【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法。
技术实现思路
待实现的目的在于:提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法,其中能够使用制成的半导体芯片中的半导体芯片的有源面的尤其大的份额。根据所述方法的至少一个实施方式,通过所述方法制造光电子半导体芯片。光电子半导体芯片能够是接收辐射的半导体芯片、例如光电二极管或者太阳能电池。此外可行的是,光电子半导体芯片是发光的半导体芯片、例如发光二极管芯片。通过所述方法尤其能够制造一种光电子半导体芯片,所述光电子半导体芯片在其上侧上没有金属的电路扩展连接片并且没有电接触部位、例如焊盘,其中在运行时待接收或者待发射的电磁辐射例如穿过所述上侧。以这种方式来减小电磁辐射的一部分通过电接触部位被遮暗和/或吸收的危险。能够以这种方式有利地弃用与制造这样的接触部位、例如抛光半导体芯片的上侧和/或制造用于电流扩展的金属连接片相结合的耗费的方法步骤和/或弃用如下措施,所述措施限制或者防止电流在电接触部位的下方注入到光电子芯片的区域中,例如在接触部位下方构成电绝缘层、肖特基势垒和/或离子注入区域。这样的半导体芯片例如在文献US 2010/0171135 A1中描述,所述文献就此明确地通过参引并入本文。根据光电子半导体芯片的至少一个实施方式,首选提供半导体层序列。半导体层序列例如外延地沉积在生长衬底上。生长衬底例如能够通过蓝宝石或者硅形成。例如至少一个n ...
【技术保护点】
一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法,所述方法包括下述步骤:‑提供半导体层序列(10);‑将金属的镜层(21)设置在所述半导体层序列(10)的上侧上;‑将镜保护层(3)至少设置在所述镜层的露出的侧面(21c)上;‑部分地移除所述半导体层序列(10),其中‑所述镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23),所述开口沿着横向方向由所述镜保护层(3)围边,‑在所述镜层(21)的所述开口(23)的区域中进行上述至少部分地移除所述半导体层序列(10),‑以自调节的方式进行上述将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.28 DE 102012107921.81.一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法,所述方法包括下
述步骤:
-提供半导体层序列(10);
-将金属的镜层(21)设置在所述半导体层序列(10)的上侧上;
-将镜保护层(3)至少设置在所述镜层的露出的侧面(21c)上;
-部分地移除所述半导体层序列(10),其中
-所述镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23),
所述开口沿着横向方向由所述镜保护层(3)围边,
-在所述镜层(21)的所述开口(23)的区域中进行上述至少部分
地移除所述半导体层序列(10),
-以自调节的方式进行上述将所述镜保护层(3)设置在所述镜层
(21)的露出的所述侧面(21c)上。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中在至少部分地移除所述半导体层序列(10)之前,将所述镜保
护层(3)施加到所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)上。
3.根据上述权利要求中任一项所述的方法,
其中为了自调节地将所述镜保护层(3)设置到所述镜层(21)的
露出的所述侧面(21c)上,执行下述方法步骤:
-将所述镜保护层(3)设置在所述镜层的背离所述半导体层序列
(10)的上侧(21a)上,其中所述镜保护层(3)具有朝向所述镜层(21)
的开口,
-在所述镜保护层(3)的所述开口的区域中移除所述镜层(21)
以用于在所述镜层中产生所述开口(23),其中所述镜保护层(3)沿着
横向方向(1)突出于所述镜层(21)的在所述镜层(21)的所述开口
(23)中露出的所述侧面(21c),
-将所述镜保护层(3)软化为,使得所述镜保护层(3)的沿着横
向方向(1)突出于所述镜层(21)的所述侧面(21c)的至少一部分(30)
沿着所述镜层(21)的所述侧面(21c)下落并且覆盖所述侧面。
4.根据上一项权利要求所述的方法,
其中所述镜保护层(3)通过能光刻结构化的材料形成。
5.根据权利要求1或2所述的方法,
其中为了自调节地将所述镜保护层(3)设置在所述镜层(21)的
露出的所述侧面(21c)上,实施下述方法步骤:
-将所述镜保护层(3)一致地沉积在所述镜层(21)的背离所述
半导体层序列(10)的上侧和所述镜层(21)的露出的所述侧面(21c)
上。
6.根据上一项权利要求所述的方法,
其中通过氧化物或者氮化物形成所述镜保护层(3),并且通过下述
方法中的一种方法进行所述镜保护层(3)的一致的...
【专利技术属性】
技术研发人员:亚历山大·普福伊费尔,
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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