用于制造氮化物化合物半导体器件的方法技术

提出一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤：提供具有硅表面的生长衬底(1)；将缓冲层(2)生长到硅表面上，所述缓冲层具有AlxInyGa1-x-yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1；将半导体层序列(3)生长到缓冲层(2)上，其中缓冲层(2)具有变化的材料成分，使得缓冲层(2)的横向的晶格常数在第一区域(2a)中逐步地或连续地增大并且在沿生长方向跟随第一区域的第二区域(2b)中逐步地或连续地减小，以及缓冲层(2)在与半导体层序列(3)的边界面上与半导体层序列(3)的邻接于缓冲层(2)的半导体层(4)相比具有更小的横向的晶格常数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于在具有硅表面的衬底上制造氮化物化合物半导体器件的方法。相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请10 2013 106 044.7的优先权，其公开内容通过参引结合于此。
技术介绍
氮化物化合物半导体通常在通常在蓝色的光谱范围中发射的激光二极管或LED中使用。与半导体材料的组成相关地，例如在紫外的或绿色的光谱范围中的发射也是可能的。通过借助于发光材料的发光转换，能够将短波的辐射转换成更长的波长。以这种方式可能的是，产生混合色的光、尤其白光。因此，基于氮化物化合物半导体的LED对于LED照明系统是非常重要的。在制造光电子器件时，氮化物化合物半导体层通常外延地生长到生长衬底上，所述生长衬底匹配于氮化物化合物半导体材料的晶格常数和晶体结构。适合的衬底材料尤其是蓝宝石、GaN或SiC。当然，这些衬底材料是相对昂贵的。由于硅的和氮化物化合物半导体材料的热膨胀系数的相对大的差异，将氮化物化合物半导体生长到相对成本适宜的硅衬底上加难。尤其，在将层系统从大致1000°C的用于生长氮化物化合物半导体的生长温度冷却到室温时在GaN中产生大的拉伸应力。在出版物DE 10 2006 008 929 A1和W0 2011/039181 A1中分别描述用于在硅衬底上制造氮化物化合物半导体器件的方法。从所述出版物中已知的是，在光电子器件的功能性的层序列和生长衬底的硅表面之间装入用于产生压缩应力的层结构，所述层结构抵抗在冷却时通过硅产生的拉伸应力。出版物W0 2013/045355 A1描述一种用于在硅衬底上制造氮化物化合物半导体器件的方法，其中在光电子器件的功能性的层序列和硅衬底之间设置有层结构，在所述层结构中嵌入有由含氮化硅的材料构成的掩膜层。通过掩膜层的嵌入，实现位错密度的降低。当然，将由不属于其余的半导体层的材料体系的材料、例如氮化硅构成的层嵌入与提高的制造耗费相关联。
技术实现思路
本专利技术基于下述目的，提出一种进一步改进的用于在具有硅表面的衬底上制造氮化物化合物半导体器件的方法，通过所述方法能够实现在半导体层序列中的特别小的缺陷密度，并且所述方法的特征在于相对小的制造耗费。所述目的通过一种根据权利要求1的来实现。本专利技术的有利的设计方案和改进方案是从属权利要求的主题。根据方法的至少一个实施方式，首先提供具有硅表面的生长衬底。生长衬底尤其能够是娃衬底。替选地，生长衬底也能够是SOI衬底(Silicon On Insulator)。根据至少一个实施方式，在该方法中，将具有AlxInyGai x yN的缓冲层生长到硅表面上，其中0彡X彡1，0彡y彡1并且x+y彡1。优选地，缓冲层具有AlxGai XN，其中0 ^ X ^ Ιο在另一个方法步骤中，将氮化物化合物半导体器件的半导体层序列生长到缓冲层上。半导体层序列基于氮化物化合物半导体。在本文中，“基于氮化物化合物半导体”表示，半导体层序列或其中至少一个层包括III族氮化物化合物半导体材料、优选为AlJriyGa: mnN，其中1,0 ^ η ^ 1并且m+n ^ 1。在此，所述材料不必强制地具有根据上式的数学上精确的组成。更确切地说，所述材料能够具有一种或多种掺杂物以及附加的组成部分，这基本上不改变AlJnyGa: n nN材料的表征的物理特性。然而，为了简单性，上式仅包含晶体晶格的主要的组成部分(Al、In、Ga、N)，即使所述组成部分能够部分地通过少量其他物质替代时也如此。根据至少一个设计方案，氮化物化合物半导体器件是光电子器件。半导体层序列尤其包含光电子器件的有源层。在该设计方案中，半导体层序列例如是发光二极管层序列。有源层尤其是在器件运行时发射辐射的层，所述层例如能够构成为pn结、双异质结构、单量子阱结构或多量子阱结构。对于有源层附加地，发光二极管层序列例如能够具有包围有源层的η型半导体区域和ρ型半导体区域。在该方法中，缓冲层以沿生长方向变化的材料成分生长。缓冲层有利地具有变化的材料成分，使得缓冲层的横向的晶格常数在第一区域中逐步地或连续地增大并且在沿生长方向跟随第一区域的第二区域中逐步地或连续地减小。在此和在下文中，横向的晶格常数理解为沿垂直于生长方向伸展的方向的晶格常数。缓冲层优选仅由第一区域和第二区域构成，即缓冲层除了第一区域和沿生长方向跟随的第二区域以外不具有其他的区域。在与半导体层序列的边界面上，缓冲层具有比半导体层序列的邻接于缓冲层的半导体层更小的横向的晶格常数。已证实的是，借助具有这样变化的晶格常数的缓冲层，能够实现在半导体层序列中的特别小的缺陷密度。这尤其通过下述方式实现:缓冲层的横向的晶格常数在第二区域中逐步地或连续地减小，使得在与随后的半导体层序列的边界面上的横向的晶格常数小于半导体层序列的邻接于缓冲层的半导体层的横向的晶格常数。因此，在缓冲层和半导体层序列之间的边界面上，出现晶格常数的突变。通过晶格常数的所述突变的变化，能够实现缺陷减少，因为缺陷在与半导体层序列的边界面上中断。尤其，在缓冲层中的缺陷基本上不伸展超出与半导体层序列的边界面，而是在边界面的区域中终止。由于缓冲层具有比半导体层序列的邻接的半导体层更小的横向的晶格常数，半导体层序列以压缩应力的方式生长。为了产生压缩应力，有利地，不需要将用于产生压缩应力的附加的中间层装入到缓冲层中。在半导体层序列中产生的压缩应力具有下述优点，所述压缩应力在将层系统从生长温度冷却至室温时抵抗通过生长衬底产生的拉伸应力。缓冲层的晶格常数沿生长方向的空间的变化通过下述方式进行:在生长期间逐步地或连续地改变材料成分。优选地，这通过下述方式实现:缓冲层的材料AlxInyGai x yN的铝份额x在第一区域中减小并且在第二区域中又增大。因为该材料体系中的晶格常数随着铝份额的增大而减少，所以以这种方式实现，晶格常数在第一区域中增大并且在第二区域中减小。缓冲层尤其能够具有AlxGai XN，其中0 < X < 1，其中铝份额X沿生长方向变化。缓冲层在与生长衬底的边界面上有利地具有铝份额X ^ 0.8、优选X多0.9。尤其，在与生长衬底的边界面上的铝份额甚至能够为x = 1。在该情况下，缓冲层在与生长衬底的边界面上具有A1N。在缓冲层中的铝份额X有利地具有最小值，其中最小值为X < 0.6、优选X < 0.2、特别优选X < 0.1。换言之，铝份额在第一区域中逐步地或连续地减少，使得所述铝份额降低至X < 0.6、优选X < 0.2或甚至X < 0.1的值，并且在随后的第二区域中再逐步地或连续地增大。因此，在第一区域和第二区域之间的边界上实现铝份额X的最小值。在与半导体层序列的边界面上，缓冲层有利地具有铝份额X彡0.6、优选X彡0.8、或甚至X多0.9。尤其，与半导体层序列的边界面上的铝份额能够为X = 1。在该情况下，缓冲层在与半导体层序列的边界面上具有A1N。半导体层序列的邻接于缓冲层的半导体层优选具有AlJr^Gai m nN，其中m < 0.5。优选的是m<0.2或甚至m<0.1。因此，半导体层序列的邻接于缓冲层的半导体层有利地与缓冲层在与半导体层序列的边界面上相比具有明显更小的铝份额。在一个优选的设计方案中，生长衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤：‑提供具有硅表面的生长衬底(1)；‑将缓冲层(2)生长到所述硅表面上，所述缓冲层具有AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1；‑将半导体层序列(3)生长到所述缓冲层(2)上，其中‑所述缓冲层(2)具有变化的材料成分，使得所述缓冲层(2)的横向的晶格常数在第一区域(2a)中逐步地或连续地增大并且在沿生长方向跟随所述第一区域的第二区域(2b)中逐步地或连续地减小，以及‑所述缓冲层(2)在对着所述半导体层序列(3)的边界面上与所述半导体层序列(3)的邻接于所述缓冲层(2)的半导体层(4)相比具有更小的横向的晶格常数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：维尔纳·贝格鲍尔，菲利普·德雷克塞尔，彼得·施陶斯，帕特里克·罗德，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE