氮化物半导体紫外线发光元件以及氮化物半导体紫外线发光装置制造方法及图纸

提供有效放出紫外线发光动作伴随的废热的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体紫外线发光元件具备：半导体层叠部(11)，其具备n型AlGaN层(6)、由AlGaN层构成的活性层(7)、以及p型AlGaN层(9、10)；n电极(13)；p电极(12)；保护绝缘膜(14)；以及第1镀敷电极(15)，由通过湿式镀敷法形成的铜或以铜为主成分的合金构成，在该氮化物半导体紫外线发光元件中，在第1区域(R1)形成半导体层叠部(11)，在其上表面形成p电极，在第2区域中n型AlGaN系半导体层(6)的上表面露出，在其上形成n电极(13)，保护绝缘膜(14)具有开口部以使n电极(13)的至少一部分和p电极(12)的至少一部分露出，第1镀敷电极(15)与n电极(13)的露出面分离，被形成为覆盖第1区域(R1)的上表面及外周侧面的整面、以及与第1区域(R1)相接的第2区域(R2)的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物半导体紫外线发光元件以及氮化物半导体紫外线发光装置
本专利技术涉及氮化物半导体紫外线发光元件以及安装该氮化物半导体紫外线发光元件而成的氮化物半导体紫外线发光装置，特别是涉及从基板侧提取出发光中心波长为约355nm以下的发光的倒装晶片(flipchip)安装用的氮化物半导体紫外线发光元件的电极结构的改善技术。
技术介绍
以往，AlGaN系氮化物半导体以GaN或AlN摩尔分数(也称为AlN混晶比率或Al组成比)较小的AlGaN层为基底，在其上制作由多层结构构成的发光元件或受光元件(例如参照非专利文献1、非专利文献2)。图16表示典型的以往的AlGaN系发光二极管的结晶层结构。图16所示的发光二极管具有：在蓝宝石基板101上形成包含AlN层的基底层102，在该基底层102上依次层叠n型AlGaN的n型包覆层103、AlGaN/GaN多量子阱活性层104、p型AlGaN的电子阻挡层105、p型AlGaN的p型包覆层106、以及p型GaN的接触层107而成的层叠结构。多量子阱活性层104具有将多个由AlGaN势垒层夹持GaN阱层的结构层叠而成的层叠结构。结晶生长后，直至n型包覆层103的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体紫外线发光元件，具备：半导体层叠部，由第1半导体层、活性层以及第2半导体层层叠而成，该第1半导体层由1个或多个n型AlGaN系半导体层构成，该活性层由1个或多个AlN摩尔分数为0以上的AlGaN系半导体层构成，该第2半导体层由1个或多个p型AlGaN系半导体层构成；n电极，由1个或多个金属层构成；p电极，由1个或多个金属层构成；以及保护绝缘膜，该氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于，还具备：第1镀敷电极，与上述p电极的未被上述保护绝缘膜覆盖的露出面接触，上述半导体层叠部以如下方式形成，在与上述半导体层叠部的表面平行的面内将1个上述氮化物半导体紫外线发光元件占有的区域设为元件区域...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物半导体紫外线发光元件，具备：半导体层叠部，由第1半导体层、活性层以及第2半导体层层叠而成，该第1半导体层由1个或多个n型AlGaN系半导体层构成，该活性层由1个或多个AlN摩尔分数为0以上的AlGaN系半导体层构成，该第2半导体层由1个或多个p型AlGaN系半导体层构成；n电极，由1个或多个金属层构成；p电极，由1个或多个金属层构成；以及保护绝缘膜，该氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于，还具备：第1镀敷电极，与上述p电极的未被上述保护绝缘膜覆盖的露出面接触，上述半导体层叠部以如下方式形成，在与上述半导体层叠部的表面平行的面内将1个上述氮化物半导体紫外线发光元件占有的区域设为元件区域，在上述元件区域内的一部分的第1区域中，上述活性层和上述第2半导体层层叠在上述第1半导体层上，在上述元件区域内的上述第1区域以外的第2区域中，上述活性层和上述第2半导体层未层叠在上述第1半导体层上，上述第1区域具有在俯视形状中从三方包围上述第2区域的凹部，上述第2区域通过使被上述第1区域的上述凹部包围的凹部区域和上述凹部区域以外的周边区域连续而构成，上述n电极在上述第2区域内的上述第1半导体层上跨越上述凹部区域以及上述周边区域而形成，上述p电极形成在上述第2半导体层的最上表面，上述保护绝缘膜形成为，至少覆盖上述半导体层叠部的上述第1区域的外周侧面的整面、上述第1区域与上述n电极之间的上述第1半导体层的上表面、以及上述n电极的外周端缘部之中的至少包含与上述第1区域对置的部分的上表面和侧面，而且，不覆盖上述n电极的表面的至少一部分以及上述p电极的表面的至少一部分而使其露出，上述第1镀敷电极由通过湿式镀敷法形成的铜或以铜为主成分的合金构成，而且，形成为，与未被上述保护绝缘膜覆盖的上述n电极的露出面分离，覆盖包含上述p电极的露出面的上述第1区域的上表面的整面、被上述保护绝缘膜覆盖的上述第1区域的外周侧面的整面、以及作为上述第2区域的一部分且与上述第1区域相接的边界区域。2.根据权利要求1所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，上述第2区域的上述凹部区域的全部隔着上述保护绝缘膜被上述第1镀敷电极覆盖。3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，上述第1镀敷电极与未被上述保护绝缘膜覆盖的上述n电极的露出面分离75μm以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，上述保护绝缘膜进一步将上述p电极的外周端缘部的上表面和侧面、以及上述第2半导体层的最上表面的未被上述p电极覆盖的露出面覆盖。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，至少在未被上述保护绝缘膜覆盖的上述n电极的露出面上，进一步具备由通过上述湿式镀敷法形成的铜或以铜为主成分的合金构成的第2镀敷电极，上述第1镀敷电极与上述第2镀敷电极相互分离。6.根据权利要求5所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，上述第1镀敷电极和上述第2镀敷电极的各表面分别被平坦化，上述各表面的与上述半导体层叠部的表面垂直的方向上的高度位置被对齐。7.根据权利要求5或6所述的氮化物半导体紫外线发光元件，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：平野光，一本松正道，
申请(专利权)人：创光科学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP