本发明实施例涉及多重图案化参数的测量。本发明呈现用于评估多重图案化工艺的性能的方法和系统。测量经图案化结构且确定特征化由所述多重图案化工艺引起的几何误差的一或多个参数值。在一些实例中，测量单个图案化目标和多重图案化目标，所收集数据拟合到...

一种用于产生激光支持宽带光的系统，其包含：泵浦源，其经配置以产生泵浦光束；气体容纳结构，其用于容纳气体；及多通光学组合件。所述多通光学组合件包含一或多个光学元件，所述一或多个光学元件经配置以执行所述泵浦光束多次通过所述气体的一部分来支持...

缺陷分类包含：获取包含多个缺陷的样本的一或多个图像；基于所述缺陷的属性将所述缺陷分组成缺陷类型群组；从用户接口装置接收指示来自所述群组的选定数目个缺陷的第一手动分类的信号；基于所述第一手动分类及所述缺陷的所述属性产生分类器；使用所述分类...

本发明揭示一种用于监测半导体工厂的自动化系统的一或多个条件的系统，其包含一或多个仪器化衬底、一或多个可密封容器及一或多个系统服务器。所述一或多个仪器化衬底包含一或多个传感器。当所述一或多个可密封容器将一或多个仪器化衬底运送通过所述半导体...

本发明揭示一种基于晶片的预层中的缺陷的坐标来对所述晶片的层成像的系统及方法。可使用当前层的图像以使所述当前层的设计文件与所述晶片对准。先前层的设计文件可与所述当前层的所述设计文件对准。

公开使用图案化晶片几何测量来检测、量化及控制过程引发的非对称图征的系统及方法。所述系统可包含几何测量工具，所述几何测量工具经配置以在晶片经历制作过程之前获得晶片的第一组晶片几何测量，且在所述制作过程之后获得所述晶片的第二组晶片几何测量。...

本发明揭示用于确定半导体结构的高度的设备及方法。所述系统包含：照明模块，其用于引导一或多个源线或点朝向具有处于不同相对高度的多个表面的样品；及收集模块，其用于检测从所述表面反射的光。所述收集模块含有经定位以接收从所述表面中的一者反射的光...

一种检验工具包含控制器，所述控制器经配置以产生电子束的扫描模式以使晶片上的所关注区域成像。所述扫描模式最小化所述电子束在所述晶片的表面上所述所关注区域之间的驻留时间。可基于所述所关注区域选择至少一个载物台速度及至少一个光栅模式。所述控制...

本发明揭示一种电子源的电子提取器，其能够从接近于所述提取器的空腔吸收污染物材料。所述电子提取器包含主体。所述电子提取器的所述主体由一或多种不可蒸发吸气剂材料形成。所述一或多种不可蒸发吸气剂材料吸收容纳于接近于所述电子提取器的所述主体的区...

一种光电阴极利用一体地形成于硅衬底上的场发射极阵列FEA来增强光电子发射，且利用直接安置在所述FEA的输出表面上的薄硼层来阻止氧化。所述场发射极是通过具有安置成二维周期性图案的各种形状(例如，角锥体或经修圆晶须)的突出部形成，且可经配置...

本发明提供计量工具及方法，其估计对应于从周期性目标上的光散射产生的不同衍射级的形貌相位的效应，及调整测量条件以改进测量准确度。在成像中，可通过基于对比函数行为的分析选择适当测量条件、改变照明条件(减小光谱宽度及照明NA)、使用偏光目标及...

本发明公开多引脚探针及用于控制此类多引脚探针以支持并行测量的方法。所述方法可包含：建立多引脚探针与测量对象之间的电接触；从所述多引脚探针中所包含的多个引脚选择两个引脚来作为电流载运引脚；从所述多引脚探针中所包含的所述多个引脚选择多于两个...

本发明揭示一种用于以经光谱滤波的照明源来照明样本的系统，所述系统包含经配置以产生具有第一组波长的照明光束的照明源。此外，所述系统包含波长滤波子系统、样本载台、照明子系统、检测器，及用以聚焦来自一或多个样本的表面的照明且将所述聚集的照明聚...

本发明揭示用于增强使用检验工具检测晶片中的缺陷的检验灵敏度的系统及方法。多个发光二极管照明晶片的至少一部分且获取灰阶图像集合。在所述灰阶图像集合的每一图像中确定残余信号且从所述灰阶图像集合的每一图像减去所述残余信号。基于所述减去后的灰阶...

本发明公开一种在倾斜角多光束点扫描晶片检验系统中产生多个光束线的系统，其包含：光束扫描装置，其经配置以扫描照明光束；物镜，其相对于样本的表面定向成倾斜角，且具有垂直于所述样本上的第一扫描方向的光轴；以及一或多个光学元件，其经定位在所述物...

通过将更负控制电压施加到像素的电阻式控制栅极的中心区域及将更正控制电压施加到所述栅极的端部分实现线性传感器中的像素孔径大小调整。这些控制电压引起所述电阻式控制栅极产生电场，所述电场将在像素的光敏区域的选定部分中产生的光电子驱动到电荷积累...

在本文中呈现用于监测特性化制造在半导体晶片上的不同位置处的一组热点结构的参数的方法及系统。所述热点结构是展现对工艺变化的敏感性且引起必须执行以防止装置故障及低良率的对可允许工艺变化的限制的装置结构。采用经训练热点测量模型以接收通过一或多...

本发明公开用于基于图像自动检测晶片制造过程的状态的方法及装置。所述方法有利地使用片段掩模来提高所述图像的信噪比。接着，针对片段掩模变化计算度量值以确定预测过程不合规性的片段掩模与度量值的一或多个组合。模型可因所述过程而产生。在另一实施例...

本发明揭示一种扫描式电子显微镜系统。所述系统包含电子束源，所述电子束源经配置以产生初级电子束。所述系统包含样品载台，所述样品载台经配置以固定样品。所述系统包含一组电子光学元件，所述组电子光学元件经配置以引导所述初级电子束的至少部分到所述...

本发明揭示一种用于将具有有限能量扩展的电子束引导到样本的可选择性配置系统，其包含：电子源，其用以产生具有包含一或多个能量的能量扩展的电子束；孔隙，其具有轴上开口及偏轴开口；具有可选择性配置焦度的一或多个电子透镜的第一组合件，其经定位以从...