用于发光器件的侧面互连制造技术

本发明专利技术的实施例包括一种半导体结构，其包括部署在n型区与p型区之间的发光层。金属n接触件连接到n型区。金属p接触件与p型区直接接触。互连电气连接到n接触件和p接触件中的一个。互连部署成邻近于半导体结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体发光器件，其中至少一个互连部署成邻近于半导体结构而不是在半导体结构以下。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、谐振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)和边缘发射激光器的半导体发光器件是当前可得到的最高效光源之一。在能够跨可见光谱操作的高亮度发光器件的制造中当前所感兴趣的材料系统包括II1-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，其也称为III氮化物材料。典型地，通过借由金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其它外延技术在蓝宝石、碳化硅、III氮化物或其它合适衬底上外延生长具有不同组成和掺杂剂浓度的半导体层的堆叠来制造III氮化物发光器件。堆叠通常包括在衬底之上形成的掺杂有例如Si的一个或多个η型层、在一个或多个η型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层、以及在有源区之上形成的掺杂有例如Mg的一个或多个P型层。电气接触件形成在η和P型区上。图1图示了在US7，348，212中描述的器件。图1图示了附连到底座的倒装芯片发光器件。倒装芯片器件包括附连到半导体器件层74的衬底73，该半导体器件层包括部署在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：包括部署在n型区与p型区之间的发光层的半导体结构；连接到n型区的金属n接触件和与p型区直接接触的金属p接触件；以及与n接触件和p接触件中的一个直接接触的互连，其中互连部署成邻近于半导体结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：T洛佩茨，MM布特沃思，T米霍波洛斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL