Put forward a kind of electronic device, the electronic device has a first device (1) and the second device (2), the first device and the second device by means of sintering layer has a first metal (3) connected to each other, wherein the device (1, 2) at least one device has at least one a contact layer (4, 4 '), the contact layer by sintering with the layer (3) provided direct contact, the sintered layer has different with the first second metal metal and the sintering layer is not gold. In addition, a method for manufacturing an electronic device is presented.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉参引本专利申请要求德国专利申请102014115319.7的优先权，其公开的内容通过参引的方式并入此文。
提出一种电子设备和一种用于制造电子设备的方法。尤其，电子设备具有烧结层。
技术介绍
常见的是，借助于烧结层彼此连接的器件具有呈由金构成的薄的覆盖层形式的接触面。借助于这种覆盖层例如能够覆盖并且由此保护位于所述覆盖层下方的易氧化的层。因为一方面例如由银构成的烧结层能够具有对氧的高度的溶解性和扩散性，并且另一方面随时间的推移，金能够溶于银中，存在下述危险：在金覆盖层下方的基底随时间氧化。根据本专利技术，烧结层容易失去其在由此构成的氧化层上的附着，由此危害烧结连接的长期稳定性。为了避免这类问题，迄今为止在大多数情况下使用金层，所述金层具有至少100nm的非常厚的厚度进而也是非常昂贵的。替选地，另选钯作为便宜的贵金属变型形式所述钯由厚度在几纳米范围中的非常薄的金层覆盖。此外也已知的是，使用厚的银层来覆盖。然而，例如在使用多孔的银烧结层时，在厚的银层下方又再必须放置由贵金属构成的附着层，以便阻止银在非贵金属的附着层上形成的金属氧化层处的长期去湿，所述多孔的...
【技术保护点】
一种电子设备，所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2)，所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接，其中所述器件(1，2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4，4’)，所述接触层以与所述烧结层(3)直接接触的方式设置，所述烧结层具有与所述第一金属不同的第二金属并且所述烧结层不含金。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.21 DE 102014115319.71.一种电子设备，所述电子设备具有第一器件(1)和第二器件(2)，所述第一器件和所述第二器件借助具有第一金属的烧结层(3)彼此连接，其中所述器件(1，2)中的至少一个器件具有至少一个接触层(4，4’)，所述接触层以与所述烧结层(3)直接接触的方式设置，所述烧结层具有与所述第一金属不同的第二金属并且所述烧结层不含金。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述烧结层(3)对于氧是可穿透的。3.根据权利要求1或2所述的设备，其中所述烧结层(3)具有银。4.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中所述烧结层(3)具有铜。5.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中所述接触层(4，4’)具有贵金属。6.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中所述接触层(4，4’)具有铑和/或铱。7.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中所述接触层(4，4’)具有铂。8.根据上述权利要求中任一项所述的设备，其中所述接触层(4，4’)具有大于或等于5nm并且小于等于500nm的层厚度。...
【专利技术属性】
技术研发人员：安德烈亚斯·普洛斯尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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