用于精确光致抗蚀剂轮廓预测的模型制造技术

一种光致抗蚀剂模型化系统包含用于光刻工艺的数学模型。可使用计算机处理器执行所述数学模型。所述数学模型可用于将光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。嵌段聚合物浓度梯度方程式可实施到所述数学模型中。所述嵌段聚合物浓度梯度方程式可描述由所述数学模型模型化的所述光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的初始浓度梯度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优先权主张本专利主张2014年3月17日申请的第61/954,592号美国临时专利申请案的优先权，所述临时专利申请案的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及在半导体处理期间使用的光致抗蚀剂。更特定地说，本专利技术涉及用于预测半导体表面上的光致抗蚀剂轮廓的方法。
技术介绍
在光致抗蚀剂沉积于半导体表面上之后预测及精确描述光致抗蚀剂剖面形状是对于光致抗蚀剂质量的重要度量。光致抗蚀剂的薄剖面可引起随后半导体处理期间的短路或中断且导致由半导体处理产生的半导体装置的故障或降低性能。举例来说，在蚀刻工艺期间，需要光致抗蚀剂的最小厚度以将光致抗蚀剂图案适当转印到下伏表面(例如，半导体衬底)中。已使用表面抑制/增强模型来尝试预测光致抗蚀剂行为及光致抗蚀剂显影期间的高度损耗且取得了一些可测量的成功。当前表面抑制/增强模型通常预测具有圆形顶隅角及相对平坦顶表面的光致抗蚀剂剖面。图1描绘使用当前表面抑制/增强模型找到的光致抗蚀剂轮廓的实例的剖面表示。光致抗蚀剂102经模型化为形成于半导体晶片100上。如在图1中展示，光致抗蚀剂102具有带有圆形顶隅角及相对平坦顶表面的剖面轮廓。然而，实验性剖面数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光致抗蚀剂模型化系统，其包括：用于光刻工艺的数学模型，其可使用计算机处理器执行；及嵌段聚合物浓度梯度方程式，其实施到所述数学模型中，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述由所述数学模型模型化的光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的浓度梯度；其中所述数学模型用于将所述光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.17 US 61/954,592;2014.03.20 US 14/220,4461.一种光致抗蚀剂模型化系统，其包括：用于光刻工艺的数学模型，其可使用计算机处理器执行；及嵌段聚合物浓度梯度方程式，其实施到所述数学模型中，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述由所述数学模型模型化的光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的浓度梯度；其中所述数学模型用于将所述光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述所述光致抗蚀剂中的所述嵌段聚合物的初始浓度梯度。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度在所述光致抗蚀剂的界面处调整到所述嵌段聚合物的整体浓度的选定值。4.根据权利要求3所述的系统，其中所述选定值比所述嵌段聚合物的所述整体浓度低约20％与约40％之间。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述在所述光致抗蚀剂的表面附近的减小嵌段聚合物浓度，且其中所述嵌段聚合物浓度随着浓度移动到所述光致抗蚀剂中而增大。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述在所述光致抗蚀剂的表面附近的增大嵌段聚合物浓度，且其中所述嵌段聚合物浓度随着浓度移动到所述光致抗蚀剂中而减小。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式将所述光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的所述浓度梯度描述为指数函数。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述数学模型包括表面抑制/增强模型。9.根据权利要求1所述的系统，其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式包括方程式：M＝(R-1)e-z/δ+1；其中M是所述嵌段聚合物浓度，R是浓度减小的分率，δ是所述减小的深度，且z是距所述界面的距离。10.一种用于模型化光致抗蚀剂剖面轮廓的方法，其包括：使用用于光刻工艺的数学模型将光致抗蚀剂的光致抗蚀剂轮廓模型化为形成于半导体晶片表面上，使...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·D·史密斯，J·J·比亚福尔，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US