晶片检查制造技术

本发明专利技术涉及晶片检查。本发明专利技术揭示一种经配置以检查晶片的系统，该系统包括照明子系统，其经配置以使由所述照明子系统将多个脉冲光束中的第一者引导到晶片上的区域在时间上早于将所述多个脉冲光束中的第二者引导到所述区域；扫描子系统，其经配置以使所述多个脉冲光束跨所述晶片进行扫描；集光子系统，其经配置以使从所述晶片上的所述区域散射的光成像到一个或多个传感器；计算机子系统，其经配置以使用所述一个或多个传感器的所述输出来检测所述晶片上的缺陷。本发明专利技术中的系统可优化检查速度及/或灵敏性。

【技术实现步骤摘要】
晶片检查本申请是申请日为2012年7月10日，申请号为“201280040556.2”，而专利技术名称为“晶片检查”的申请的分案申请。相关申请案的交叉参考本申请案主张2011年7月12日申请的标题为“样本检查系统(SampleInspectionSystem)”的第61/506,892号美国临时申请案的优先权，所述申请案以引用的方式并入本文中，如同在本文中完全陈述一般。
本专利技术大体上涉及经配置以检查晶片的系统。
技术介绍
不应由于下文的描述及实例包含在此章节内而将其视为现有技术。在半导体制造过程期间，在多个步骤使用检查过程来检测晶片上的缺陷，以提高制造过程中的更高良率且因此获得更高的利润。检查一直是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检查对成功地制造可接受的半导体装置愈加重要，因为较小的缺陷可能造成所述装置出现故障。在晶片检查系统中，需要对颗粒、异常及其它类型缺陷具有提高的灵敏性，同时维持总检查速度(以每小时的晶片数计算)。暗场光学检查系统一般使用激光光来以特定图案(个别的点、线或区域)照射晶片且使用集光光学器件将散射光引导在一组对应的传感器上。与照射所述晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经配置以检查晶片的系统，其包括：照明子系统，其经配置以将光脉冲引导到晶片上的区域；扫描子系统，其经配置以使所述光脉冲跨所述晶片进行扫描；集光子系统，其经配置以使从所述晶片上的所述区域散射的光脉冲成像到传感器，其中所述传感器经配置以对一定数目的所述散射光脉冲进行积分，所述散射光脉冲的所述数目少于可成像于所述传感器的整个区域上的所述散射光脉冲的数目，且其中所述传感器经配置以响应于所述积分的散射光脉冲而产生输出；及计算机子系统，其经配置以使用由所述传感器产生的所述输出来检测所述晶片上的缺陷。

【技术特征摘要】
2011.07.12 US 61/506,892;2012.07.09 US 13/544,9541.一种经配置以检查晶片的系统，其包括：照明子系统，其经配置以将光脉冲引导到晶片上的区域；扫描子系统，其经配置以使所述光脉冲跨所述晶片进行扫描；集光子系统，其经配置以使从所述晶片上的所述区域散射的光脉冲成像到传感器，其中所述传感器经配置以对一定数目的所述散射光脉冲进行积分，所述散射光脉冲的所述数目少于可成像于所述传感器的整个区域上的所述散射光脉冲的数目，且其中所述传感器经配置以响应于所述积分的散射光脉冲而产生输出；及计算机子系统，其经配置以使用由所述传感器产生的所述输出来检测所述晶片上的缺陷。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述扫描子系统进一步经配置以通过同时旋转且平移所述晶片而使所述光脉冲跨所述晶片进行扫描，且其中所述传感器包括矩形像素阵列。3.根据权利要求1所述的系统，其中由所述传感器积分的所述数目的脉冲是所述散射光的一个脉冲，且其中所述传感器在所述散射光的所述一个脉冲的持续时间内进行积分且接着响应于所述散射光的所述一个脉冲而转移任何电荷离开所述传感器。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光子系统包括一个或多个变形光学元件，所述一个或多个变形光学元件经配置以使所述散射光脉冲中的一者中的所有所述散射光成像到所述传感器的仅一个像素。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述传感器在所述散射光的脉冲的持续时间内进行单向积分且接着响应于所述散射光的所述脉冲而双向转移任何电荷离开所述传感器。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述传感器包括图像增强器及区域传感器，且其中所述传感器在所述散射光的脉冲的持续时间内进行积分且直到对应于所述散射光的所述脉冲的所述图像增强器的所有磷光体能量已经完全衰减为止。7.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括光学元件，所述光学元件经配置以分离在所述集光子系统的集光数值孔径的不同区段中收集的所述散射光的所述脉冲，其中所述传感器进一步经配置以检测所述不同区段中的一者，且其中所述系统进一步包括经配置以检测所述不同区段中的另一者的另一传感器。8.根据权利要求7所述的系统，其中所述系统进一步经配置以取决于待由所述传感器检测的所述不同区段中的所述一者及待由所述另一传感器检测的所述不同区段中的所述另一者而更改或更换所述光学元件。9.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括光学元件，所述光学元件经配置以分离在所述集光子系统的集光数值孔径的不同区段中收集的所述散射光的所述脉冲，其中所述传感器进一步经配置以使用所述传感器的一部分检测所述不同区段中的一者且使用所述传感器的不同部分检测所述不同区段中的另一者，且其中所述传感器的所述一部分及所述不同部分在所述传感器上彼此不重叠且不邻接。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述集光子系统包括散射光集光器，其具有非完全衍射限制的分辨率。11.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括额外传感器，所述额外传感器包含图像增强器，其中所述集光子系统进一步经配置以将从所述晶片上的所述区域散射的所述光脉冲成像到所述额外传感器，其中所述额外传感器响应于所述散射光脉冲而产生额外输出，且其中所述计算机子系统进一步经配置以当传感器电子噪声主导所述传感器中的总通道噪声时使用所述额外输出代替所述输出来检测所述晶片上的所述缺陷。12.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括经配置用于光子计数的额外传感器，其中所述集光子系统进一步经配置以使从所述晶片上的所述区域散射的所述光脉冲成像到所述额外传感器，其中所述额外传感器响应于所述散射光脉冲而产生额外输出，且其中所述计算机子系统进一步经配置以使用所述额外输出来检测所述晶片上的所述缺陷。13.根据权利要求1所述的系统，其中所述照明子系统包括频率转换激光器，且其中被引导到所述晶片上的所述区域的所述光脉冲在所述光脉冲的持续时间内在空间上无变化且在所述光脉冲的所述持续时间内具有实质上恒定的强度。14.根据权利要求13所述的系统，其中所述照明子系统进一步包括耦合到所述激光的光束整形光学元件。15.根据权利要求1所述的系统，其中所述照明子系统包括频率转换激光器，且其中被引导到所述晶片上的所述区域的所述光脉冲在所述光脉冲的持续时间内具有实质上恒定的强...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿纳托利·罗曼诺夫斯基，伊万·马列夫，丹尼尔·卡瓦尔德杰夫，尤里·尤迪特斯凯，迪尔克·沃尔，史蒂文·比耶拉卡，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US