描述一种激光二极管芯片(1)，其中至少一个激光器端面(9)具有覆层(10)。覆层(10)具有至少一个无机层(14，15，16，17，18)并且具有至少一个有机层(20，21，22)。

提出一种用于制造光电子的半导体器件(100)的方法，其中提供具有载体主侧(11)的载体(1)。此外，提供多个已分割的光电子的半导体芯片(2)，其中半导体芯片(2)分别具有主发射侧(21)和与主发射侧(21)相对置的接触侧(22)。将已分...

一种波长转换元件(1)，其包括至少一种烧结的波长转换材料(20)，其中，网格(3)由在烧结的波长转换材料(20)内的通道(2)形成，通道(2)被烧结的波长转换材料(20)至少部分地包围，通道(2)沿垂直于或倾斜于波长转换元件(1)的主延...

提出一种发射辐射的半导体器件(1)，所述半导体器件具有半导体本体，所述半导体本体具有半导体层序列(2)，其中半导体层序列具有吸收区域(3)和设置用于产生峰值波长在近红外光谱范围中的辐射的有源区域(20)，其中吸收区域至少部分地吸收短波长...

提出一种用于制造电子半导体芯片(100)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有生长表面(10)的生长衬底(1)，所述生长表面通过具有大量三维成形的表面结构(12)的平的面(11)构成在平的面(11)上形成，‑由含氧的AlN构成的成核层...

提出一种用于制造具有多个像素(71，72)的光电子半导体组件，所述方法包括如下步骤：a)提供半导体层序列(11，12，13)，所述半导体层序列具有n型传导的半导体层(11)、有源区(13)和p型传导的半导体层(12)，b)施加第一层序列...

提出一种具有半导体本体(2)和载体(7)的光电子半导体芯片(1)，在所述载体上设置半导体本体，其中半导体本体具有有源区域(20)，所述有源区域设置在第一导电类型的第一半导体层(21)和不同于第一导电类型的第二导电类型的第二半导体层(22...

本发明涉及光电子半导体器件及其制造方法。制造方法具有：提供连接支承体(2)，其具有安装面(22)；在所述连接支承体的安装面上固定和以电学方式接触光电子半导体芯片(1)；以透射辐射的本体(3)将光电子半导体芯片(1)成型；以及相对于所述连...

提出一种用于制造半导体器件(100)的方法，其中提供载体(1)，所述载体具有第一绝缘层(12)、由第一绝缘层至少局部地覆盖的镜层(13)和联接元件(41)，其中载体具有露出的、平坦的安装面(11)并且联接元件穿过第一绝缘层延伸至安装面。...

本发明的实施方式描述一种包含无机物质的发光材料，所述无机物质在其组成中至少包含元素D、元素A1、元素AX、元素SX和元素NX(其中D是一种、两种或多种选自Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素，A1...

提出一种具有光电子半导体芯片的光电子的半导体器件。特别地，光电子的半导体器件是发射辐射的半导体器件，所述发射辐射的半导体器件构成为侧向发射器。此外，提出一种用于制造这种光电子的半导体器件的方法。

提出一种半导体激光二极管，其具有：半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有竖直地上下重叠地施加的半导体层，所述半导体层具有有源层(11)，所述有源层在运行中经由辐射耦合输出面放射激光辐射，其中辐射耦合输出面由半导体层序列(1)的侧面形成...

在至少一个实施方式中，光电子的半导体组件(1)具有载体(2)。多个有源区(33)安置在载体上侧(23)上并且设立用于产生辐射。至少三个电接触部位(4)位于载体下侧(24)上。半导体组件(1)具有用于半导体组件(1)电寻址并且用于电控制有...

提出一种具有辐射接收器(2)和具有辐射入射面(10)的辐射接收器设备(1)，其中辐射接收器具有用于检测具有在近红外中的目标波长的辐射的有源区域；在辐射入射面和辐射接收器之间设置有光学元件；光学元件的光学轴线伸展穿过辐射接收器；光学元件成...

提出一种用于半导体芯片的壳体(1)，所述壳体具有前侧(2)和与前侧相对置的后侧(3)，其中‑前侧具有用于半导体芯片的固定面(21)；‑后侧具有用于安装壳体的安装面(31)，其中安装面倾斜于固定面伸展；并且‑后侧具有支承面(35)，所述支...

提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法，所述方法具有下述步骤：a)提供辅助载体(2)；b)将多个半导体芯片(4)固定在所述辅助载体(2)上，其中所述半导体芯片(4)在横向方向上彼此间隔开；c)至少在所述半导体芯片(4)之间...

提出一种用于光电子半导体材料(1)的整面的光学表征的方法，所述半导体材料设置用于制造多个光电子半导体芯片并且所述半导体材料具有给定半导体材料(1)的特征波长的带隙，所述方法具有下述步骤：A)用具有小于半导体材料(1)的特征波长的激发波长...

提出一种光电子器件(1)。所述光电子器件包括具有发射电磁初级辐射的有源层的层序列(4)和设置在电磁初级辐射的光路中的转换小板(3)。附着层(2)设置在层序列和转换小板之间，其中附着层包括具有Si‑O‑Al键和/或Si‑O‑Zr键的无机有...

提出一种具有集成的跨接元件(9，9A)的光电子半导体芯片(1)，所述跨接元件用于保护防止过压。

提出一种用于制造多个光电子的半导体器件(1)的方法，所述方法具有如下步骤：a)提供多个半导体芯片(2)，所述半导体芯片在横向方向上彼此间隔开；b)构成壳体本体复合件(30)，所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片之间；c)构成多个...