【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件的制造方法
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法；特别涉及一种增加半导体叠层的利用的发光元件及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)具有耗能低、操作寿命长、防震、体积小、反应速度快以及输出的光波长稳定等特性，因此适用于各种照明用途。如图1所示，目前发光二极管芯片的制作包括，在基板101上形成发光叠层(图未示)，再形成切割道103v,103h而分割出多个发光二极管芯片102。然而目前多个发光二极管芯片102的分割大多以激光切割，而受限于激光光束的尺寸(beamsize)以及切割时易形成副产物(byproduct)造成漏电情形，切割道103v,103h的宽度D在设计上均至少必须维持20μm以上。若可节省此切割道103v,103h之面积，大约可增加25％的发光叠层面积。
技术实现思路
本专利技术揭露一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块于上述第一基板上，其中该第一基板上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，各上述多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、位于上述第一电性...
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件的制造方法，包括：提供第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，其中该第一基板上包括分隔两相邻的半导体叠层块的一分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，各该多个半导体叠层块包括第一电性半导体层、位于该第一电性半导体层之上的发光层、以及位于该发光层之上的第二电性半导体层，其中该多个半导体叠层块包括一第一半导体叠层块及一第二半导体叠层块；实行第一分离步骤，包括分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块；以及实行接合步骤，包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其中该第一分离步骤更包括：提供第二基板；接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板。3.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，其中通过施加激光照射于该第一半导体叠层块与该第一基板的界面以分离该第一半导体叠层块与该第一基板。4.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，其中该第二基板更包括第一穿孔电极具有第一穿孔及填充于其内的第一导电物质。5.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中该第二基板更包括第二穿孔电极具有第二穿孔及填充于其内的第二导电物质。6.如权利要求5所述的发光元件的制造方法，其中该第一导电物质与该第二导电物质为相同材料。7.如权利要求5所述的发光元件的制造方法，其中该第一半导体叠层块位于该第一穿孔电极与该第二穿孔电极间。8.如权利要求4所述的发光元件的制造方法，其中该第一半导体叠层块与该第一穿孔电极对位连接并形成电性连接。9.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，更包括：分离该第二半导体叠层块与该第一基板。10.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，更包括于该接合步骤之前，分别形成一导电氧化层于该第一半导体叠层块与该第二半导体叠层块上。11.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，更包括形成一电极于该第二基板上且电性连接该第二半导体叠层块的该第一电性半导体层。12.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，更包括于该接合步骤之前，形成一金属层于该第一半导体叠层块与该第二半导体叠层块中至少之一上。13.如权利要求2所述的发光元件的制造方法，更包括分离该第一半导体叠层块与该第二基板；及提供第三基板，使该第一半导体叠层块接合于该第三基板。14.如权利要求13所述的发光元件的制造方法，其中该第三基板更包括一电极。15.如权利要求13所述的发光元件的制造方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄建富，詹耀宁，徐子杰，陈怡名，邱新智，吕志强，许嘉良，张峻贤，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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