本发明呈现用于实现跨越计量系统参数的集合的小测量盒大小规格的方法及系统。在测量期间通过选择性约束所述系统参数集合中的一或多者实现所述小测量盒大小规格。测量系统参数(例如照明波长、偏振状态、入射极角及入射方位角)的子集经选择用于测量以维持...

本发明提供用于产生无偏差的晶片缺陷样本的方法及系统。一种方法包含选择由在晶片上执行的多次扫描中的每一者检测的具有在一或多个缺陷属性中的最大相异度的缺陷，使得跨每一扫描选择一组相异缺陷。另外，所述方法可包含选择所述缺陷，使得所选择且为所述...

本发明的方面描述一种智能衔接站。所述智能衔接站可含有允许传感器晶片充电且上传及下载数据的数据传送及电连接。所述智能衔接站可位于工具上方的轨道外存储位置处。此位置使得自动化材料搬运系统AMHS能够取回所述传感器晶片且将其递送到需要分析的工...

本发明揭示一种取放头，其用于从至少一个第一位置拾取多个工件并将所述多个工件放置于至少一个第二位置处。取放头展现多个吸嘴，其中每一吸嘴经配置以通过真空作用接合所述工件中的一者。至少一个吸嘴具有个别真空供应设备且至少两个另外吸嘴具有共享真空...

本发明提供用于高纵横比及大横向尺寸结构的各种度量系统及方法。一种方法包含将光引导到在晶片上形成的一或多个结构。所述光包含紫外光、可见光及红外光。所述一或多个结构包含至少一个高纵横比结构或至少一个大横向尺寸结构。所述方法还包含产生响应于归...

本发明揭示一种用于测量极紫外光EUV检验系统的波前像差的测试结构。所述测试结构包含：衬底，其由对EUV光实质上无反射性的材料形成；及多层ML堆叠部分(例如柱)，其形成于所述衬底上且包括具有不同折射率以反射EUV光的多个交替层对。所述对具...

本发明的方面描述用于通过使用比例因数来校准计量工具的系统及方法。可通过在不同测量条件下测量衬底来获得所述比例因数。接着计算测量计量值及一或多个质量优值。可从此信息确定比例因数。其后，可使用所述比例因数来量化计量测量中的不准确度。还可使用...

本发明呈现在无需来自用户的输入的情况下确定检验情境的方法及系统。检验情境包含至少一个获取模式、缺陷检测参数值及分类参数值。在一个实例中，通过晶片表面的热检验而确定某一数目个缺陷事件。分类所述缺陷事件且识别与每一缺陷事件关联的属性。以此信...

在具有相对所照射(顶部)表面和输出(底部)表面的单晶硅衬底上形成光阴极。为防止所述硅氧化，使用使氧化和缺陷降到最低的方法将薄(例如，1nm到5nm)硼层直接安置于所述输出表面上，并且然后在所述硼层上方形成低功函数材料层以增强光电子的发射...

本发明揭示一种用于执行基于模型的对齐及临界尺寸测量的方法及系统。所述方法包含：利用成像装置来获得针对光掩模指定的测量部位的至少一个光学图像；检索光掩模的设计并利用所述成像装置的计算机模型来产生所述测量部位的至少一个所模拟图像；调整所述计...

本发明提供用于检验晶片及/或预测形成于晶片上的装置的一或多个特性的方法。一种方法包含：获取印刷于晶片上的多个裸片的图像，所述裸片中的每一者是通过对所述晶片执行双重图案化光刻过程而印刷，且所述裸片包含以针对所述双重图案化光刻过程的叠对的标...

试样的结构参数是通过使所述试样的响应的模型拟合到在组合分析中通过不同测量技术所收集的测量来确定。所述试样对至少两种不同测量技术的响应的模型共享至少一共同几何参数。在一些实施例中，模型建立及分析引擎执行X-射线及光学分析，其中至少一共同参...

一个实施例涉及一种用于在制成的衬底上检测缺陷的设备。所述设备包含经布置以从所述制成的衬底获得图像帧的成像工具。所述设备进一步包含数据处理系统，所述数据处理系统包含计算机可读代码，所述计算机可读代码经配置以计算图像帧中的像素的特征且将所述...

在一个实施例中，揭示一种用于检测衬底的两个或两个以上连续层之间或衬底的单个层上的两个或两个以上单独产生的图案之间的叠盖误差的半导体目标。所述目标包括：至少多个第一光栅结构，其具有可由检验工具分辨的粗略间距；及多个第二光栅结构，其相对于所...

本发明揭示一种连续可变间距探针装置，其包含第一探针及第二探针。所述第一探针及所述第二探针经配置以测量导电层的性质。在第一配置中，所述第一探针及所述第二探针包含经布置以接触所述导电层以测量所述性质的相应第一部分。在第二配置中，所述第一探针...

本发明揭示改进的激光器系统及相关联技术，其由接近1064nm的基谐波真空波长产生大约193.368nm的紫外线UV波长。优选实施例分离出至少一级的输入波长的未消耗部分且重新定向所述未消耗部分以在另一级中使用。所述改进的激光器系统及相关联...

本发明涉及一种用于监测掩模聚焦的方法，其包含测量包含亚分辨率辅助特征的目标特征中的轮廓不对称性及基于轮廓与对应掩模的聚焦之间的已知相关导出聚焦响应。计算机系统可在光刻工艺中基于此类所导出的信息调整掩模聚焦以符合所要制造工艺。

本发明揭示用于激光晶体降级补偿的方法及系统。所述方法包含：在频率转换晶体上界定多个位点；确定与所述多个位点中的每一者相关联的降级速率；确定其中位点可在至少一个光束参数的容许变化内连续操作的时间量T，所述时间量T是基于所述至少一个光束参数...

本发明揭示一种优化测量配方，其通过缩减实现满意测量结果所需的测量技术及机器参数范围集合加以确定。测量技术及机器参数范围集合的所述缩减是基于与初始测量模型相关联的可用工艺变化信息及光谱敏感度信息。所述工艺变化信息及所述光谱敏感度信息用以确...

基于跨越半导体晶片的参数变化的模型来确定优化测量模型。全局跨晶片模型依据所述晶片上的位置而表征结构参数。通过使用工艺变化的所述跨晶片模型约束测量模型而优化所述测量模型。在一些实例中，所述跨晶片模型本身为参数化模型。然而，所述跨晶片模型表...