尤其提出一种用于制造多功能层的方法，所述方法具有如下步骤：A)提供具有载体(15)的电泳衬底(10)，所述载体具有前侧(11)和背离前侧(11)的后侧(12)，其中第一能导电的层(13)和第二能导电的层(14)施加在前侧(11)上并且局...

本发明提供一种具有光电子半导体芯片的光电子半导体器件。尤其光电子半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子半导体器件的方法。

本发明涉及用于制造层结构的方法，具有下述步骤：提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1)；沿生长方向(R)在所述硅表面(1a)上沉积层序列(100)，其中所述层序列(100)包含至少两个GaN层(5)，所述GaN层利用氮化镓形成，所述层序列...

本发明涉及一种具有设置用于产生辐射的半导体芯片(2)和壳体(3)的光电子半导体器件(1)，在所述壳体中设置有半导体芯片，其中-壳体具有带有第一连接导体(51)和第二连接导体(52)的导体框(5)；-壳体具有局部包围导体框的壳体本体(4)...

提出一种光电子半导体芯片(10)，包括：p型半导体区域(4)；n型半导体区域(6)；设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(7)，其中多量子阱结构(7)具有多个交替的量子阱层(7...

提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：-提供具有像素区域(2)的半导体本体(1)，所述像素区域具有至少两个不同的子像素区域(3)，-将导电层(18)施加到至少一个子像素区域(3)的辐射出射面(9)上，其中导电层(...

提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片具有载体(2)和半导体本体(1)，所述半导体本体包括设置用于产生电磁辐射的有源层(13)，其中半导体本体设置在载体上，半导体本体具有背离载体的第一主面(1A)和朝向载体的第二主面(1...

提出一种可表面安装的光电子半导体组件(100)。可表面安装的光电子半导体组件(100)包括光电子半导体芯片(10)、透射辐射的生长衬底(1)、壳体本体(20)和导电连接件(3)，其中壳体本体(20)至少局部地设置在导电连接件(3)和生长...

本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二...

提出一种光电子半导体芯片，其中是ALD层的封装层(13)完全地遮盖第一镜层(21)的背离p型传导的区域(3)的侧并且所述封装层局部地与第一镜层(21)直接接触。

提出一种光电子器件。所述光电子器件包括：具有有源层的层序列，所述层序列在器件运行时发射电磁初级辐射；和至少一个转换元件，所述转换元件设置在电磁初级辐射的光路中。至少一个转换元件包括转换颗粒和粘结剂材料，其中转换颗粒分布在粘结剂材料中并且...

在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括灌封体(4)。至少一个光电子半导体芯片(3)设立用于产生辐射并且位于灌封体(4)的凹部(43)中。半导体芯片(3)具有带有边长(L)的辐射主侧(30)。覆盖凹部(43)的至少一个光学板(5...

提出一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤：提供具有硅表面的生长衬底(1)；将缓冲层(2)生长到硅表面上，所述缓冲层具有AlxInyGa1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1；将半导体层序列(3)...

本发明涉及一种用于制造光电子半导体芯片的方法。所述方法包括：在初始衬底(120)上构成半导体层序列(130)和对半导体层序列(130)结构化，其中构成呈隆起部的形式的、具有环绕的侧表面(239)的半导体结构(230，232)，其方式是，...

本发明涉及一种用于制造用于光电子器件(100)的粉末状的前驱体材料的方法，所述前驱体材料具有下述一般成分的第一相：(Ca1-a-b-c-d-eZndMgeSrcBabXa)2Si5N8，其中X是选自镧系元素的组的活化剂，其中适用的是：0...

本发明涉及用于摄影机的照明装置(10)，具有：发光半导体芯片(1)，所述半导体芯片包括多个能够单独激励的发射区域(2、2A、2B、2B’)；和光学元件(15)，所述光学元件构成用于将从所述发射区域发射的光(210、220)成形为射束，所...

在不同的实施例中提供一种用于制造发射电磁辐射的组件的方法。在此，提供器件复合件(10)，所述器件复合件具有发射电磁辐射的器件(12)，所述器件在器件复合件(10)中在物理上彼此耦联。对于器件(12)分别确定至少一个器件单独的特性。根据器...

本发明涉及一种用于制造下述常规组分I或II或III或IV的粉末状的前体材料的方法，I:(CaySr1-y)AlSiN3:X1，II：(CabSraLi1-a-b)AlSi(N1-cFc)3:X2，III：Z5-δAl4-2δSi8+2δ...

本发明提出带有半导体层序列(5)的发光二极管芯片，所述半导体层序列具有磷化物化合物半导体材料，其中所述半导体层序列(5)包括p型半导体区域(2)、n型半导体区域(4)和设置在所述p型半导体区域(2)和所述n型半导体(4)之间的用于发射电...

提出一种发射辐射的半导体器件，其具有-至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；-安装面(11)，在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51，5...