光电子构件和用于制造光电子构件的方法技术

本发明专利技术涉及一种光电子构件(101，301，501)，其包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中半导体层序列(105，305，505)具有用于标识构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)。本发明专利技术还涉及一种用于制造光电子构件(101，301，501)的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子构件和用于制造光电子构件的方法
本专利技术涉及一种光电子构件。本专利技术还涉及一种用于制造光电子构件的方法。本申请要求德国专利申请102012217539.3的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
技术介绍
从公开文献WO92/10852A1中已知在共同的板上制造并且此后分割的相同类型的半导体芯片。在共同的板上形成半导体芯片之后，在半导体芯片旁边、但是在板上形成记号，所述记号分别对应于半导体芯片在共同的板上的位置。在分割半导体芯片之后，所述半导体芯片分别包括之前的共同的板的所述边缘区域，使得还能够实现关于其在共同的板上的较早的位置的了解。关于此尤其不利的是，这种类型的标记需要大量位置，由于总是必须充足地为共同的板上的记号预留位置，其中因此该预留的位置不再能够用于芯片本身。
技术实现思路
因此，本专利技术所基于的目的能够在于：提供一种改进的光电子构件，所述光电子构件克服已知的缺点。本专利技术所基于的目的也能够在于：提供一种相应的用于制造光电子构件的方法。所述目的借助于本专利技术的相应的主题来实现。有利的设计方案是相应的下面的描述的主题。根据一个方面，提供一种光电子构件。所述光电子构件包括衬底，在所述衬底上施加有半导体层序列。半导体层序列具有用于标识构件的至少一个标识件。根据另一个方面，提供一种用于制造光电子构件的方法。在生长衬底上形成半导体层序列。此外，将半导体层序列设有用于标识构件的标识件。因此，本专利技术尤其包括如下思想：设有用于标识构件的标识件，所述标识件直接地由半导体层序列包括。因此，有利地，不必再在生长衬底上为相应的记号预留面积。因此，生长衬底的现有的面积能够尤其有效地用于半导体层序列的各个半导体层的生长。即这尤其是说，与已知的现有技术相比，能够在共同的生长衬底上形成更多的光电子构件，其中尽管如此经由半导体层序列的标识件，仍能够实现标识相应的半导体构件。此外，有利地能够实现：将生长衬底在形成包括标识件的半导体层序列之后移除，并且随后将半导体层序列设置到另一个衬底或薄膜上，而在此没有失去标识光电子构件的可能性。这因此是因为标识件不是生长衬底的一部分、而是更确切地说是半导体层序列的一部分。在本专利技术的范围中，标识件尤其也能够称作为识别标志并且尤其有利地引起单义地标识光电子构件。标识件例如能够包括数字编码、字母编码或字母数字编码。例如，标识件能够包括颜色编码。即这尤其是说，能够应用数字、字母或颜色，以便标识光电子构件。因此，借助于标识件，能够尤其有利地实现该光电子构件相对于其他的光电子构件的区分。即这尤其是说，当在共同的生长衬底上形成多个光电子构件时，能够将所述光电子构件彼此区分。特别地，标识件包括关于半导体层序列在生长衬底上的位置的位置信息。根据一个实施方式，能够形成多个标识件。所述标识件能够优选相同地或尤其不同地形成。通过设置多个标识件，有利地如下引起冗余：即使在一个标识件失效的情况下、即当例如不再能够可靠地读取所述标识件时，总是还设有至少一个另外的用于标识构件的标识件。结合标识件所进行的实施方案类似地适用于具有多个标识件的实施方式。根据一个实施方式能够提出：半导体层序列包括用于产生电磁辐射的有源区。有源区例如能够形成为发射体层。根据另一个实施方式能够提出：设有用于从有源区或发射体层中耦合输出电磁辐射的耦合输出层。根据另一个实施方式能够提出：标识件包括半导体层序列的层中的一个层的以编码的方式结构化的区域。即这尤其是说，层的区域被结构化或者是结构化的，使得在结构化的区域编入编码。因此，该区域尤其以编码的方式结构化。根据一个实施方式能够提出：编码的结构化的区域包括耦合输出层的编码的表面结构。即这尤其是说，通过耦合输出层的表面以相应编码的方式结构化，将编码写入或编入到耦合输出层的表面中。例如能够提出：耦合输出层的表面借助于冲模以编码的方式结构化。根据另一个实施方式能够提出：编码的结构化的区域形成为条形码。特别地，条形码能够形成为一维条形码或二维条形码。特别地，设有多个条形码，所述条形码能够尤其相同地或优选不同地形成。半导体层序列的层中的一个层的以编码的方式结构化的区域例如能够设置在层本身中或尤其在层的表面上形成。尤其能够提出：在具有编码的表面结构的层上还施加或设置有一个或多个另外的层。例如，这种层能够形成为用于将第一波长的电磁辐射转换成第二波长的电磁辐射的转换层。根据一个实施方式能够提出：区域包括层的编码的结构化的表面覆层。即这尤其是说，层的表面被覆层，其中所述覆层以编码的方式结构化或是以编码的方式结构化的，使得在结构化的表面覆层中写入或编入编码。根据一个实施方式能够提出：表面覆层是抗反射覆层。根据另一个实施方式能够提出：半导体层序列在生长衬底上的位置被编码到标识件中或是编码到标识件中的。即这尤其是说，由此有利地也能够实现包括半导体层序列的光电子构件相对于其生长衬底的稍后的位置确定。对光电子构件在通常尤其能够是晶片的生长衬底上的位置的了解尤其能够以有利的方式实现有针对性地降低错误率进而提高产量和可靠性。优选地，在生长衬底上、尤其在晶片上形成多个半导体层序列，其中借助于相应的标识件能够实现半导体层序列的标识。特别地，由于设有标识件能够实现对半导体层序列在生长衬底上的相应的位置的了解。即这尤其是说，在分割或分离各个光电子构件之后也还仍能够跟踪每个单独的光电子构件在生长衬底上、尤其是在晶片上的位置，而在此没有产生附加的成本或降低光电子构件的性能或效能。通过对光电子构件的位置的了解，在事后、即尤其在分离之后仍能够更快速地识别多个错误原因。尤其能够跟踪：是否在生长衬底的边缘区域中出现特定的错误。这有利地尤其在事后能够实现质量的改进。根据一个实施方式能够提出：衬底对应于生长衬底的分离的部分。根据一个实施方式能够提出：将半导体层序列设有标识件的步骤包括形成半导体层序列的层中的一个层的编码的结构化的区域。根据另一个实施方式能够提出：形成编码的结构化的区域包括将编码的结构化的表面覆层施加在层上，其中表面覆层在层上的位置根据半导体层序列在生长衬底上的位置来选择或是这样选择的。即这尤其是说，并非随机地将表面覆层施加到层上、即施加到其表面上，而是根据半导体层序列在生长衬底上的位置来施加。因此，共同的生长衬底上的多个光电子构件至少通过如下方式区分：其表面覆层的相应的位置是不同的。因此，能够实现各个光电子构件的简单的并且尤其成本适宜的标识。根据一个实施方式能够提出：表面覆层形成为抗反射覆层。根据一个实施方式能够提出：形成半导体层序列包括形成用于产生电磁辐射的有源区。根据另一个实施方式能够提出：形成半导体层序列包括形成用于从有源区中耦合输出电磁辐射的耦合输出层。根据另一个实施方式能够提出：形成编码的结构化的区域包括形成耦合输出层的编码的表面结构。耦合输出层尤其具有编码的表面结构。根据一个实施方式能够提出：编码的表面结构在耦合输出层上的位置根据半导体层序列在生长衬底上的位置来选择或是这样选择的。即这尤其是说，尽管耦合输出层设有编码的表面结构，然而所述表面结构并非纯随机地在耦合输出层上形成，而是更确切地说根据半导体层序列在生长衬底上的位置来形成。即这尤其是说，在共同的生长衬底上存在多个光电子构件的情况下，这些光电子构件至少如下区分：其相应的编码本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子构件(101，301，501)，所述光电子构件包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中所述半导体层序列(105，305，505)具有用于标识所述构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.09.27 DE 102012217539.31.一种光电子构件(101，301，501)，所述光电子构件包括衬底(103，303，503)，在所述衬底上施加有半导体层序列(105，305，505)，其中所述半导体层序列(105，305，505)具有用于标识所述构件(101，301，501)的至少一个标识件(115，315)，其中所述标识件(115，315)包括所述半导体层序列(105，305，505)的层(107，109，111，113)中的一个层的编码的结构化的区域，并且其中所述半导体层序列(105，305，505)包括用于产生电磁辐射的有源区(111，513)和用于从所述有源区(111，513)中耦合输出电磁辐射的耦合输出层(113，515)，其中所述编码的结构化的区域包括所述耦合输出层(113，515)的编码的表面结构，其中所述耦合输出层包括呈所述编码的表面结构的形式的粗糙化部。2.根据权利要求1所述的光电子构件(101，301，501)，其中所述编码的结构化的区域形成为条形码。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子构件(101，301，501)，其中所述区域包括所述层的编码的结构化的表面覆层。4.根据权利要求3所述的光电子构件(101，301，501)，其中所述表面覆层是抗反射覆层。5.一种用于制造光电子构件(101，301，501)的方法，其中在生长衬底(1201)上形成半导体层序列(105，305，505)，并且其中将所述半导体层序列(105，305，505)设置有用于标识所述构件(101...

【专利技术属性】
技术研发人员：马丁·鲁道夫·贝林格，克里斯托夫·克伦普，马库斯·布勒尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE