一种脉冲UV激光组合件包含：部分反射器或分束器，其将每一基频脉冲分割成两个子脉冲且将一个子脉冲引导到布拉格光栅的一端且将另一脉冲引导到所述布拉格光栅的另一端(或另一布拉格光栅)，使得两个子脉冲都被拉伸且接收相反(正及负)频率啁啾。所述两...

本发明提供用于检测晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含从通过运用检验系统扫描晶片产生的帧图像，产生所述晶片上的裸片中的阵列区域的至少一部分的测试图像。所述方法还包含从通过所述扫描所述晶片而产生的帧图像，产生所述阵列区域中的单元的参考图...

本文呈现基于附近计量目标的光学测量而估计实际装置结构的所关注参数的值的方法及系统。采用高处理量线内计量技术来测量位于实际装置结构附近的计量目标。将从所述计量目标收集的测量数据提供到经训练信号响应计量SRM模型。所述经训练SRM模型基于所...

本申请涉及晶片级光谱仪。本发明涉及一种用于测量光学辐射的特性的传感器设备，所述传感器设备具有衬底及位于所述衬底内在一个或一个以上空间上分离的位置处的低轮廓光谱选择性检测系统。所述光谱选择性检测系统包含以光学方式耦合到对应光学检测器阵列的...

本发明涉及一种扫描式电子显微镜，其并入多像素固态电子检测器。所述多像素固态检测器可检测反向散射及/或次级电子。所述多像素固态检测器可并入模/数转换器及其它电路。所述多像素固态检测器可能够大致确定入射电子的能量及/或可含有用于处理或分析电...

本发明涉及一种用于同步暗场DF及差分干涉对比DIC检验的检验设备，其包含照明源及经配置以固定样本的样本载物台。所述检验设备包含第一传感器、第二传感器及光学子系统。所述光学子系统包含物镜、一或多个光学元件，所述光学元件经布置以通过所述物镜...

本发明提供度量方法，其包括：识别装置设计中的叠加关键图案，所述叠加关键图案对工艺变动具有高于取决于设计规格的指定阈值的叠加敏感度；及使用对应于经识别的叠加关键图案的度量目标。替代地或互补地，度量方法包括根据归因于指定工艺变动的对应工艺窗...

本发明揭示用于提供p-n结的测量并考虑到横向电流以改进准确度的方法及设备。可控制所述横向电流，从而允许减小或基本上消除电流散布。替代地或此外，可测量所述横向电流，从而允许通过补偿经测量散布来计算更准确的法向电流。此外，也可联合地实施用于...

本发明揭示使用来自激光维持等离子体的VUV光进行样本的检验，其包含：产生包含第一所选择波长或波长范围的泵浦照明；容纳适用于等离子体产生的一定体积的气体；通过将所述泵浦照明聚焦到所述一定体积的气体中而在所述一定体积的气体内形成等离子体来产...

本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。从度量衡系统的一或多个传感器按多个方位角从特定所关注结构测量多个光谱信号。基于针对所述方位角而获得的所述光谱信号来确定光谱差值。基于分析所述光谱差值来确定及报告所述特定所关注结...

本发明揭示用于检定光刻光罩合格性的方法及设备。光罩检验工具用以从所述光罩的每一图案区域获取不同成像配置的至少两个图像。各自基于来自所述光罩的每一图案区域的至少两个图像重新构建光罩图案。针对每一重新构建的光罩图案，在此重新构建的光罩图案上...

本发明呈现用于最小化从非均匀照明源产生的多个照明光束之间的干涉以在检验系统的视域上提供有效均匀照明分布的方法及系统。在一些实例中，将脉冲光束分割成多个照明光束，使得所述光束中的每一者在待检验的样本的表面处在时间上分离。在一些实例中，将从...

一种用于产生深紫外光DUV的连续波CW光的激光包含二次谐波产生器及四次谐波产生器。所述四次谐波产生器包含多个镜以及第一及第二非线性光学NLO晶体。所述第一NLO晶体产生具有四次谐波波长的光，且经放置而与所述多个镜成操作关系。所述第二NL...

本发明揭示用于确定半导体结构的工艺参数或结构参数的设备及方法。从定位于半导体晶片上的多个区段中的一或多个目标获取多个光学信号。所述区段与用于制造所述一或多个目标的不同工艺参数相关联，且所述经获取的光学信号含有关于顶部结构的所关注参数PO...

本发明涉及用于高分辨率电子束成像的设备及方法。一个实施例涉及一种用于高分辨率电子束成像的设备。所述设备包含经配置以限制入射电子束中的电子的能量扩散的能量过滤器。所述能量过滤器可使用消像散维恩(Wien)过滤器及过滤器孔口而形成。另一实施...

本发明涉及一种用于检测低光信号的电子轰击检测器，其包含：真空管结构，其界定圆柱形真空管腔室；光电阴极，其安置在所述真空管腔室的第一端处；传感器，其安置在所述真空管腔室的第二端处；环电极，其安置在所述真空管腔室中用于产生使所发射的光电子朝...

本发明提供用于确定样本上的关注区域的坐标的系统及方法。一种系统包含经配置用于针对被检验的样本上的关注区域识别最接近所述关注区域定位的一或多个目标的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统也经配置用于使所述一或多个目标的一或多个图像与针对所...

本发明提供用于检测晶片上的缺陷的各种实施例。一种方法包含获取通过检验系统在已对晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行的检验过程期间针对所述晶片产生的输出。所述第一及第二过程步骤包含分别形成所述晶片上的设计的第一及第二部分。所述设计的所述...

本发明提供用于确定于样品上检测到的缺陷的一或多个特性的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以识别样品上由检验系统用第一模式检测到但用一或多种其它模式未检测到的第一缺陷。所述计算机子系统还经配置以从存储媒体获取在对应于所...

本发明的实施例涉及一种电子束成像/检验设备，其具有电子源装置以紧接在图像获取或检验之前将泛射电子引导于样本上。所述设备包括经配置以在第一模式中对样本进行充电的第一装置，其中所述第一装置包含电子源，所述电子源经配置以将带电粒子的泛射束提供...