使用图案化晶片几何测量的过程引发的非对称检测、量化及控制制造技术

公开使用图案化晶片几何测量来检测、量化及控制过程引发的非对称图征的系统及方法。所述系统可包含几何测量工具，所述几何测量工具经配置以在晶片经历制作过程之前获得晶片的第一组晶片几何测量，且在所述制作过程之后获得所述晶片的第二组晶片几何测量。所述系统还可包含与所述几何测量工具通信的处理器。所述处理器可经配置以：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而计算几何变化映图；分析所述几何变化映图以检测由所述制作过程引发到晶片几何形状的非对称成分；及基于在所述晶片几何形状中检测到的所述非对称成分而估计由所述制作过程引发的非对称重叠误差。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用图案化晶片几何测量的过程引发的非对称检测、量化及控制相关申请案的交叉参考本申请案根据35U.S.C.§119(e)要求2015年6月22日申请的第62/183,105号美国临时申请案的权利。所述第62/183,105号美国临时申请案的全文以引用方式并入本文。
本公开大体上涉及半导体制作的领域，且更特定来说，涉及过程引发的非对称检测、量化及控制技术。
技术介绍
薄抛光板(例如硅晶片及类似者)是现代技术的极其重要部分。举例来说，晶片可指在制作集成电路及其它装置中使用的半导体材料的薄切片。薄抛光板的其它实例可包含磁盘衬底、规块及类似者。虽然本文所描述的技术主要指晶片，但应理解，所述技术也可适用于其它类型的抛光板。术语晶片及术语薄抛光板可在本公开中互换使用。制作半导体装置通常包含使用数个半导体制作过程处理衬底，例如半导体晶片。举例来说，光刻是涉及将图案从光掩模转印到布置在半导体晶片上的抗蚀层的半导体制作过程。半导体制作过程的额外实例包含但不限制于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。一般来说，针对晶片的平整度及厚度均匀性制定某些要求。然而，在制作期间执行的各种过程步骤可改变沉积在晶片上的薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：在晶片经历制作过程之前，获得所述晶片的第一组晶片几何测量；在所述制作过程之后，获得所述晶片的第二组晶片几何测量：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而计算几何变化映图；分析所述几何变化映图以检测由所述制作过程引发到晶片几何形状的非对称成分；及基于在晶片几何形状中检测到的所述非对称成分而估计由所述制作过程引发的非对称重叠误差。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.22 US 62/183,105;2015.09.28 US 14/867,2261.一种方法，其包括：在晶片经历制作过程之前，获得所述晶片的第一组晶片几何测量；在所述制作过程之后，获得所述晶片的第二组晶片几何测量：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而计算几何变化映图；分析所述几何变化映图以检测由所述制作过程引发到晶片几何形状的非对称成分；及基于在晶片几何形状中检测到的所述非对称成分而估计由所述制作过程引发的非对称重叠误差。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分析步骤进一步包括：至少部分基于所述几何变化映图而计算所述晶片的平面内失真；通过从所述晶片的所述平面内失真移除对称成分而产生经筛选的平面内失真映图；及至少部分基于所述经筛选的平面内失真映图而检测所述非对称成分。3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而产生局部形状曲率映图；及至少部分基于所述局部形状曲率映图而检测所述非对称成分。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述检测所述非对称成分进一步包括：通过从所述局部形状曲率映图移除对称成分而产生经筛选的局部形状曲率映图；及至少部分基于所述经筛选的局部形状曲率映图而检测所述非对称成分。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括：量化所述非对称成分对重叠的影响。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述量化步骤进一步包括：基于在所述局部形状曲率映图内所含有的非对称成分的权重而确定非对称因子；确定所述晶片的所述平面内失真的量值；及基于所述非对称因子及所述晶片的所述平面内失真的所述量值的乘积而量化所述非对称成分对重叠的所述影响。7.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：基于以下项中的至少一个而将所述晶片分类成多个晶片群组中的一个：所述经筛选的平面内失真映图、所述经筛选的局部形状曲率映图及所述非对称成分对重叠的所述影响。8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：在用于控制执行所述制作过程的制作过程工具的反馈控制中报告以下项中的至少一个：所述经筛选的平面内失真映图、所述经筛选的局部形状曲率映图及所述非对称成分对重叠的所述影响。9.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括：在用于控制后续制作过程工具的前馈控制中报告以下项中的至少一个：所述经筛选的平面内失真映图、所述经筛选的局部形状曲率映图及所述非对称成分对重叠的所述影响。10.一种方法，其包括：在晶片经历制作过程之前，获得所述晶片的第一组晶片几何测量；在所述制作过程之后，获得所述晶片的第二组晶片几何测量：基于所述第一组晶片几何测量及所述第二组晶片几何测量而计算几何变化映图；至少部分基于所述几何变化映图而产生以下项中的至少一个：所述晶片的平面内失真映图及局部形状曲率映图；及至少部分基于以下项中的至少一个而检测过程引发的非对称成分：所述晶片的所述平面内失真映图及所述局部形状曲率映图。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述检测所述过程引发的非对称成分进一步包括：通过从所述局部形状曲率映图移除对称成分而产生经筛选的局部形状曲率映图；及至少部分基于所述经筛选的局部形状曲率映图而检测所述过程引发的非对称成分。12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：量化所述过程引...

【专利技术属性】
技术研发人员：佩拉迪·悟卡达拉，J·K·辛哈，J钟·金，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US