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提供有效放出紫外线发光动作伴随的废热的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体紫外线发光元件具备：半导体层叠部(11)，其具备n型AlGaN层(6)、由AlGaN层构成的活性层(7)、以及p型AlGaN层(9、10)；n电极(13)；p电极(12...
该专利属于创光科学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过创光科学株式会社授权不得商用。

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