光电子半导体芯片制造技术

提出一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层(3)、至少一个p掺杂的半导体层(5)和设置在至少一个n掺杂的半导体层(3)和至少一个p掺杂的半导体层(5)之间的有源层(4)，其中p掺杂的半导体层(5)借助于第一金属连接层(8)电接触，并且其中在p掺杂的半导体层(5)和第一连接层(8)之间设置有提高反射的介电层序列(6)，所述介电层序列具有多个折射率不同的介电层(61，62)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光电子半导体芯片
本专利技术涉及一种光电子半导体芯片，尤其涉及发射辐射的光电子半导体芯片，例如LED芯片。相关申请的交叉参引本申请要求德国专利申请102014115740.0的优先权，其公开内容通过参引的方式并入本文。
技术介绍
在例如为LED芯片的光电子半导体芯片中，为了电接触通常将金属连接层施加到半导体层上。但是因为金属具有高的消光系数，所以在金属连接层中吸收所发射的辐射的一部分。
技术实现思路
本专利技术所基于的目的是：提出一种具有至少一个金属连接层的改进的光电子半导体芯片，其中降低在金属连接层中的吸收损失。所述目的通过根据独立权利要求1的光电子半导体芯片实现。本专利技术的有利的设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。根据至少一个实施方式，光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层、至少一个p掺杂的半导体层和设置在n掺杂的半导体层和p掺杂的半导体层之间的有源层。有源层尤其是适合于发射辐射的层。光电子半导体芯片尤其能够是LED芯片。p掺杂的半导体层借助于第一金属连接层电接触。换言之，第一金属连接层构成光电子半导体芯片的p接触部。第一金属连接层尤其能够设置在光电子半导体芯片的辐射出射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层(3)、至少一个p掺杂的半导体层(5)和设置在至少一个所述n掺杂的半导体层(3)和至少一个所述p掺杂的半导体层(5)之间的有源层(4)，其中所述p掺杂的半导体层(5)借助于金属的第一连接层(8)电接触，并且其中在所述p掺杂的半导体层(5)和所述第一连接层(8)之间设置有提高反射的介电层序列(6)，所述介电层序列具有多个折射率不同的介电层(61，62)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.29 DE 102014115740.01.一种光电子半导体芯片(10)，所述光电子半导体芯片包括至少一个n掺杂的半导体层(3)、至少一个p掺杂的半导体层(5)和设置在至少一个所述n掺杂的半导体层(3)和至少一个所述p掺杂的半导体层(5)之间的有源层(4)，其中所述p掺杂的半导体层(5)借助于金属的第一连接层(8)电接触，并且其中在所述p掺杂的半导体层(5)和所述第一连接层(8)之间设置有提高反射的介电层序列(6)，所述介电层序列具有多个折射率不同的介电层(61，62)。2.根据权利要求1所述的光电子半导体芯片，其中在所述p掺杂的半导体层(5)和所述第一连接层(8)之间设置有透明导电层(7)，其中所述透明导电层(7)至少局部地设置在所述介电层序列(6)和所述第一连接层(8)之间。3.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中在所述p掺杂的半导体层(5)和提高反射的所述介电层序列(6)之间设置有透明导电的中间层(13)。4.根据权利要求3所述的光电子半导体芯片，其中所述透明导电的中间层(13)整面地覆盖所述p掺杂的半导体层(5)。5.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中所述介电层序列(6)具有至少三个层(61，62)，这些层具有由折射率为n1的第一介电材料构成的至少一个第一介电层(61)和由折射率为n2>n1的第二介电材料构成的至少一个第二介电层(62)。6.根据上述权利要求中任一项所述的光电子半导体芯片，其中所述介电层序列(6)具有多个层对，所述层对分别具有由折射率为n1的第一介电材料构成的第一介电层(61)和由折射率为n2>n1的第二介电材料构成的至少一个第二介电层(62)。7.根据权利要求5或6所述的光电子半导体芯片，其中所述有源层(4)适合于发射具有主波长λ的辐射，其中对于至少一个所述第一介电层(61)的厚度适用的是0.01λ/4≤...

【专利技术属性】
技术研发人员：法比安·科普，克里斯蒂安·艾兴格，科比尼安·佩尔茨尔迈尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE