本发明涉及晶片检查。本发明揭示一种经配置以检查晶片的系统，该系统包括照明子系统，其经配置以使由所述照明子系统将多个脉冲光束中的第一者引导到晶片上的区域在时间上早于将所述多个脉冲光束中的第二者引导到所述区域；扫描子系统，其经配置以使所述多...

本文中呈现用于测量通过连续光刻工艺而形成于衬底上的结构之间的叠对误差的方法及系统。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈...

本发明提供用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。一种方法包含：从样本的设计选择一或多个对准目标。所述一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标，其包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。...

本发明描述一种用于提供在其中执行光学接触的湿度受控环境的设备及方法。在使用中，创建具有大体上环境温度的环境。通过使惰性气体流过所述环境进一步控制所述环境的湿度水平。在所述湿度受控环境内，多个子组件接着经光学接触以形成光学组件。

本发明揭示一种用于工件中的缺陷检测的设备、方法及计算机程序产品。提供至少一个光源，且所述光源产生所述工件在其处是透明的波长范围的照明光。相机通过透镜使来自所述工件的至少一个面的所述光成像于所述相机的检测器上。平台用于移动所述工件，且用于...

本发明揭示用于检验半导体样本的方法及设备。在检验工具上，针对一或多个半导体样本的不同所关注层基于此类不同所关注层是否具有存在于此类不同所关注层内或附近的吸收剂类型材料选择多个不同波长范围。在所述检验工具上，在所述不同波长范围引导至少一个...

本发明提供用于发现晶片上的缺陷的系统及方法。一种方法包含通过在晶片的第一扫描中将阈值应用于由检测器产生的输出来检测所述晶片上的缺陷，且确定经检测的缺陷的特征的值。所述方法还包含自动对所述特征排名、识别特征裁切线，以将所述缺陷分组成筐，且...

本发明涉及一种光谱光束轮廓计量系统，其同时检测在大波长范围及大入射角AOI范围内的测量信号。一方面，多波长照明光束在由高数值孔径物镜投射到样品上之前被重新塑形成窄线形状的光束。在与所述样品相互作用之后，收集到的光行进通过波长色散元件，所...

此半导体检验及计量系统包含经配置以接收从晶片反射的光的刀口镜。所述刀口镜定位于所述从所述晶片反射的光的焦点处，使得所述刀口镜上的反射膜经配置以阻挡所述从所述晶片反射的光中的至少一些光。当所述从所述晶片反射的光欠焦或过焦时，受阻挡的光部分...

本发明揭示一种真空卡盘，其具有拉动晶片表面朝向卡紧表面的至少一个吸力组合件。所述吸力组合件可与翘曲的晶片一起使用。吸力使吸力组合件的垫与所述晶片表面接合且使所述吸力组合件的波纹管缩回。当所述波纹管缩回且使所述晶片表面更靠近于所述卡紧表面...

一种用于产生处于大约183nm的输出波长的激光器输出光的激光器组合件包含基频激光器、光学参数系统OPS、五次谐波产生器及混频模块。所述基频激光器产生处于基频频率的基频光。所述OPS产生处于经下变频频率的经下变频信号。所述五次谐波产生器产...

一种用于测量辐射强度及温度的测量晶片装置包含晶片组合件，所述晶片组合件包含一或多个空腔。所述测量晶片装置进一步包含检测器组合件。所述检测器组合件安置于所述晶片组合件的所述一或多个空腔内。所述检测器组合件包含一或多个光传感器。所述检测器组...

本发明提供计量目标设计方法及验证目标。方法包括：使用与经设计计量目标有关的OCD数据作为目标模型与晶片上的对应实际目标之间的差异的估计；及调整计量目标设计模型以补偿所述经估计差异。专属验证目标可包括叠加目标特征且对尺寸进行优化以可由OC...

本发明提供用于确定将对样品执行的计量过程的参数的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，所述一或多个计算机子系统经配置以用于基于针对所述样品的设计而自动产生将在对所述样品执行的计量过程期间利用所述测量子系统测量的所关注区域ROI。...

一个实施例涉及一种用于对在目标衬底上的有缺陷裸片中检测到的缺陷进行自动化复检的方法。所述方法包含：使用次级电子显微镜SEM执行所述缺陷的自动化复检以便获得所述缺陷的电子束图像；执行基于如根据所述电子束图像确定的所述缺陷的形态而将所述缺陷...

本发明涉及一种检验系统，此检验系统具有光学头、支撑系统及与所述支撑系统电通信的控制器。所述支撑系统经配置以向所述光学头提供具有三个自由度的移动。所述控制器经编程以使用所述支撑系统来控制所述光学头的移动，使得所述光学头维持相对于晶片表面的...

本发明提出用于评估多重图案化工艺的性能的方法及系统。测量图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引发的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量主、多重图案化目标且通过信号响应度量SRM测量模型从所述测量数据直接确定所关注参数的值。...

本发明提供用于产生晶片的缺陷样本的方法及系统。一种方法包含将在晶片上检测的缺陷分离到若干分格中，所述分格在所述缺陷的一或多个第一属性的第一集合的值上具有分集。所述方法还包含基于所述缺陷的一或多个第二属性的第二集合中的分集而从所述分格中的...

本发明揭示一种照明系统、一种检验工具及一种用于检验对象的方法。可配置区域光源布置于照明光束路径的照明光轴中，其中所述可配置区域光源经配置使得可设定不同光束直径。至少一个照明透镜定位于所述照明光束路径中以将准直光束至少引导到所述对象的表面...

本发明可包含：测量跨从半导体晶片的第一覆盖目标反射的照明的一部分的光瞳平面的第一相位分布，其中所述第一覆盖目标经制造以具有第一有意覆盖；测量跨从第二覆盖目标反射的照明的一部分的所述光瞳平面的第二相位分布，其中所述第二覆盖目标经制造以具有...