具有高显色性的转换LED制造技术

具有高显色性的转换LED具有发光材料混合物，该发光材料混合物具有LuAGaG类型的第一发光材料和煅烧产物类型的第二发光材料。因此实现了用于暖白色色温的极其高的显色性。

【技术实现步骤摘要】
具有高显色性的转换LED本专利技术申请是申请日为2014年10月8日、申请号为201080036665.8、专利技术名称为“具有高显色性的转换LED”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的转换LED。这种转换LED尤其适用于普通照明。
技术介绍
从EP1696016中已知一种转换LED，所述转换LED使用煅烧产物(Calsin)作为红色发光材料。因此，通过使用蓝色的LED和选自α赛隆(Sialon)、Y2Al5O12:Ce或者(Y，Gd)2(Al，Ga)5O12:Ce的黄色或绿色的发光材料实现白色LED。从EP-A1669429中已知一种转换LED，其为了实现白色的LED而将蓝色的芯片连同(Sr,Ba)2Si5N8:Eu类型的特殊发光材料一起使用，其中还使用LuAG:Ce以及掺杂有Ce和Pr的类似发光材料来改进显色性。
技术实现思路
本专利技术的目的是，提供一种转换LED，其配有高的显色性，其中转换LED尤其达到高的可用的使用寿命。该目的通过权利要求1的特征来实现。尤其有利的扩展方案在从属权利要求中给出。根据本专利技术，现在提供高效率的转换LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转换发光二极管，该转换发光二极管具有发射初级辐射的芯片，以及位于所述芯片上游的、包括发光材料的层，所述层将所述芯片的所述初级辐射的至少一部分转换成次级辐射，其中使用石榴石A3B5O12:Ce类型的发射黄绿光的第一发光材料和煅烧产物MAlSiN3:Eu类型的发射橙红光的第二发光材料，其特征在于，所述初级辐射的峰值波长位于435nm至455nm的范围中，其中所述第一发光材料是主要具有阳离子A＝Lu或者与Y结合的Lu的石榴石，并且其中B同时具有Al和Ga的份额，其中所述第一发光材料包括15Mol.‑％至30Mol.‑％的Ga，而第二发光材料的基本类型为MAlSiN3:Eu，所述MAlSiN3:E...

【技术特征摘要】
2009.08.17 DE 102009037730.11.一种转换发光二极管，该转换发光二极管具有发射初级辐射的芯片，以及位于所述芯片上游的、包括发光材料的层，所述层将所述芯片的所述初级辐射的至少一部分转换成次级辐射，其中使用石榴石A3B5O12:Ce类型的发射黄绿光的第一发光材料和煅烧产物MAlSiN3:Eu类型的发射橙红光的第二发光材料，其特征在于，所述初级辐射的峰值波长位于435nm至455nm的范围中，其中所述第一发光材料是主要具有阳离子A＝Lu或者与Y结合的Lu的石榴石，并且其中B同时具有Al和Ga的份额，其中所述第一发光材料包括15Mol.-％至30Mol.-％的Ga，而第二发光材料的基本类型为MAlSiN3:Eu，所述MAlSiN3:Eu包括至少80％、尤其至少90％、优选至少95％的份额的Ca作为M，其中M仅为Ca本身或者主要是Ca并且M的其余部分能够是分别为单独或者组合形式的Sr、Ba、Mg、Li或者Cu，并且其中Al的最高20％、优选最高5％的部分能够通过B来代替，其中所述第一发光材料和所述第二发光材料作为发光材料色素嵌入浇注材料中。2.根据权利要求1所述的转换发光二极管，其特征在于，在成分B的情况下，所述第一发光材料包括20％至30％的Ga，其余部分是Al。3.根据权利要求1所述的转换发光二极管，其特征在于，所述第一发光材料包括1.5％至2.9Mol.-％、尤其1.8Mol.-％至2.6Mol.-％的Ce作为成分A的掺杂物，其余部分是A。4.根据权利要求1所述的转换发光二极管，其特征在于，所述第二发光材料仅包括Ca作为成分M。5.根据权利要求1所述的转换发光二极管，其特征在于，所述第二发光材料包括0.2Mol.-％至1.3Mol.-％、尤其0.3％至0.9％的Eu作为成分M的掺杂物。6.根据权利要求1所述的转换发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·鲍曼，诺贝特·伯尼施，蒂姆·菲德勒，弗兰克·耶尔曼，斯特凡·朗格，赖纳·温迪施，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE