发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种保护膜及在其上方形成的电极膜以均匀膜厚形成、并且光取出效率高的发光二极管及其制造方法。这样的发光二极管，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，保护膜具有配置在俯视为周缘区域的内侧且光射出孔的周围而使化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，电极膜是形成为与从通电窗露出来的化合物半导体层的表面相接触，并且覆盖在平坦部上形成的保护膜的一部分，在顶面上具有光射出孔的连续膜，透明膜形成在反射层与化合物半导体层之间，在透明膜内、与光射出孔重叠的范围内贯穿地设有贯通电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光二极管及其制造方法
本专利技术涉及发光二极管及其制造方法。本申请基于2011年12月19日在日本申请的专利申请2011-277536号要求优先权，在此引用其内容。
技术介绍
已知从元件上面的一部分取出在发光层发生的光的点光源型的发光二极管。已知在这种类型的发光二极管中具有用于将发光层的通电区域限制为其面内的一部分的电流狭窄构造(例如专利文献1)。在具有电流狭窄构造的发光二极管中发光区域被限定。由于使光从设置在该区域的正上方的光射出孔射出，因此能够得到较高的光输出，并且能够高效地向光学部件等输入所射出的光。在点光源型的发光二极管中，已知以下的结构：在与基板平行的方向上为了使发光区域狭窄而将活性层等形成为柱状构造，在该柱状构造的顶面的光取出面具备具有光射出用的开口(光射出孔)的层(例如专利文献2)。图15示出一种共振器型发光二极管，该发光二极管是在基板131上依次具备下部镜层(mirrorlayer)132、活性层133、上部镜层134、接触层135的发光二极管，将活性层133、上部镜层134、接触层135形成为柱状构造137，用保护膜138覆盖柱状构造137及其周围，在该保护膜13本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，是在支持基板上依次具备包含金属的反射层、透明膜、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层，从光射出孔向外部射出光的发光二极管，其特征在于，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，所述平坦部和所述台面型结构部，分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖，所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分，所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，所述保护膜覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.12.19 JP 2011-2775361.一种发光二极管，是在支持基板上依次具备包含金属的反射层、透明膜、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层，从光射出孔向外部射出光的发光二极管，其特征在于，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，所述平坦部和所述台面型结构部，分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖，所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分，所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，所述保护膜覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，所述电极膜是形成为与从所述通电窗露出来的化合物半导体层的表面直接接触，并且至少覆盖在所述平坦部上形成的保护膜的一部分，在所述台面型结构部的顶面上具有所述光射出孔的连续膜，所述透明膜形成在所述反射层与所述化合物半导体层之间，在所述透明膜内、俯视下与所述光射出孔重叠的范围内以与所述化合物半导体层及所述反射层相接触的方式贯穿地设有贯通电极。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述贯通电极形成在：通过将以最短距离连结所述通电窗的外周和使所述光射出孔投影到所述活性层的图形的外周的各点间的线段原样地延长，从而缩小投影到所述透明膜上的所述光射出孔的缩小投影图形的范围内。3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述贯通电极由AuBe、AuZn中的任一种形成。4.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述透明膜由SiO2、SiN、SiON、Al2O3、MgF2、TiO2、TiN、ZnO中的任一种形成。5.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层与所述电极膜接触。6.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部在俯视下为矩形。7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部的各倾斜侧面相对于所述基板的定向平面偏移地形成。8.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述台面型结构部的高度为3～7μm，俯视下的所述倾斜侧面的宽度为0.5～7μm。9.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔在俯视下为圆形或椭圆。10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述光射出孔的直径为50～150μm。11.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，在所述电极膜的所述平坦部上的部分具有接合线。12.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层所含有的发光层包含多量子阱。13.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层所含有的发光层由(AlX1Ga1-X1)Y1In1-Y1P、(AlX2Ga1-X2)As、(InX3Ga1-X3)As中的任一种形成，其中0≤X1≤1、0＜Y1≤1、0≤X2≤1、0≤X3≤1。14.一种发光二极管，是在支持基板上依次具备包含金属的反射层、透明膜、和依次包含活性层和接触层的化合物半导体层，从光射出孔向外部射出光的发光二极管，其特征在于，在其上部具备平坦部和具有倾斜侧面及顶面的台面型结构部，所述平坦部和所述台面型结构部，分别至少一部分被保护膜、电极膜依次覆盖，所述台面型结构部包含至少所述活性层的一部分，所述倾斜侧面采用湿式蚀刻形成，并且水平方向的截面积朝向所述顶面连续变小地形成，所述保护膜至少覆盖所述平坦部的至少一部分、所述台面型结构部的所述倾斜侧面、和所述台面型结构部的所述顶面的周缘区域，并且具有配置在俯视为所述周缘区域的内侧且所述光射出孔的周围而使所述化合物半导体层的表面的一部分露出的通电窗，所述电极膜是形成为与从所述通电窗露出来的化合物半导体层的表面直接接触、并且至少覆盖在所述平坦部上形成的保护膜的一部分、在所述台面型结构部的顶面上具有所述光射出孔的连续膜，所述透明膜形成在所述反射层与所述化合物半导体层之间，在所述透明膜内、俯视下与所述通电窗重叠的位置以与所述化合物半导体层及所述反射层相接触的方式贯穿地设有贯通电极。15.根据权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述贯通电极由AuBe、AuZn中...

【专利技术属性】
技术研发人员：粟饭原范行，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP