光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备制造技术

提出一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；保护二极管区域(4)，其中‑半导体器件具有用于外部电接触半导体器件(1)的接触部(6)；‑接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与发射区域导电连接；‑接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与第一接触区域间隔开并且与保护二极管区域导电连接；和‑第一接触区域和第二接触区域能够借助于连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触。此外，提出一种具有光电子半导体器件的设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体器件和具有光电子半导体器件的设备
本专利技术涉及一种光电子半导体器件和一种具有光电子半导体器件的设备。
技术介绍
在光电子半导体器件、即例如发光二极管中存在如下危险：在运输器件时或在加工器件时由于静电放电(electrostaticdischarge，ESD)出现不可修复的损坏。据估计：大约8％至33％的电子元件失效要归因于这种ESD损坏。为了避免这种损坏，能够将ESD保护二极管集成到器件中。然而这种器件不能够用于如下应用：在所述应用中ESD保护二极管起干扰作用或者至少是不期望的。
技术实现思路
本专利技术的目的是：提供一种光电子半导体器件，所述光电子半导体器件提供ESD保护的功能并且是能普遍适用的。所述目的还通过根据专利权利要求1的光电子半导体器件实现。其他的设计方案和适宜方案是从属权利要求的主题。根据光电子半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有发射区域。发射区域具有半导体层序列，所述半导体层序列具有第一半导体层、第二半导体层和设置在第一半导体层和第二半导体层之间的有源区域。有源区域设置用于产生辐射，例如紫外的、可见的或红外的光谱范围中的辐射。例如，将有源区设置在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；和保护二极管区域(4)，其中‑所述半导体器件具有用于外部电接触所述半导体器件(1)的接触部(6)；‑所述接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与所述发射区域导电连接；‑所述接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与所述第一接触区域间隔开并且与所述保护二极管区域导电连接；‑所述第一接触区域和所述第二接触区域能够借助于唯一的连接线路(9)的共同的端部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.12 DE 102014116512.81.一种光电子半导体器件(1)，其具有：发射区域(3)，所述发射区域具有半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有第一半导体层(21)、第二半导体层(22)和设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的设为用于产生辐射的有源区域(20)；和保护二极管区域(4)，其中-所述半导体器件具有用于外部电接触所述半导体器件(1)的接触部(6)；-所述接触部具有第一接触区域(61)，所述第一接触区域与所述发射区域导电连接；-所述接触部具有第二接触区域(62)，所述第二接触区域与所述第一接触区域间隔开并且与所述保护二极管区域导电连接；-所述第一接触区域和所述第二接触区域能够借助于唯一的连接线路(9)的共同的端部(95)外部电接触；和-所述第一接触区域借助于连接线路(9)能够与所述第二接触区域无关地外部电接触。2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述连接线路是键合线连接。3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述保护二极管区域是半导体本体，所述半导体本体具有与所述发射区域相同的层结构。4.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述第一接触区域和所述第二接触区域设置在所述发射区域的侧向和所述保护二极管区域的侧向。5.根据权利要求1至3中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述第一接触区域和所述第二接触区域在所述半导体器件的俯视图中与所述保护二极管区域叠加。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体器件，其中所述半导体器件具有用于外部电接触的另一接触部(65)，其中所述另一接触部与所述发射区域和所述保护二极管区域导电连接。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：于尔根·莫斯布格尔，安德烈亚斯·普洛斯尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE