半导体器件和用于制造半导体器件的方法技术

提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片(2)和带有连接面(53)的连接载体(5)，半导体芯片(2)设置在所述连接面上。在连接载体(5)上构成反射层(4)和限界结构(3)，其中所述限界结构(3)在横向方向上至少局部地环绕半导体芯片(2)，并且所述反射层(4)在横向方向上至少局部地在半导体芯片的侧面(21)和限界结构(3)之间伸展。此外，提出一种用于制造半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和用于制造半导体器件的方法本申请是国际申请日为2011年7月1日、国家申请号为201180035938.1(国际申请号为PCT/EP2011/061137)、专利技术名称为“半导体器件和用于制造半导体器件的方法”的申请的分案申请。
本申请涉及一种半导体器件以及一种用于制造半导体器件的方法相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102010031945.7的优先权，其公开内容在此通过引用并入本文。
技术介绍
在辐射发射的半导体器件中，例如在具有用于产生辐射的发光二极管芯片的器件中，例如在灯壳上散射回的辐射部分能够在器件中被吸收，由此，辐射产生的效率总体上下降。尤其在半导体芯片直接安装到平的载体上的器件中，由于载体的吸收能够导致很大损耗。
技术实现思路
目的是提出一种半导体器件，在所述半导体器件中降低了吸收损耗。此外应提出一种用于制造这种半导体器件的方法，通过所述方法能够低成本地并且可靠地制造有效率的半导体器件。所述目的通过根据本专利技术所述的半导体器件以及方法来实现。设计方案和改进形式在下文中给出。根据一个实施形式，半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片和带有连接面的连接载体，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体器件(1)，所述半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片(2)和带有连接面(53)的连接载体(5)，所述半导体芯片(2)设置在所述连接面上，其中‑在所述连接载体(5)上构成反射层(4)；‑在所述连接载体(5)上构成限界结构(3)，所述限界结构在横向方向上至少局部地环绕所述半导体芯片(2)；和‑所述反射层(4)在横向方向上至少局部地在所述半导体芯片的侧面(21)和所述限界结构(3)之间伸展；以及‑所述限界结构借助于在所述连接载体中的凹部(34)形成。

【技术特征摘要】
2010.07.22 DE 102010031945.71.半导体器件(1)，所述半导体器件具有至少一个光电子半导体芯片(2)和带有连接面(53)的连接载体(5)，所述半导体芯片(2)设置在所述连接面上，其中-在所述连接载体(5)上构成反射层(4)；-在所述连接载体(5)上构成限界结构(3)，所述限界结构在横向方向上至少局部地环绕所述半导体芯片(2)；和-所述反射层(4)在横向方向上至少局部地在所述半导体芯片的侧面(21)和所述限界结构(3)之间伸展；以及-所述限界结构借助于在所述连接载体中的凹部(34)形成。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述反射层至少局部地直接邻接于所述半导体芯片。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述反射层构成为是电绝缘的。4.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中所述反射层在所述半导体器件的俯视图中完全地设置在所述限界结构之内。5.根据权利要求1至3之一所述的半导体器件，其中所述半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：西蒙·耶雷比奇，埃里克·海涅曼，克里斯蒂安·盖特纳，阿莱斯·马尔基坦，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE