In at least one embodiment of the method, the method is designed to produce an optoelectronic semiconductor chip (10), in particular a light emitting diode. The method at least comprises the following steps: providing a silicon substrate (1); with the help of sputtering in the growth substrate (1) formed on the III nitride buffer layer (3), and the buffer layer (3) above the growth of the active layer (2a) of the III nitride semiconductor layer sequence (2).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
提出一种用于制造光电子半导体芯片的方法以及一种相应的光电子半导体芯片。
技术介绍
在参考文献Dadgar等著的AppliedPhysicsLetters,2002年5月20日的第80卷,第20期中提出一种基于硅的制造发射蓝色的发光二极管的方法。
技术实现思路
要实现的目的在于，提出一种用于有效地制造光电子半导体芯片的方法。根据方法的至少一个实施形式，所述方法包括提供生长衬底的步骤。生长衬底优选为硅衬底。设计成用于生长的表面优选是硅-111-表面。设置用于生长的表面尤其能够是平滑的并且具有最高10nm的粗糙度。生长衬底的厚度优选为至少50μm或至少200μm。根据方法的至少一个实施形式，所述方法包括在生长衬底上生成III族氮化物缓冲层的步骤。借助于溅镀来进行缓冲层的生成。因此，不经由气相外延、如金属有机气相外延（英文为MetalOrganicChemicalVaporPhaseEpitaxy，简称为MOPVE）来生成缓冲层。根...
【技术保护点】
一种用于制造光电子半导体芯片（10）的方法，具有下述步骤：‑提供硅生长衬底（1）；‑借助于溅镀在所述生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3）；以及‑在所述缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半导体层序列（2）。
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】2011.09.30 DE 102011114670.21.一种用于制造光电子半导体芯片（10）的方法，具有下述步骤：
-提供硅生长衬底（1）；
-借助于溅镀在所述生长衬底（1）上生成III族氮化物缓冲层（3）；
以及
-在所述缓冲层（3）上方生长具有有源层（2a）的III族氮化物半
导体层序列（2）。
2.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述缓冲层（3）基于AlN
并且直接地施加到所述生长衬底（1）上。
3.根据上一项权利要求所述的方法，其中对所述缓冲层（3）添加
氧，其中氧的重量份额位于0.1%和10%之间，其中包括边界值。
4.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述缓冲层（3）中的氧
份额沿远离所述生长衬底（1）的方向单调地下降。
5.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述缓冲层（3）
具有在10nm和1000nm之间的厚度，尤其具有在50nm和200nm之间
的厚度，其中包括边界值。
6.根据上述权利要求中的任一项所述的方法，其中借助于溅镀或
者借助于气相外延直接在所述缓冲层（3）上施加夹层（4），其中所述
夹层（4）基于AlGaN，并且在所述夹层（4）中，Al含量沿远离所述
生长衬底（1）的方向单调地下降。
7.根据上一项权利要求所述的方法，其中将下述层直接彼此相继
地并且以所说明的顺序制备到所述夹层（4）上：
-生长层（8），所述生长层基于GaN并且借助于溅镀或气相外延
来生成；
-掩膜层（6），所述掩膜层基于SiN，其中所述掩膜层以在50%和
90%之间的覆盖度来覆盖所述生长层（8），其中包括边界值，并且所述
掩膜层（6）借助于溅镀或气相外延来生成；
-聚结层（7），所述聚结层基于GaN并且借助气相外延来生长；
-由AlGaN和/或由AlN构成的一个或多个中间层（8），其中在多
个中间层（9）的情况下，在两个相邻的中间层（9）之间借助气相外延
来各生长一个GaN层（6）；以及
-所述半导体层序列（2a，2b，2c），所述半导体层序列基于AlInGaN
并且借助气相外延来生长。
技术研发人员：约阿希姆·赫特功，卡尔·恩格尔，贝特霍尔德·哈恩，安德烈亚斯·魏玛，彼得·施陶斯，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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