发光二极管模块和机动车前照灯制造技术

在至少一个实施方式中，发光二极管模块(1)具有载体(2)以及多个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片安装在载体上侧(20)上并且构建成用于产生初级辐射。半导体芯片(3)相互间部分地以第一间距(D1)并且部分地以更大的第二间距(D2)设置。在相互间以第一间距(D1)设置的相邻的半导体芯片(3)之间存在用于光学耦合的辐射可穿透的第一填充物(41)。在相互间以第二间距(D2)设置的相邻的半导体芯片(3)之间存在用于光学隔离的辐射不可穿透的第二填充物(42)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管模块和机动车前照灯
提出一种发光二极管模块。此外，提出一种具有这种发光二极管模块的机动车前照灯。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种发光二极管模块，其中能够有针对性地设定相邻的半导体芯片之间的光学隔离和光学耦合。此外，所述目的通过具有本专利技术的特征的发光二极管模块来实现。优选的改进形式是下面的描述的主题。根据至少一个实施方式，发光二极管模块具有带有载体上侧的载体。载体优选包含电的印制导线以及电的接触点以用于运行发光二极管模块。优选地，载体是机械地承载和机械地稳定发光二极管模块的组件。载体例如为电路板、金属芯印刷电路板或者陶瓷基底。根据至少一个实施方式，发光二极管模块包括多个光电子半导体芯片。半导体芯片构建成用于在发光二极管模块工作时产生初级辐射。初级辐射优选为蓝光或紫外辐射，例如关于峰值波长、英文为peakwavelength在400nm和480nm之间的光谱范围中，其中包括边界值。优选地，半导体芯片为发光二极管芯片。根据至少一个实施方式，半导体芯片直接地或间接地安装在载体的载体上侧上。例如，半导体芯片粘接到载体上侧上或者焊接到载体上侧上。半导体芯片能够矩阵状地以规则的图案设置在载体上侧上。根据至少一个实施方式，发光二极管模块包括辐射可穿透的第一填充物。辐射可穿透能够表示：第一填充物能够由可见光和/或由初级辐射在没有显著的吸收损耗的情况下和/或在没有显著的散射的情况下穿过。根据至少一个实施方式，发光二极管模块包括辐射不可穿透的第二填充物。辐射不可穿透表示：第二填充物尤其在平行于载体上侧的方向上具有对于可见光和/或对于初级辐射的为至多10％或至多5％或至多1％的透射度。第二填充物尤其关于初级辐射能够起反射或吸收作用。第二填充物能够由多个组分、例如由不同的浇注料或由浇注料和预制的组分组成。根据至少一个实施方式，半导体芯片相互间部分地以第一间距设置。此外，半导体芯片相互间部分地以第二间距设置。第二间距在此大于第一间距。换而言之，在相邻的半导体芯片之间、在载体上侧上的半导体芯片的布置之内，存在至少两个彼此不同的间距。可能的是，在该布置中在相邻的半导体芯片之间刚好出现两个彼此不同的间距。根据至少一个实施方式，在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间布置辐射可穿透的第一填充物。第一填充物构建成用于所述相邻的半导体芯片的光学耦合。换而言之，在存在第一填充物的这些半导体芯片之间，相对于没有第一填充物的状态，光学耦合优选地提高。因此，与没有第一填充物的情况相比，更多的辐射能够从所述相邻的半导体芯片中的一个半导体芯片到达另一个半导体芯片。根据至少一个实施方式，在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第二填充物。第二填充物构建成用于所述相邻的半导体芯片彼此间的光学隔离。换而言之，没有或在运行中产生的辐射的仅可忽略的份额能够尤其以直接的路径从所述相邻的半导体芯片中的一个半导体芯片到达另一个相邻的半导体芯片。根据至少一个实施方式，在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第二填充物，并且在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在第一填充物。在至少一个实施方式中，发光二极管模块具有带有载体上侧的载体以及多个光电子半导体芯片，其中半导体芯片安装在载体上侧上并且构建成用于产生初级辐射。半导体芯片相互间部分地以第一间距并且部分地以更大的第二间距设置。在相互间以第一间距设置的相邻的半导体芯片之间存在辐射可穿透的第一填充物以用于所述半导体芯片的光学耦合。在相互间以第二间距设置的相邻的半导体芯片之间存在辐射不可穿透的第二填充物以用于所述半导体芯片的光学隔离。通过这种填充物，能够实现特定的半导体芯片之间的有针对性的光学耦合或有针对性的光学隔离。在此，能够实现半导体芯片的尤其节约空间的和紧密的布置。在具有多个紧密并排设置的半导体芯片的发光二极管模块中，能够存在下述问题：侧向地从半导体芯片中射出的光在另一个半导体芯片的位置处离开模块或者激发相邻的转换介质层以发光。这能够引起相邻的半导体芯片的或相邻的半导体芯片组的尤其对于自适应的机动车前照灯而言的不期望的光学耦合，尤其当所述半导体芯片或组能够彼此电独立地控制时如此。另一方面，也通常期望的是：共同地控制半导体芯片的较小的分组并且能够实现在所述半导体芯片之上的尽可能均匀的放射。实现这种光学耦合和光学隔离的可能性在于：沿放射方向在半导体芯片下游使用机械的遮光板。这当然通常引起相对大的机械构造并且引起所发射的辐射的通过遮光板造成的损耗。此外，通过耗费的光学元件能够实现光学隔离或光学耦合。但是，这通常引起显著的更高成本。此外，一种可能性在于使用各个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片分别具有自身的框架以用于光学隔离。然而，在这种发光二极管芯片中，需要所述发光二极管芯片的相邻的发光区域之间的相对大的最小间距，并且尤其紧凑的、自适应的机动车前照灯的构造仅是难以实现的。在应用这种发光二极管芯片的情况下，通常仅能够通过耗费的光学元件实现均匀的放射。根据至少一个实施方式，全部构建成用于产生初级辐射的半导体芯片在制造公差的范围内是相同的。例如，仅应用唯一类型的半导体芯片，所述半导体芯片名义上在相同的光谱范围中并且以相同的峰值波长发射。在此，不强制性地排除：存在其他的半导体芯片、例如用于进行保护以防止静电放电的二极管或传感器。根据至少一个实施方式，发光二极管模块包括一个或多个转换介质体。至少一个转换介质体用于将初级辐射至少部分地或完全地转换成尤其更长波的次级辐射。可能的是，每个半导体芯片配设有刚好一个转换介质体。此外，可能的是，不同的半导体芯片配设有用于产生不同的次级辐射的转换介质体。由此，半导体芯片或半导体芯片组能够构建成用于产生彼此不同的辐射光谱。根据至少一个实施方式，转换介质体或至少一个转换介质体借助至少一个粘接件连接在一个半导体芯片或多个半导体芯片上。粘接件优选为基于硅树脂的粘接件。换而言之，粘接件能够是硅树脂。优选地，粘接件是透明的并且对于初级辐射而言是可穿透的。根据至少一个实施方式，粘接件或粘接件的材料部分地或完全地形成辐射可穿透的第一填充物。尤其地，粘接件和第一填充物一件式地构成。因此，粘接件连同第一填充物一起在多个相邻的半导体芯片之上连续地延伸。根据至少一个实施方式，半导体芯片设置在共同的平面中。所述共同的平面优选平行于载体上侧取向。换而言之，存在尤其平行于载体上侧的平面，所述平面与全部半导体芯片相交。在此，半导体芯片的辐射主侧优选平行于该平面取向。这尤其能够表示：半导体芯片的外延产生的半导体层序列的生长方向各垂直于所述共同的平面定向。根据至少一个实施方式，半导体芯片设置成一排或多排。排例如包括刚好两个、刚好三个、刚好四个、刚好五个或者多于五个半导体芯片。在一排之内，半导体芯片能够沿着直线设置。此外，一排之内的半导体芯片优选具有相互间相同的间距。在一排之内，相邻的半导体芯片相互间尤其分别能够具有第一间距。根据至少一个实施方式，发光二极管模块具有多排。例如，发光二极管模块包括刚好两排或刚好三排或多于三排。可能的是，相邻的排相互间以第二间距设置。根据至少一个实施方式，在一排之内的相邻的半导体芯片之间分别存在辐射可穿透的第一填充物。因此，可能的是，在一排之内分别本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管模块(1)，所述发光二极管模块具有：‑具有载体上侧(20)的载体(2)；‑多个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片安装在所述载体上侧(20)上并且构建成用于产生初级辐射；‑辐射能穿透的第一填充物(41)，和‑辐射不能穿透的第二填充物(42)，其中‑所述半导体芯片(3)相互间部分地具有第一间距(D1)并且部分地具有第二间距(D2)，‑在相互间以所述第一间距(D1)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第一填充物(41)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学耦合，和‑在相互间以所述第二间距(D2)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第二填充物(42)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学隔离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.06.28 DE 102012105677.31.一种发光二极管模块(1)，所述发光二极管模块具有：-具有载体上侧(20)的载体(2)；-多个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片安装在所述载体上侧(20)上并且构建成用于产生初级辐射；-至少一个转换介质体(6)，以用于将所述初级辐射至少部分地转换成次级辐射；-至少一个粘接件(5)，所述转换介质体(6)借助所述粘接件安装在所述半导体芯片(3)中的至少一个半导体芯片上；-辐射能穿透的第一填充物(41)，和-辐射不能穿透的第二填充物(42)，其中-所述半导体芯片(3)相互间部分地具有第一间距(D1)并且部分地具有第二间距(D2)，-在相互间以所述第一间距(D1)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第一填充物(41)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学耦合，和-在相互间以所述第二间距(D2)设置的相邻的所述半导体芯片(3)之间存在所述第二填充物(42)以用于将相邻的所述半导体芯片(3)彼此光学隔离，-至少一个沟道(7)在所述载体(2)中成形；-所述沟道(7)至少在相互间以较大的所述第二间距(D2)设置的相邻的半导体芯片(3)之间成形；-所述粘接件(5)构成辐射可穿透的所述第一填充物(41)；-所述半导体芯片(3)设置成具有各至少三个所述半导体芯片(3)的至少两排，-在一排之内的所述半导体芯片(3)之间存在所述第一填充物(41)，和-在至少两个相邻的排之间存在所述第二填充物(42)。2.根据权利要求1所述的发光二极管模块(1)，其中，-所述半导体芯片(3)设置在共同的平面中，和-所述半导体芯片(3)设置成刚好两排。3.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1)，其中这些排中的至少一排配设有刚好一个一件式的转换介质体(6)，其中所述转换介质体(6)在仅该排的全部的所述半导体芯片(3)之上延伸。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光二极管模块(1)，其中所述沟道(7)的宽度(B)小于所述沟道(7)的深度，其中在所述载体上侧(20)上的宽度(B)至少为30μm并且至多为150μm。5.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1)，其中在所述载体上侧(20)的俯视图中观察，至少一个所述沟道(7)超出相邻的所述半导体芯片(3)之间的内部区域(71)，并且所述沟道(7)在超出所述内部区域(71)的外部区域(72)中扇形地分支。6.根据权利要求5所述的发光二极管模块(1)，其中至少一个所述沟道(7)在所述外部区域(72)中的体积为位于邻接的所述半导体芯片(3)中的一个半导体芯片上的所述粘接件(5)的体积的至少20％。7.根据权利要求2所述的发光二极管模块(1)，其中所述沟道(7)对于所述粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍里斯·艾兴贝格，于尔根·霍尔斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE