提出了一种具有半导体本体(10)的边发射半导体激光器，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2A)、第二波导层(2B)和用于产生激光辐射(17)的、设置在第一波导层(2A)和第二波导层(2B)之间的有源层(...

提出一种用于氮化物化合物半导体材料的外延衬底(11，12，13)，所述外延衬底具有直接在衬底(1)上的成核层(2)，其中成核层(2)具有至少一个由AlON构成的具有柱状结构的第一层(21)。此外，提出一种用于制造外延衬底的方法和一种具有...

本发明公开了一种磷光金属配位化合物，该化合物包含金属中心原子M和至少一个与该金属中心原子M配位的配体，其中一个金属中心原子M和配体形成六元金属环。还公开了一种含有金属配位化合物的发射辐射的元件，以及一种制备该金属配位化合物的方法。

本发明提出一种发射辐射的设备(10)，其包括光电子半导体器件(1)和至少一个光学元件(2，2a，2b)。光学元件(2，2a，2b)沿放射方向设置在半导体器件(1)的下游。光学元件(2a，2b，2)借助夹子(3)机械地固定在半导体器件(1...

提出一种激光二极管设备，所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在壳体(1)中在安装部件(11)上的基于氮化物-化合物导体材料的激光二极管芯片(2)，其中激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在安装部件(11)上...

在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的有源层(20)。半导体芯片(1)包含用于产生第一次级辐射的第一转换元件(31)和用于产生第二次级辐射的...

提出一种发光半导体器件(100，200，300)，其具有：发光半导体芯片(1)，所述发光半导体芯片具有半导体层序列(17)、光耦合输出面(11)、与光耦合输出面(11)相对置的后侧面(12)和侧面(13)；并且具有带有成形体(20)的载...

本发明提出一种有机光电子器件，所述有机光电子器件具有：第一衬底(1)，在所述第一衬底上设置有功能层堆(8)，所述功能层堆具有至少一个第一电极(2)、在所述第一电极之上的有机功能层(6)和在所述有机功能层之上的第二电极(7)；和封装结构(...

本发明提出一种光电子模块(100)，包括至少一个设为用于发射电磁辐射的半导体芯片(10)和至少一个保持装置(10)，所述保持装置构成为用于：固定用于对光电子模块(100)的至少一个光学参数或者电子参数进行编码的器件(50)。此外，本发明...

在不同的实施例中提供一种光电子器件(100)，所述光电子器件具有：第一有机功能层结构(112)；第二有机功能层结构(116)；和在第一有机功能层结构(112)和第二有机功能层结构(116)之间的载流子生成层结构(114)，其中载流子生成...

在不同的实施方式中提供一种电子结构(100)，所述电子结构具有至少一个有机层(112)和至少一个生长到有机层(112)上的金属生长层(114)和至少一个在金属生长层(114)上生长的金属层(116)，其中至少一个金属生长层(114)包含锗。

本发明提出一种具有功能层堆(10)的有机发光器件，所述功能层堆具有：衬底(1)；在所述衬底上方的第一电极(2)；在所述第一电极上方的有机功能层堆(4)，所述有机功能层堆具有有机发光层(5)；和在所述有机功能层堆上方的第二电极(3)，其中...

在不同的实施方式中提供一种电子器件(100)，所述电子器件具有防湿气待保护层和湿气阻挡层120，所述湿气阻挡层至少部分地设置在待保护层上或其上方和/或其下方，并且其中湿气阻挡层具有由不同化学计量组分的相同的材料制成的多个层。

在至少一个实施方式中，面光源(1)包括一个或多个具有辐射主侧(20)的用于产生初级辐射(P)的光电子半导体芯片(2)。散射体(3)沿着半导体芯片(3)的主放射方向(x)设置在辐射主侧(20)的下游。散射体(3)构建为用于散射初级辐射(P...

提出一种发射辐射的半导体组件(100)，所述半导体组件具有：体积发射的半导体芯片(1)，所述半导体芯片具有第一主面(11)和与第一主面相对置的第二主面(12)；第一反射元件(21)，所述第一反射元件设置在第一主面(11)上并且将在半导体...

本发明提出一种光电子半导体芯片，具有：多个有源区域(1)，所述有源区域彼此间隔开地设置；和载体(2)，所述载体设置在多个有源区域(1)的下侧(1a)上，其中所述有源区域(1)中的一个具有主延伸方向(R)，所述有源区域(1)具有核心区域(...

在至少一个实施方式中，半导体构件(1)包括至少一个光电子半导体芯片(3)，所述光电子半导体芯片具有辐射出射侧(30)。可表面安装的半导体构件(1)包含成形体(4)，所述成形体形状配合地且直接地覆盖半导体芯片(3)的侧面(34)。在辐射出...

一种用于制造光电子器件(200)的方法，所述方法能够具有：将平坦化介质(104)施加到衬底(102)的表面上，其中平坦化介质(104)具有材料(106)，所述材料吸收波长最大为600nm的电磁辐射；在材料(106)上或上方施加第一电极(...

一种发光二极管芯片，包括：-具有多个有源区(2)的半导体本体(1)，其中，-有源区(2)中至少之一具有至少两个子区域(21···28)，-有源区(2)具有布置在所述至少两个子区域(21····28)中的两个相邻子区域(21···28)之...

根据一个实施方式的有机发光设备(100)具有：至少一个功能层(102b)以用于产生电致发光的辐射；在至少一个功能层(102b)上或上方构成的封装结构(103)；在封装结构(103)上或上方构成的导热层(104)，其中导热层(104)具有...