确定样本上的关注区域的坐标制造技术

本发明专利技术提供用于确定样本上的关注区域的坐标的系统及方法。一种系统包含经配置用于针对被检验的样本上的关注区域识别最接近所述关注区域定位的一或多个目标的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统也经配置用于使所述一或多个目标的一或多个图像与针对所述样本的参考对准。所述目标的所述图像及所述关注区域的图像是由检验子系统在所述样本的检验期间获取。所述计算机子系统进一步经配置用于基于所述对准的结果确定所述目标的所述图像与所述参考之间的偏移，且基于所述偏移及由所述检验子系统报告的所述关注区域的坐标确定所述关注区域的经修改坐标。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于确定样本上的关注区域的坐标的方法及系统。
技术介绍
以下描述及实例不因其包含于此段落中而被认为是现有技术。可使用例如电子设计自动化(EDA)、计算机辅助设计(CAD)及其它IC设计软件的方法或系统开发集成电路(IC)设计。此类方法及系统可用于从IC设计产生电路图案数据库。电路图案数据库包含表示针对IC的多种层的多个布局的数据。电路图案数据库中的数据可用于确定多个光罩的布局。光罩的布局通常包含界定光罩上的图案中的特征的多个多边形。每一光罩用于制造IC的多种层中的一者。IC的层可包含(例如)半导体衬底中的结图案、栅极电介质图案、栅极电极图案、层间电介质中的接触图案及金属化层上的互连图案。如本文中所使用的术语“设计数据”通常是指IC的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔运算而从物理设计导出的数据。制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含：使用大量半导体制造工艺处理例如半导体晶片的衬底以形成半导体装置的多种特征部及多个层级。举例来说，光刻是涉及从光罩转印图案到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以某一布置制造于单个半导体晶片上且接着被分成个别半导体装置。在半导体制造工艺期间的多种步骤处使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进制造工艺中的更高良率且因此促进更高利润。检验始终是制造半导体装置(例如IC)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更为重要，这是因为较小缺陷可导致装置发生故障。然而，随着设计规则缩减，半导体制造工艺可更接近对工艺的性能能力的限制操作。另外，随着设计规则缩减，较小缺陷可对装置的电参数产生影响，这驱动更灵敏检验。因此，随着检验规则缩减，由检验检测到的潜在良率相关缺陷的群体急剧增长，且由检验检测到的干扰缺陷的群体也急剧增加。因此，可在晶片上检测到越来越多缺陷且校正工艺以消除全部缺陷可为困难且昂贵的。最近，检验系统及方法日益经设计以集中于缺陷与设计之间的关系，这是因为对针对晶片的设计的影响将确定缺陷是否重要及重要程度。举例来说，已开发用于使检验与设计坐标对准的一些方法。一种此方法取决于与设计的检验系统坐标配准的准确性。另一此方法涉及在检验图像图块及相关联的设计片段上进行后处理对准。然而，许多现有检验系统及方法存在若干缺点。举例来说，当方法取决于与设计的检验系统坐标配准的准确性时，方法不一定提供需要的对准准确性。另外，检验图像图块及相关联的设计片段上的后处理对准取决于具有检验图块及设计片段中的足够信息。通常的情况是未满足此准则且相关缺陷不可用于分析的剩余部分中，或更糟的是不良数据被传播通过分析的剩余部分，由此减小结果的准确性。因此，开发无上文所描述的一或多个缺点的用于确定样本上的关注区域的坐标的系统及方法将是有利的。
技术实现思路
不可以任何方式将多种实施例的以下描述理解为限制所附权利要求书的标的物。一个实施例涉及一种系统，其经配置以确定样本上的关注区域的坐标。所述系统包含检验子系统，所述检验子系统至少包含能源及检测器。所述检验子系统经配置以在样本上方扫描由所述能源产生的能量，同时所述检测器检测来自所述样本的能量且响应于所述检测到的能量而产生图像。所述系统包含经配置用于针对被检验的另一样本上的关注区域识别最接近所述关注区域定位的一或多个目标的一或多个计算机子系统。所述一或多个计算机子系统也经配置用于使所述一或多个目标的一或多个图像与所述另一另一样本的参考对准。所述一或多个目标的所述一或多个图像及所述关注区域的图像由所述检验子系统在所述另一另一样本的检验期间获取。另外，所述一或多个目标经配置用于基于所述对准的结果确定所述一或多个目标的所述一或多个图像与所述参考之间的偏移且基于所述偏移及由所述检验子系统报告的所述关注区域的坐标确定所述关注区域的经修改坐标。可如本文中所描述那样进一步配置所述系统。另一实施例涉及一种方法，其用于确定样本上的关注区域的坐标。所述方法包含针对被检验的样本上的关注区域识别最接近所述关注区域的一或多个目标。所述方法还包含使所述一或多个目标的一或多个图像与针对所述样本的参考对准。所述一或多个目标的所述一或多个图像及所述关注区域的图像由检验系统在所述样本的检验期间获取。另外，所述方法包含基于所述对准的结果确定所述一或多个目标的所述一或多个图像与所述参考之间的偏移。所述方法进一步包含基于所述偏移及由所述检验系统报告的所述关注区域的坐标确定所述关注区域的经修改坐标。由一或多个计算机系统执行所述识别、对准、确定所述偏移及确定所述经修改坐标。可如本文中进一步描述那样进一步执行上文中所描述的方法的步骤中的每一者。另外，上文中所描述的方法的实施例可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，上文中所描述的方法可由本文中所描述的所述系统中的任何者执行。另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以执行用于确定样本上的关注区域的坐标的计算机实施的方法的程序指令。所述计算机实施的方法包含上文中所描述的方法的步骤。可如本文中所描述那样进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文中进一步描述那样执行计算机实施的方法的步骤。另外，可针对其执行程序指令的计算机实施的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。附图说明在受益于优选实施例的以下详细描述的情况下且在参考附图时，所属领域的技术人员将变得了解本专利技术的另外优点，其中：图1及1a是说明经配置以确定样本上的关注区域的坐标的系统的实施例的侧视图的示意图；图2到3是说明可由本文中所描述的系统执行的步骤的不同实施例的流程图；图4是说明样本上的目标及所述样本上的关注区域的实施例的平面图的示意图；及图5是说明存储用于导致计算机系统执行本文中所描述的计算机实施的方法的程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图。虽然本专利技术易于以多种修改及替代形式呈现，但本专利技术的特定实施例通过图式中的实例展示且在本文中被详细描述。图式可不按比例。然而，应理解，图式及另外详细描述不希望将本专利技术限制于所揭示的特定形式，而相反，本专利技术将涵盖如由所附权利要求书界定的落于本专利技术的精神及范围内的全部修改、等效物及替代物。具体实施方式本文中使用的术语“设计”及“设计数据”通常是指IC的物理设计(布局)及通过复杂模拟或简单几何及布尔运算而从物理设计导出的数据。另外，由光罩检验系统获取的光罩的图像及/或其衍生物可用作对于设计的“代理”。此光罩图像或其衍生物可在使用设计的本文中所描述的任何实施例中充当对于设计布局的取代物。设计可包含共同拥有的2009年8月4日颁予扎法尔(Zafar)等人的第7,570,796号美国专利及2010年3月9日颁予库尔卡尼(Kulkarni)等人的第7,676,077号专利中描述的任何其它设计数据或设计数据代理，所述专利都以宛如全文陈述引用的方式并入本文中。另外，设计数据可为标准单元库数据、集成布局数据、关于一或多个层的设计数据、设计数据的衍生物及完全或部分芯片设计数据。然而，一般来说，不可通过使用晶片检验系统对晶片成像而产生设计信息或数据。举例来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经配置以确定样本上的关注区域的坐标的系统，其包括：检验子系统，其至少包括能源及检测器，其中所述检验子系统经配置以在样本上方扫描由所述能源产生的能量，同时所述检测器检测来自所述样本的能量且响应于所述检测到的能量而产生图像；及一或多个计算机子系统，其经配置用于：针对被检验的另一样本上的关注区域，识别最接近所述关注区域定位的一或多个目标；使所述一或多个目标的一或多个图像与所述另一样本的参考对准，其中所述一或多个目标的所述一或多个图像及所述关注区域的图像是由所述检验子系统在所述另一样本的检验期间获取；基于所述对准的结果确定所述一或多个目标的所述一或多个图像与所述参考之间的偏移；及基于所述偏移及由所述检验子系统报告的所述关注区域的坐标确定所述关注区域的经修改坐标。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.22 US 62/027,402;2015.05.18 US 62/163,325;1.一种经配置以确定样本上的关注区域的坐标的系统，其包括：检验子系统，其至少包括能源及检测器，其中所述检验子系统经配置以在样本上方扫描由所述能源产生的能量，同时所述检测器检测来自所述样本的能量且响应于所述检测到的能量而产生图像；及一或多个计算机子系统，其经配置用于：针对被检验的另一样本上的关注区域，识别最接近所述关注区域定位的一或多个目标；使所述一或多个目标的一或多个图像与所述另一样本的参考对准，其中所述一或多个目标的所述一或多个图像及所述关注区域的图像是由所述检验子系统在所述另一样本的检验期间获取；基于所述对准的结果确定所述一或多个目标的所述一或多个图像与所述参考之间的偏移；及基于所述偏移及由所述检验子系统报告的所述关注区域的坐标确定所述关注区域的经修改坐标。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述关注区域是在所述另一样本上的在所述另一样本的所述检验期间检测到有缺陷的区域。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述关注区域是在所述另一样本上的在所述另一样本的所述检验期间检测到有缺陷的区域，且其中在已检测到所述缺陷之后且在由所述检验子系统完成对所述另一样本的所述检验的图像获取之后，所述一或多个计算机子系统识别所述一或多个目标。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述关注区域是其中在所述另一样本的所述检验期间检测到缺陷的在所述另一样本上的区域，且其中在由所述检验子系统执行用于所述另一样本的所述检验的针对所述另一样本的图像获取时所述一或多个计算机子系统识别所述一或多个目标。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述经修改坐标是设计空间坐标。6.根据权利要求1所述的系统，其中识别所述一或多个目标包括从一组对准目标选择所述一或多个目标，且其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于：使所述样本的所述图像与所述样本的设计信息对准以确定所述样本的所述图像中的一或多个特征的设计空间坐标，确定所述对准针对所述样本的所述图像的结果的一或多个特性，以及以基于所述一或多个特性确定的跨越所述设计的频率在针对所述另一样本的设计内选择所述组对准目标。7.根据权利要求6所述的系统，其中所述一或多个特性是在所述对准所述样本的所述图像的所述结果中的误差的一或多个特性。8.根据权利要求6所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于产生用于所述另一样本的所述检验的配方，使得在所述另一样本的所述检验期间，所述检验子系统获取所述组对准目标的所述图像。9.根据权利要求8所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于存储所述组对准目标的所述图像，使得在已完成在所述另一样本的所述检验期间执行的对所述另一样本的扫描之后，所述经存储图像可供使用。10.根据权利要求8所述的系统，其中所述检验子系统进一步获取所述另一样本上的在所述检验期间将进行缺陷检验的其它位置处的图像，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于基于在所述其它位置处获取的所述另一样本的所述图像而检测所述另一样本上的所述缺陷，且其中检测所述缺陷包括确定所述缺陷的位置。11.根据权利要求10所述的系统，其中检测所述缺陷并非是基于所述组对准目标的所述图像执行。12.根据权利要求10所述的系统，其中选择所述组对准目标是在所述另一样本的所述检验之前由所述一或多个计算机子系统执行的。13.根据权利要求10所述的系统，其中选择所述组对准目标是在所述另一样本的所述检验期间且在检测到所述缺陷中的至少一者之后由所述一或多个计算机子系统执行的。14.根据权利要求10所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于存储所述组对准目标的所述图像，使得在已完成在所述另一样本的所述检验期间执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·达菲，M·莱内克，李昌镐，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US