【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有半导体本体和镜区域的光电子半导体器件以及涉及一种用于在半导体本体上制造镜区域的方法。
技术介绍
发射辐射的半导体器件、例如发光二级管能够具有镜层，所述镜层设置用于反射在半导体本体中产生的辐射。然而，在可见光谱范围中特征在于相对高的反射率的材料、例如银通常在半导体材料上仅具有小的附着。这会引起这种镜层的脱离。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提出一种半导体器件，其中能够在反射率高的同时实现镜层的可靠的附着。此外，应提出一种方法，通过所述方法能够制造这种镜层。该目的通过根据独立权利要求的光电子半导体器件或方法来实现。设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。根据一个实施方式，光电子半导体器件具有半导体本体和镜区域。镜区域至少局部地邻接于半导体本体的主面。镜区域具有第一材料组分的多个彼此隔开的且邻接于主面的域和第二材料组分的连续的镜层。镜层在域之间至少局部地邻接于主面。借助于第一材料组分的域能够实现镜层在半导
【技术保护点】
一种具有半导体本体(2)和镜区域(3)的光电子半导体器件(1)，所述镜区域至少局部地邻接于所述半导体本体的主面(23)，其中所述镜区域具有第一材料组分的多个彼此隔开的且邻接于所述主面的域(31)和第二材料组分的连续的镜层(32)，并且其中所述镜层在所述域之间至少局部地邻接于所述主面。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】2012.08.10 DE 102012107384.81.一种具有半导体本体(2)和镜区域(3)的光电子半导体器件(1)，
所述镜区域至少局部地邻接于所述半导体本体的主面(23)，其中所述
镜区域具有第一材料组分的多个彼此隔开的且邻接于所述主面的域
(31)和第二材料组分的连续的镜层(32)，并且其中所述镜层在所述
域之间至少局部地邻接于所述主面。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，
其中所述第一材料组分包含铂系金属族中的金属。
3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，
其中所述第一材料组分包含选自由钌、铑、钯、铱和锇组成的组的
金属中的至少一种金属。
4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，
其中所述镜层在所述镜区域中以至少50％的面铺设密度邻接于所
述主面。
5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，
其中所述镜层在所述镜区域中以至少80％的面铺设密度邻接于所
述主面。
6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，
其中所述域沿着所述主面至少部分地具有至多100nm的最大扩展。
7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，
其中所述镜区域沿着所述主面具有微结构化部(4)，所述微结构化
部具有域区域(41)和无域的区域(42)。
8.根据权利要求7所述的光电子半导体器件，
其中所述域区域和所述无域的区域至少局部以周期性的图案交替
地设置。
9.根据权利要求7或8所述的光电子半导体器件，其中
-所述镜区域沿着所述主面具有连续的第一子区域(45)和连续的
技术研发人员：亚历山大·F·普福伊费尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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