本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导...

提出一种用于制造多个光电子器件的方法，所述方法具有下述步骤：-提供具有接触结构(4)的辅助载体晶片(1)，其中辅助载体晶片具有玻璃、蓝宝石或半导体材料；-将多个发射辐射的半导体本体(5)施加到接触结构(4)上；-用囊封件(10)将至少一...

在至少一个实施方式中提出一种用于运行装置(1)的方法。装置(1)具有N个发射辐射的半导体芯片(2)。半导体芯片(2)以电串联电路设置。装置(1)包括多个开关元件(3)，其中开关元件(3)中的一个开关元件电并联连接至每个半导体芯片(2)。...

提出一种光电子半导体芯片，其包括：多个有源元件，所述有源元件彼此间隔开地设置；和载体，所述载体横向于有源元件设置，其中有源元件分别具有垂直于载体伸展的主轴线；主轴线彼此平行地定向；至少一种转换材料在侧表面上包围多个有源元件；转换材料包括...

本发明提出一种用于制造光电子薄膜芯片半导体构件(200)的方法，其中将导体结构(2)施加在载体(1)上并且在导体结构之间设置多个光电子半导体芯片(5)，所述半导体芯片分别在上侧(6)包括层(7)，尤其是荧光转换层。此外，例如借助于接合线...

提出一种用于制造多色LED显示器(10)的方法，所述LED显示器具有带有多个像素(5)的LED发光单元(4)。第一亚像素(B)、第二亚像素(G)和第三亚像素(R)分别包含用于发射第一颜色的辐射的LED芯片(3)，其中至少在第二亚像素(G...

一种用于制造多个光电子构件(100)的方法，其包括下述步骤：提供半导体本体(101)，所述半导体本体设置在载体(114)上；借助于光电导的转移元件(120)将转换器材料(105)施加到半导体本体(101)上。

提出一种具有层堆(2)的显示设备(1)，所述层堆具有带有设为用于产生辐射的有源区域(200)的半导体层序列(20)和电路层(25)。半导体层序列形成多个像素(3)。在电路层中为每个像素构成有开关(4)，所述开关与相应的像素导电地连接。此...

提出一种光电子半导体器件(5)，所述光电子半导体器件在运行中发射混合色的辐射。光电子半导体器件(5)包括光电子半导体芯片(1)、设有弯曲部的转换元件(4)和间隔元件(3)，所述间隔元件设置在光电子半导体芯片(1)和转换元件(4)之间并且...

本发明提出一种光电子半导体芯片(1)，包括：-半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有适合于发射辐射的有源区(4)；-载体衬底(10)；和-镜层(6)，所述镜层设置在半导体层序列(2)和载体衬底(10)之间，其中-半导体层序列(2)划分...

提出一种光电子半导体芯片(1)，其具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有设为用于产生和/或接收辐射的有源区域(20)、第一传导类型的第一半导体区域(21)、第二传导类型的第二半导体区域(22)和覆盖层...

一种光电子半导体组件，包括：具有有源区的第一功能区域(1)，所述有源区设为用于产生辐射或用于接收辐射；以及包括第二功能区域(3)，所述第二功能区域适合于促进第一功能区域的激发，其中第一功能区域(1)和第二功能区域(2)集成到相同的载体衬...

提出一种用于制造多个光电子半导体构件的方法，所述方法具有下述步骤：·-提供辅助载体(1)；·-在辅助载体(1)上施加导电的第一接触元件(21)和第二接触元件(22)的多个装置(20)；·-在每个装置(20)的第二接触元件(22)上分别施...

提出一种发射辐射的器件。发射辐射的器件(100)包括：-至少一个发射辐射的半导体芯片(1)，其中每个发射辐射的半导体芯片(1)具有辐射出射面(2)，所述辐射出射面包括发射辐射的半导体芯片(1)的至少一个侧面(3)和主面(4)，-至少一个...

一种光电子器件(10，20)，所述光电子器件包括具有第一表面(121)的光电子半导体芯片(100)，在所述第一表面上设置有第一电接触部(130)和第二电接触部(135)。第一表面(121)邻接于成形体(170)。第一销(160)和第二销...

在至少一个实施方式中，方法设立用于制造发光二极管显示器(1)。所述方法包括下述步骤：·A)提供生长衬底(2)，·B)将缓冲层(4)间接地或者直接地施加到衬底上侧(20)上，·C)在缓冲层(4)处或在缓冲层上产生多个分开的生长点(45)，...

本发明涉及一种光电子器件和一种用于制造光电子器件的方法，其中在生长衬底上生长层结构，所述层结构具有正掺杂的半导体层(2或3)和负掺杂的半导体层(3或2)连同用于产生光的有源区以及镜层(4)，其中所述层结构经由连接层(8)固定在载体(10...

提出一种用于制造光电子器件的方法，所述方法包括下述步骤：提供衬底；将成核层施加在衬底的表面上；将掩模层施加在成核层上并且结构化；在第一生长步骤中生长氮化物半导体，其中设立连接片，所述连接片构成横向栅格，其中连接片沿生长方向分部段地具有梯...

本发明涉及一种用于对半导体层的区域进行分割并且用于将耦合输出结构引入到半导体层的上侧中的方法，其中耦合输出结构设为用于将光从半导体层中耦合输出，其中半导体层的上侧由掩模遮盖，其中掩模具有用于引入耦合输出结构的第一开口，其中掩模具有至少一...

一种光电子器件，所述光电子器件包括具有光有源层的层结构。在此，光有源层在第一横向区域中具有比在第二横向区域中更高的V型缺陷密度。