在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的有源层(20)。半导体芯片(1)包含用于产生第一次级辐射的第一转换元件(31)和用于产生第二次级辐射的第二转换元件(32)。半导体层序列(2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段(21，22)。转换元件(31，32)安置在区段(21，22)的辐射主侧(25)上。第一次级辐射是彩色光并且第二次级辐射是白光。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片(1)包括半导体层序列（2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的有源层（20)。半导体芯片（1)包含用于产生第一次级辐射的第一转换元件（31)和用于产生第二次级辐射的第二转换元件（32)。半导体层序列（2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段（21，22)。转换元件(31，32)安置在区段(21，22)的辐射主侧(25)上。第一次级辐射是彩色光并且第二次级辐射是白光。【专利说明】光电子半导体芯片和具有这样的半导体芯片的前照灯
提出一种光电子半导体芯片。除此之外提出一种具有这样的光电子半导体芯片的 前照灯。
技术实现思路
待实现的目的在于，提出一种光电子半导体芯片，其中在俯视图中观察能够实现 并排的多种色彩印象。 此外，该目的通过具有独立权利要求的特征的光电子半导体芯片和前照灯实现。 优选的改进方案在从属权利要求中给出。 根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括半导体层序列。半导体层序列包 含用于产生初级辐射的有源层。初级辐射优选是紫外光或者蓝光。特别地，初级辐射的主 波长为小于5〇〇nm的波长。主波长，英语是peak wavelength，是由有源层产生最大的光谱 能量密度的波长。 根据至少一个实施方式，半导体芯片包括一个或多个第一转换元件。至少一个第 一转换元件设立为用于产生第一次级辐射。为此，第一转换元件将到达第一转换元件中的 初级辐射的一部分或者全部初级辐射转换为第一次级辐射。第一次级辐射与初级辐射相比 优选具有更大的波长。可仃的是，初级福射不能够穿过或者不能以显著的程度穿过第一.转 换元件。 根据至少一个实施方式，半导体芯片包含一个或多个第二转换元件。至少一个第 二转换元件设立为用于通过部分地或者完全地转换到达至第二转换元件的初级辐射的波 长来广生第一次级福射。特别地，初级辐射的一部分穿过第二转换元件，使得第二次级福射 具有初级辐射的一定份额并且它是混合辐射。第二次级辐射尤其优选是白光。术语白光能 够意味着：第二次级辐射在CIE标准色图中的色坐标偏离黑体曲线至多〇.丨单位或者至多 0.05单位。 根据至少一个实施方式，半导体层序列被分为至少两个或多于两个能够彼此不相 关地电操控的区段。在半导体芯片的辐射主侧的俯视图中观察，区段在横向上并排并且相 邻地设置。在相邻的区段之间能够完全地或仅部分地去除半导体层序列。因此可行的是， 各个区段岛状地从半导体层序列中制造出来或者区段通过半导体层序列的子区域相互间 均彼此连接。 因此，所有的区段从同一^t'外延生长的半导体层序列中产生。半导体层序列在制 造公差的范围中相同地延伸并且以未改变的层结构和未改变的组分延伸超出所有的区段。 已制成的区段的相对于彼此在半导体层序列的平面中的空间位置与尚未分段的且尚未结 构化的半导体层序列相比优选不改变。 根据半导体芯片的至少一个实施方式，转换元件分别施加到区段的辐射主侧上。 因此优选转换元件中的恰好一个-对应地与所述区段中的每一个相关联。此外转换元件 优选安置在区段上，使得转换元件在辐射主侧的俯视图中观察不重叠。 根据至少一个实施方式，转换元件间接地或者直接地接触区段的辐射主侧。也就 是说，转换元件_能够触碰半导体芯片层序列。特别地，在间接接触的情况下，在区段的半导 体材料和转换元件之间存在至多一种连接剂，以便将转换元件固定在区段上。连接剂例如 是具有硅树脂的粘结剂。 根据至少一个实施方式，第一次级辐射是彩色光、特别是黄光和/或橙光。第一次 级福射的色坐标以至多0· 07单位或者至多〇· 05单位的公差位于CIE标准色图的光谱色线 上。第一次级辐射的色调特别是在575nm和595nm之间，其中包括边界值。 在至少一个实施方式中，光电子半导体芯片包括具有至少一个用于产生具有小于 500m^的主波长的初级辐射的有源层的半导体层序列。半导体芯片此外包含至少一个用于 产生第=次级辐射的第一转换元件和至少一个用于产生第二次级辐射的第二转换元件，其 中f级辐射通过初级辐射的部分的或者完全的波长转换来产生。半导体层序列能够被划分 为能够彼此不相关地被电操控的并且在横向上相邻地设置的区段。转换元件安置在区段的 辐射主侧上并且能够直接接触半导体层序列。第一次级辐射是彩色光、特别是黄光并且第 二次级辐射是白光。 由于半导体层序列是分段的，发射第一或者第二次级辐射的区域之间的间距仅是 非常小的。此外通过分段能够实现：在发射次级辐射的区域之间的相对清晰的、彩色的界限 是可行的。 根据至少一个实施方式，在半导体层序列的俯视图中观察，第一和第二转换元件 的面积比为至少0· 25或者至少〇· 5或者至少〇· 75或者至少丨。替选地或者附加地，所述 面积比为至多4或者至多3或者至多2· 5。特别地，第一和第二转换元件的面积比为至少 1. 25和/或至多2· 25,使得至少-个第-转换元件与至少-个第二转换元件雛占据更大 的面积。 匕〇15]、根据至少-个实施方式，第一和第二转换元件的醜比设置为，使得第一次级辐 射的光通里和第一次级辐射的光通量的商为至少〇_ 2S或者至少〇· 5或者至少〇· 75。替选 地或者附她k，臟商为至多4或者至多2或者至多L 25。换句職，醜次娜射对于人 眼显得是近似相同亮的。光通量以流明来说明。 m ^据至少：个实施方式，第一和第二转换元件相互不触碰。也就是说，第一转换元 二转换兀件间'。如果存在多个第-转换元件，那么可行的是，第-转换元件 ^、碰。相应地會匕够适用于第二转换元件。换句话说，转换元件能够成对地彼此间 升。 =〇17]根据至少-个实施方式，相邻的转换元件之间的平均间距为至多丨5〇_或者至 $110匕m或者至多75μ m或者至多4。μ m。魏地或者附加地，所述平均间距为半导体芯 片和/或半导体层序列的平均職长的至多抓或者至多薦棘至多5%。 H 至少一个实施方式，区段之间的平均间距与相应所勵转换元件之间的平均 細地，隨之间辭均'与所勵转换潘之_平_距雛更小。区段 '相应所属的转换元件之间的平均间距例如彼此相差至少5%或者10% 或者25%或者50%。 夂η ιυ/。 少-个头施方式，在至少两个转S元件之间存财1学的賺部。光学的屏 蔽部优选对于初级福射以及对于第一和第二次级福射而言是福射不可穿透的。福射不可穿 透能够意味着：初级辐射的透射率以及次级辐射的透射率为至多20%或者至多1〇%或者 至多3%或者至多1%。至少一个屏蔽部优选将第一转换元件在光学上与第二转换元件分 开二如果例如存在多个第一转换元件，那么光学的屏蔽部也能够分别设置在相邻的第一转 换元件之间，相应的内容适用于多个第二转换元件的情况。 [0020^根据至少一个实施方式，从半导体层序列起观察，光学的屏蔽部至少伸展到直至 转换元件的背离半导体层序列的一侧。换句话说，因此可行的是，在相邻的转换元件之间不 存在直^的、不通过光学的屏蔽部中断的视线。特别地，可行的是，至少一个光学的屏蔽部 沿着远离半导体层序列的方向突出于转换元件。 根据至少一个实施方式，在俯视图中观察，区段具有矩形的或本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光电子半导体芯片(1)，具有：‑半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生具有小于500nm的主波长的初级辐射的至少一个有源层(20)；‑至少一个第一转换元件(31)，所述第一转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换产生第一次级辐射；‑至少一个第二转换元件(32)，所述第二转换元件用于通过所述初级辐射的波长转换产生第二次级辐射，其中‑所述半导体层序列(2)被划分为能够彼此不相关地电操控的并且在横向上相邻地设置的区段(21，22)，‑所述转换元件(31，32)安置在所述区段(21，22)的辐射主侧(25)上，以及‑所述第一次级辐射是彩色光并且所述第二次级辐射是白光。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：米夏埃尔·布兰德尔，乌尔里希·弗雷，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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