光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法技术

提出一种光电子半导体本体(100)，所述光电子半导体本体具有载体(13)和施加在载体(13)上的半导体层序列(1)。半导体层序列(1)具有第一传导类型的第一层(10)、第二传导类型的第二层(12)和设置在第一层(10)和第二层(12)之间的有源层(11)，其中第一层(10)朝向载体(13)，并且其中有源层(11)在正常运行中产生或吸收电磁辐射。此外，半导体本体(100)具有至少一个过孔(2)，所述过孔从载体(13)开始完全地延伸穿过第一层(10)和有源层(11)，并且至少部分地延伸穿过第二层(12)。在半导体本体(100)运行中，将第二载流子经由过孔(2)注入到第二层(12)中。过孔(2)在此在有源层(11)和第一层(10)的区域中横向完全地由第一层(10)的和有源层(11)的连贯且连续的条带围绕。此外，过孔(2)由半导体材料形成。载体(13)是用于半导体层序列(1)的生长衬底。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法
提出一种光电子半导体本体。此外，提出一种用于制造光电子半导体本体的方法。相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102015104144.8的优先权，其公开内容通过参考并入本文。
技术实现思路
要实现的目的在于：提出一种具有过孔的半导体本体，其中金属从过孔到半导体层序列中的迁移或扩散不会出现或减少。另一待实现的目的在于：提出一种用于制造这种半导体本体的有效的且低成本的方法。所述目的通过独立权利要求的方法和实体来实现。有利的改进形式和设计方案是从属权利要求的主题。根据至少一个实施方式，光电子半导体本体具有载体。在载体上设置有半导体层序列，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一层、第二传导类型的第二层和设置在第一层和第二层之间的有源层。在此，第一层朝向载体，第二层背离载体。有源层在正常运行中产生或吸收电磁辐射。第一传导类型的层例如为p掺杂层，所述p掺杂层构建用于传输空穴。第二传导类型的第二层例如是n掺杂层，所述n掺杂层构建用于传输电子。第一层和第二层能够分别是n掺杂的或是p掺杂的。在此，尤其也能够将第一和/或第二层分别理解为由多个单独层构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体本体(100)，所述光电子半导体本体具有：‑载体(13)，‑施加在所述载体(13)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一层(10)、第二传导类型的第二层(12)和设置在所述第一层(10)和所述第二层(12)之间的有源层(11)，其中所述第一层(10)朝向所述载体(13)，并且所述有源层(11)在正常运行中产生或吸收电磁辐射，‑至少一个过孔(2)，所述过孔从所述载体(13)开始完全地延伸穿过所述第一层(10)和所述有源层(11)，并且至少部分地延伸穿过所述第二层(12)，其中‑在运行中，将第二载流子经由所述过孔(2)注入到所述第二层(12)中，‑所述过孔(...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.19 DE 102015104144.81.一种光电子半导体本体(100)，所述光电子半导体本体具有：-载体(13)，-施加在所述载体(13)上的半导体层序列(1)，所述半导体层序列具有第一传导类型的第一层(10)、第二传导类型的第二层(12)和设置在所述第一层(10)和所述第二层(12)之间的有源层(11)，其中所述第一层(10)朝向所述载体(13)，并且所述有源层(11)在正常运行中产生或吸收电磁辐射，-至少一个过孔(2)，所述过孔从所述载体(13)开始完全地延伸穿过所述第一层(10)和所述有源层(11)，并且至少部分地延伸穿过所述第二层(12)，其中-在运行中，将第二载流子经由所述过孔(2)注入到所述第二层(12)中，-所述过孔(2)在所述有源层(11)和所述第一层(10)的区域中横向完全地由所述第一层(10)的和所述有源层(11)的连贯且连续的条带围绕，-所述过孔(2)由半导体材料形成，-所述载体(13)是用于所述半导体层序列(1)的生长衬底。2.根据权利要求1所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述过孔(2)具有侧表面(21)，所述侧表面横向于所述半导体层序列(1)的主延伸方向伸展，-所述侧表面(21)在所述第一层(10)和所述有源层(11)的区域中完全地且无中断地由钝化层(3)包围，-所述钝化层(3)在运行中阻止在所述过孔(2)和所述第一层(10)之间的通流和在所述过孔(2)和所述有源层(11)之间的通流，-在所述第二层(12)的区域中，所述侧表面(21)至少部分地没有所述钝化层(3)，-所述钝化层(3)由半导体材料形成。3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体(100)，其中所述过孔(2)延伸穿过整个所述半导体层序列(1)。4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述过孔(2)通入所述第二层(12)中，-所述第二层(12)是高掺杂的电流扩展层。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述载体(13)机械地承载且稳定所述半导体层序列(1)，-所述半导体层序列(1)的背离所述载体(13)的一侧形成所述半导体本体(100)的辐射出射或辐射入射面(14)。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述过孔(2)和所述载体(13)直接导电地彼此连接，-其中在运行中，将所述第二载流子经由所述载体(13)和经由所述过孔(2)注入到所述第二层(12)中。7.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体(100)，其中-在所述第一层(10)和所述载体(13)之间在所述过孔(2)旁边的区域中设置有绝缘层(5)，-所述绝缘层(5)阻止所述第一层(10)和所述载体(13)之间的直接电接触，-所述绝缘层(5)和所述钝化层(3)由相同的材料形成，并且构成连续且一件式的层。8.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述钝化层(3)由未掺杂的半导体材料形成，-所述载体(13)具有与所述过孔(2)相同的掺杂类型。9.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体本体(100)，其中-所述过孔(2)具有平行于所述有源层(11)测量的在50nm和120nm之间的宽度，其中包括边界值，-所述过孔(2)具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·鲁道夫，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE