本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种方法包含获取由检验系统产生的关于晶片的输出。使用不同工艺条件在所述晶片上印刷不同裸片。所述不同工艺条件对应于所述晶片的不同失效模式。所述方法还包含比较针对使用对应于所述不同失效模式中的第一...

本发明呈现用于评估多重图案化工艺的性能的方法和系统。测量经图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引起的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量单个图案化目标和多重图案化目标，所收集数据拟合到经组合测量模型，且基于所述拟合确定指示...

本发明的一些方面涉及一种系统，其具有衬底装置、衬底支撑表面及将所述衬底装置定位在所述衬底支撑表面上的衬底处置器。所述衬底装置及所述衬底支撑表面可具有配对的粗略位置单元及精细位置单元。所述系统可测量第一与第二粗略位置单元之间的粗略位置偏移...

本发明提供用于根据外在要求或内在发展及验证需要，分析目标、工艺及计量配置对广泛范围的参数的灵敏度的系统及方法。系统包括以下元件。输入模块经布置以接收与目标、目标计量条件及生产工艺相关的参数，以产生目标数据。计量模拟单元经布置以从所述目标...

本发明揭示一种高速检验样本的方法，所述方法包含：将辐射引导且聚焦到样本上；及接收来自所述样本的辐射且将所接收到的辐射引导到图像传感器。所述方法尤其包含使用预定信号驱动所述图像传感器。所述预定信号最小化所述图像传感器的输出信号的安定时间。...

LED结构的一或多个电响应特性的非接触测量包含：使用一或多个光脉冲照明发光二极管结构的表面的照明区域；使用发光传感器从所述发光二极管结构的所述照明区域内的发光区域测量发光信号的瞬态；在来自所述发光二极管结构的所述发光信号的所述测量瞬态的...

本发明提供用于确定晶片检验过程的一或多个参数的方法及系统。一种方法包含采集由晶片计量系统产生的针对晶片的计量数据。所述方法还包含基于所述计量数据而确定用于所述晶片或另一晶片的晶片检验过程的一或多个参数。

在可相对于载台框架移动的载台的卡盘上接纳半导体样本。使所述载台、卡盘和样本在用于检验或曝光所述样本的检验或曝光头部下方移动，且多个二维编码器头部与所述卡盘耦合。多个二维编码器标尺与所述头部穿过其中插入的基底耦合，且载台编码器定位在所述载...

本发明提出可旋转补偿器，其经配置而以跨越孔径的高度推迟均匀性透射包含紫外线的在宽广波长范围内的非准直光。在一个实施例中，可旋转补偿器包含光学接触的四个个别板的堆叠。在所述堆叠中间的两个薄板由双折射材料制成且经布置以形成复合零级双板。其余...

本发明揭示用于确定光刻系统的最优聚焦的设备及方法。从位于半导体晶片上的多个场中的特定目标获取多个光学信号，且所述场是使用包含不同聚焦值的不同工艺参数来形成。从所述光学信号提取与聚焦的变化相关的特征。将对称曲线拟合到依据聚焦变化的所述光学...

本发明涉及晶片检验系统内的衬底的表面的高速高度控制，其包含：将衬底定位于可动态调整衬底载台组合件的衬底载台上；垂直于所述衬底的所述表面致动所述衬底；在所述表面的检验位置处测量所述衬底的所述表面的高度误差值；在所述衬底载台组合件的位置处测...

本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。产生具有浮动与固定临界参数的变化的组合及对应所模拟光谱的多个模型。每一模型经产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的一个或多个临界参数。基于参考数据而确定所述模型中的...

本发明揭示检验在规格内的光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的基线事件。于在光刻中使用所述光罩后，检验所述光罩以便产生指示每一异常光罩特征的位置和尺寸值的当前事件。产生候选缺陷和其图像的检验报告，使得这些候选缺陷包含所述当前事...

样本的缺陷检测及光致发光测量将斜照明波长光束引导到所述样本的一部分上；将用于引起所述样本的一或多个光致发光缺陷发射光致发光的光的法线照明波长光束引导到所述样本的一部分上；收集来自所述样本的缺陷散射辐射或光致发光辐射；将来自所述样本的所述...

本发明提供方法及相应模块，其通过选择所测量目标的相对较小子集以代表大量目标的参数测量的分布而减小计量学参数的样本大小及测量持续时间。通过对来自所述分布的选定数目的分位数中的每一者的实质上相等数目的测量进行取样而选择所述子集。所述方法及模...

本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种方法包含：基于晶片图案来确定晶片的管理区域的特性。确定所述特性包含：确定管理区域的位置；识别用于所述管理区域中的每一者的所述晶片图案中的至少一个所关注图案POI；允许所述管理区域中的任何者...

本文中呈现基于最终装置性能的预测而对半导体装置制造的过程控制及良率管理的方法及系统。基于一或多个装置性能模型而计算所估计装置性能度量值，所述一或多个装置性能模型将能够在过程期间测量的参数值与最终装置性能度量联系在一起。在一些实例中，装置...

本发明提供目标、目标元件及目标设计方法，其包括将目标结构设计为具有相对于其在极化光中的背景的高于特定对比度阈值的高对比度，同时具有相对于其在非极化光中的背景的低于所述特定对比度阈值的低对比度。所述目标可具有装置特征级的细节且可与装置设计...

一种深紫外DUV连续波CW激光包含：基波CW激光，其经配置以产生具有在约1μm与1.1μm之间的对应波长的基波频率；三次谐波产生器模块，其包含一或多个周期性极化的非线性光学NLO晶体，所述NLO晶体产生三次谐波及任选的二次谐波；及四次谐...

本发明呈现用于增强对特定所关注参数的计量灵敏度的方法及系统。将场增强元件FEE构造为样品的部分以增强存在于所述样品上的所关注结构的测量灵敏度。所述FEE的设计考虑到测量目标及制造设计规则以使目标制作与总体装置制作过程兼容。通过添加FEE...