本发明提供用于检测晶片上的缺陷的方法及系统。一种系统包含照明子系统，其经配置以将光引导到晶片上的至少一个光点。所述系统还包含至少一个元件，其经配置以阻挡从所述至少一个光点散射的光的第一部分到达检测器，同时允许由所述检测器检测从所述至少一...

一种用于横向等离子体泵激的激光维持等离子体光源包含：泵激源，其经配置以产生泵激照明；一或多个照明光学元件；及气体围阻结构，其经配置以围阻一定体积的气体。所述一或多个照明光学元件经配置以通过沿着泵激路径将泵激照明引导到所述气体围阻结构的所...

本发明揭示一种用于产生用于掩模的高密度配准映射图的方法及系统。数据准备模块产生所述掩模的多个锚点。另外，所述数据准备模块产生多个样本点。也在所述数据准备模块中产生权重，且所述权重随后被用于数据融合模块中。根据所产生的配方，在掩模坐标系中...

本发明揭示用于检验光学光刻光罩的方法及设备。使用检验工具来获得光罩上的一组相同裸片中的每一裸片的每一片块区的多个片块区图像。确定每一片块区图像的积分强度值。基于每一片块区图像的图案稀疏性度量及其与其它片块区图像的图案稀疏性度量的相对值来...

本发明涉及一种高灵敏度图像传感器，其包括本征或轻p掺杂(例如小于约1013cm‑3的掺杂水平)外延硅层。在所述外延层的前侧上制造CMOS或CCD电路。在所述外延层的背侧上生长p及n型外延层。纯硼层沉积于所述n型外延层上。在所述硼沉积过程...

本发明揭示一种DUV激光器，其包含光学带宽滤波装置，例如标准量具，所述光学带宽滤波装置安置于基波激光器的激光振荡器腔外部，且将一个波长范围引导到频率转换链的一部分中且将另一波长范围引导到所述频率转换列的另一部分中，从而减少DUV激光器输...

基于晶片的表面形貌修改光学系统的场曲率，使得所述表面的片段中的每一者的图像跨越所述片段焦点对准。所述晶片可为非平坦的。所述光学系统可为连接到控制器的多元件透镜系统，所述控制器通过改变透镜元件的位置而修改所述场曲率。所述晶片可由例如边缘夹...

提供进行以下操作的方法及系统：相对于光谱范围及/或偏振而图案化计量目标的照明；用所述经图案化照明来照明计量目标；及通过在光瞳平面处将来自光瞳平面图像的选定光瞳平面像素引导到相应单检测器而测量从所述目标散射的辐射，所述引导是通过将收集图案...

一种光致抗蚀剂模型化系统包含用于光刻工艺的数学模型。可使用计算机处理器执行所述数学模型。所述数学模型可用于将光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。嵌段聚合物浓度梯度方程式可实施到所述数学模型中。所述嵌段聚合物浓度梯度方程式可描述由所...

本发明提出用于仅基于所测量的基于图像的训练数据来产生基于图像的测量模型的方法及系统。接着，所述经训练的基于图像的测量模型用于直接根据从其它晶片收集的测量图像数据来计算一或多个所关注参数的值。所述基于图像的测量模型直接接收图像数据作为输入...

本发明揭示轮廓剪影(Shadow‑gram)，其用于堆叠晶片的边缘检验和计量。系统包含：光源，其将准直光引导在所述堆叠晶片的边缘处；检测器，其与所述光源相对；及控制器，其连接到所述检测器。所述堆叠晶片可相对于所述光源旋转。所述控制器分析...

本发明提供用于高效估计晶片缺口的位置的缺口检测方法及模块。捕获晶片的指定区域的图像，在所述所捕获图像的被转换为极坐标的变换中识别主角。接着，从所述经识别主角将晶片轴恢复为所述所捕获区域中的几何基元的主定向。所述所捕获区域可经选择为包含所...

本发明描述用于光学度量衡的自动波长或角度修剪。用于光学度量衡的自动波长或角度修剪的方法的实施例包含：确定包含多个参数的结构的模型；设计并计算用于所述模型的波长相依或角度相依数据的数据集；将所述数据集存储在计算机存储器中；用处理器执行对用...

非接触式测量p‑n结的特性包含：用光照明p‑n结的表面的照明区域；用第一电极测量来自所述p‑n结的第一区域的第一结光电压JPV信号；用第二电极测量来自第二区域的第二JPV信号；用参考电极测量来自第三区域的第三JPV信号；及用经校正第一J...

本发明提供一种用于运用多通道焦点控件检查晶片的背侧表面的系统，其包含：一组检查子系统，其包含经定位的第一检查子系统及额外检查子系统。所述第一及额外检查子系统包含：光学组合件；致动组合件，其中所述光学组合件被安置于所述致动组合件上；及位置...

本发明揭示用于在半导体样本中检测缺陷或复检缺陷的方法及设备。系统具有明场BF模块，所述BF模块用于将BF照明光束引导到样本上并检测响应于所述BF照明光束而从所述样本反射的输出光束。所述系统具有经调制光反射比MOR模块，所述MOR模块用于...

本发明揭示用于监测加工工具状况的方法及系统。所述方法将单个晶片、单个批次内的多个晶片及多个批次信息一起统计地组合为到定制分类引擎的输入，所述定制分类引擎可消耗单个或多个扫描、通道、晶片及批次以确定加工工具状态。

本发明揭示用于检验或测量样品的设备及方法。一种系统包括照明通道，所述照明通道用于产生多个入射光束且使所述多个入射光束偏转以形成多个光点，所述多个光点跨越由所述样品的多个扫描部分组成的经分段线进行扫描。所述系统还包含一或多个检测通道，所述...

本发明提供用于对在晶片上检测到的缺陷进行分类的系统及方法。一种方法包含基于由检验系统针对晶片产生的输出来检测所述晶片上的缺陷。所述方法还包含基于对应于所述缺陷中的至少一者的标准参考图像的部分来确定所述缺陷中的所述至少一者的一或多个属性。...

本发明提出用于基于可重复使用的参数模型产生复杂装置结构的测量模型的方法及工具。采用这些模型的计量系统经配置以测量与不同半导体制造工艺相关联的结构及材料特性。所述可重复使用的参数子结构模型由模型构建工具的用户输入的一组独立参数来完全定义。...