有以下步骤：-提供壳基体，其中，壳基体(1)由塑料材料形成，-在壳基体中形成凹部(2)，其中，所述凹部(2)由至少在某些地方由基体的塑料材料形成的底表面(2a)和至少一个侧壁(2b)限定，-提...

本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤：-提供半导体层序列(10)；-将金属的镜层(21)设置在半导体层序列(10)的上侧上；-将镜保护层(3)至少设置在镜层的露出的侧面(21c)上；-部分地移除半导体...

提出一种光电子半导体本体(1)，所述半导体本体具有带有设为用于产生辐射的有源区域(20)、第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)的半导体层序列(2)。有源区域(20)设置在第一势垒区域(21)和第二势垒区域(22)之间。在第一势垒区...

描述了一种具有半导体层序列(2)的发光二极管芯片(1)，该半导体层序列被接触部(5)通过电流扩展层(3)电接触。接触部(5)覆盖电流扩展层(2)的面积大约1％-8％。接触部(5)例如由分离的接触点(51)构成，它们设置在具有12μm的格...

在至少一个实施方式中，半导体构件(1)包括半导体芯片(3)。此外，半导体构件(1)包括转换介质小板(4)，所述转换介质小板安置在半导体芯片(3)的辐射主侧(30)上并且构建成用于将初级辐射转换成次级辐射。转换介质小板(4)具有基体材料(...

在至少一个实施方式中，设立用于制造光电子半导体芯片(1)的方法。该方法以给出的顺序至少包括下述步骤：A)提供具有生长侧(20)的生长衬底(2)；B)在生长侧(20)上沉积至少一个基于AlxGa1-xOyN1-y的成核层(3)；C)沉积并...

提供了一种用于封装光电器件的方法，该方法具有如下步骤：-提供待封装的表面(6)；-在所述表面(6)上产生反应性氧基团(8)和/或反应性羟基基团，以及-利用原子层沉积在所述表面(6)上沉积钝化层(9)。此外，提供了一种发光二极管芯片(1)。

在至少一个实施方式中，发光二极管模块(1)具有载体(2)以及多个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片安装在载体上侧(20)上并且构建成用于产生初级辐射。半导体芯片(3)相互间部分地以第一间距(D1)并且部分地以更大的第二间距(D...

提出一种照明设备，其包括多个设置用于产生辐射的器件(2)，多个行线(Z1，Z2)和多个列线(S1，S2，……，S5)，其中器件分别与行线并且与列线导电连接，并且照明设备设置用于同时运行至少两个器件。此外，提出一种具有这种照明设备的照明装...

在至少一个实施方式中，方法设计成用于制造用于光电子半导体芯片的有源区并且包括下述步骤：生长基于Alx4Iny4Ga1-x4-y4N的第四阻挡层(24)，其中0≤x4≤0.40并且平均地0<y4≤0.4，其中In含量沿着生长方向(z...

提出一种光电子设备(1)，其具有：设为用于产生辐射的第一器件(21)；设为用于接收辐射的第二器件(22)；连接载体(4)；和框架(3)。第一器件和第二器件设置在连接载体上。框架设置在连接载体上。第一器件设置在框架的第一开口(31)中。第...

一种光电子模块(202，204，206，208，210，212，214，216)具有至少一个用于发射电磁辐射(118)的半导体芯片(104)。半导体芯片(104)具有：第一导电性的、尤其是p型导电性的层(120)；第二导电性的、尤其是n...