公开一种用于产生运动分布曲线的系统。所述系统包含控制器。所述控制器接收置物台的目标位置。所述控制器产生用于将所述置物台过渡到所述目标位置的运动分布曲线。所述运动分布曲线包含具有依据时间而变化的一或多个区段的加速度分布曲线。所述控制器通过...

本申请是关于在电压对比晶片检验中用于溢流充电及图像形成的联合光电柱。一扫描电子显微镜系统可包含光电子系统及控制器。该光电子系统可包含：电子源；及光电柱，其经配置以将电子束引导到样本。该光电柱可包含：双透镜组合件；束限制孔径，其经安置于该...

本发明公开一种自动聚焦系统。所述系统包含照明源。所述系统包含孔径。所述系统包含投影掩模。所述系统包含检测器组合件。所述系统包含中继系统，所述中继系统经配置以将透射穿过所述投影掩模的照明光学地耦合到成像系统。所述中继系统还经配置以将一或多...

本申请涉及具有低原子序数低温标靶的激光生成等离子体照明器。将经高度聚焦短持续时间激光脉冲引导到低原子序数经低温冻结标靶，从而点燃等离子体。在一些实施例中，标靶材料包含具有小于19的原子序数的一或多种元素。在一些实施例中，低原子序数低温标...

本文中呈现用于基于可重用参数模型产生复杂半导体结构的测量模型的方法及系统。在一些实施例中，所述可重用参数模型实现具有复杂形状轮廓的大高宽比(HAR)结构的测量。在这些实施例中，可重用参数模型包含各自通过不同形状轮廓表征的多个几何区段。每...

本申请涉及用于大型偏移裸片对裸片检验的多步骤图像对准方法。可使用方法或系统来使裸片对裸片检测图像对准，所述方法或系统经配置以：接收参考图像及测试图像；从所述参考图像及所述测试图像上的局部区段确定全局偏移及旋转角；及在执行精细对准之前执行...

本文中提出用于执行半导体结构的多遍次光学测量的方法及系统。测量光束多于一次地入射在半导体晶片的表面上。在一些实施例中，测量光束在照明源与检测器之间的光学路径中多次入射在半导体晶片上的相同测量位点处。在一些其它实施例中，测量光束在照明源与...

一种测量系统可将包含第一频梳或第二频梳中的至少一者的照明光束引导到样本，且基于所述第一频梳及所述第二频梳而产生所述样本的图像序列。所述系统可包含一或多个写码光学元件以将与一或多个转移矩阵元素相关联的数据编码到所述样本的所述图像序列中。所...

一种叠加计量系统可基于叠加目标的不同层上的特征的隔离图像产生叠加测量。例如，目标可包含第一层结构，所述第一层结构包含具有经选择而无法由所述叠加计量系统分辨的精细节距的周期性特征，其中光栅结构经定向以使经旋转衍射级的偏振相对于入射照明的偏...

一种计量系统可包含用于产生照明光束的光源，及经配置以将所述照明光束引导到样本且收集来自所述样本的样本光的光谱计量子系统。所述光谱计量子系统可包含具有照明偏光器或照明补偿器中的至少一者的照明光学器件，及具有集光偏光器或集光补偿器中的至少一...

本发明涉及用于缺陷分类的方法和系统。所述方法包含：获取样本的一或多个图像；接收基于一或多个训练缺陷的一或多个属性对所述一或多个训练缺陷的手动分类；基于所述经接收的手动分类和所述一或多个训练缺陷的所述属性产生整体学习分类器；基于经接收的分...

提供用于确定具有未知图案及未知图案可重复性的区域的信息的方法及系统。所述系统的一或多个计算机系统经配置用于分别检测样品的设计中的第一及第二行中的第一及第二多边形。所述第一及第二行具有垂直于所述设计中的已知区域的边缘的从所述行的内边界到所...

本发明提供用于确定样品的信息的方法及系统。一种系统包含计算机子系统及由所述计算机子系统执行的一或多个组件，所述一或多个组件包含设置深度学习(DL)模型，所述设置DL模型经配置用于基于由检验系统的两种或更多种模式中的每一者分别针对样品产生...

一种计量系统用于测量其中顶部晶片安置在载体晶片上的经键合晶片。成像系统产生所述经键合晶片的圆周边缘的晶片边缘轮廓图像。可将所述晶片边缘轮廓图像转换为灰度。可在所述晶片边缘轮廓图像中的每一者中确定所述经键合晶片的边缘。可将所述晶片边缘轮廓...

提供用于图像对齐的方法及系统。一种方法包含使针对样本所产生的图像中的候选对齐目标图像单独对齐到设置对齐目标的对应设置图像，所述设置对齐目标经选择以具有所述设置对齐目标的位置与参考位置之间的相互线性独立向量。所述方法还包含针对成功对齐到其...

本申请涉及非线性光学晶体的原位钝化。在特性化工具的操作期间原位钝化非线性光学NLO晶体包含：经由非线性光学NLO晶体将选定波长的激光束转换成谐波波长的经转换激光束，且在转换成所述谐波波长的所述经转换激光束期间钝化所述NLO晶体。

本发明提供一种用于生长四硼酸锶(SrB4O7)晶体的方法。所述方法包含将籽晶降低到熔体中，所述熔体具有包括Sr、B、O及Cl的源的混合物。所述方法还包含将所述混合物加热及熔化到足以形成四硼酸锶晶体的温度。

提供用于为模式选择过程选择模式的方法及系统。一种系统包含计算机子系统，其经配置用于从用成像子系统的不同模式的初始子集针对样本产生的图像确定所述样本的信息及所述信息的特性的至少一个值。所述计算机子系统还经配置用于基于所述特性的所述确定的至...

基于在工件的布局内随机缺陷的初始发生概率，选择所述工件上所述初始概率高于阈值的位置的子集。按照图案形状对位置的所述子集进行分组。针对所述图案形状中的每一者确定预期缺陷计数。接着，选择所述图案形状的子集进行修复。

提供用于半导体应用的对准的方法及系统。一种方法包含通过分别用不同对准方法将由成像子系统产生的形成在样品上的对准目标的多个例子的图像单独对准到所述对准目标的所渲染图像来针对所述对准目标的所述多个例子确定不同对准到设计偏移。所述方法还包含识...