用于在单个检验过程中的多个过程步骤的检验制造技术

本发明专利技术提供用于检测晶片上的缺陷的各种实施例。一种方法包含获取通过检验系统在已对晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行的检验过程期间针对所述晶片产生的输出。所述第一及第二过程步骤包含分别形成所述晶片上的设计的第一及第二部分。所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥。所述方法还包含基于所述输出检测所述晶片上的缺陷且确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置。另外，所述方法包含基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于在对晶片执行多个过程步骤之后检验所述晶片且确定对应于由检验检测的缺陷的过程步骤的系统及方法。
技术介绍
以下描述及实例不因其包含于此段落中而被承认是现有技术。在半导体制造过程期间的各种步骤处使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进制造过程中的更高良率及因此更高利润。检验始终是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检验对于可接受半导体装置的成功制造变得更为重要，这是因为较小缺陷可导致装置发生故障。当前，使用单个检验步骤针对偏离及性能监测每一过程步骤。举例来说，晶片可经受特定过程步骤(例如，化学气相沉积(CVD)、沉积、蚀刻或类似半导体制造步骤)。接着，将晶片传送到检验工具以针对缺陷率及其它过程相关的问题进行检验。在一个此实例中，可在过程步骤A中处理晶片，如图7的步骤700中所展示。接着，可将晶片从执行过程步骤A的过程工具传送到用于检验/重检A的一或多个其它工具(检验及/或重检工具)，如步骤702中所展示。接着，可将晶片从检验及/或重检工具传送到用于过程步骤B的另一过程工具，如步骤704中所展示。可再次将晶片从执行过程步骤B的过程工具传送到用于检验/重检B的一或多个其它工具(检验及/或重检工具)，如步骤706中所展示。因此，可在图7中所展示的不同检验/重检过程中产生不同结果。举例来说，由检验/重检A产生的检验结果可包含图7中所展示的晶片图708及帕累托(pareto)图710。晶片图708可展示在过程A之后在晶片上检测的缺陷的位置，而帕累托图710可展示在过程A之后在晶片上检测的不同类型的缺陷或事件的数目。另外，由检验/重检B产生的检验结果可包含图7中所展示的晶片图712及帕累托图714。晶片图712可展示在过程B之后在晶片上检测的缺陷的位置，而帕累托图714可展示在过程B之后在晶片上检测的不同类型的缺陷或事件的数目。因此，当前方法论仅涵盖过程与检验之间的一对一相关性。换句话说，每一检验步骤与其一个相应过程步骤相关。以此方式，当前方法论以靠其中来自检验工具的任何结果可直接用于了解来自过程工具的过程问题的简单相关性。然而，此类当前方法论存在若干缺点。举例来说，对于待监测的多个过程步骤，当前方法在检验工具上需要额外时间及努力(例如，对于2个过程步骤需要2倍时间及努力，对于3个过程步骤需要3倍时间及努力及等等)。另外，当前方法论需要将晶片从第一过程工具传送到检验工具又将其传送回到第二过程工具(且在也将监测第二过程工具的情况下重复传送回到检验工具)的额外步骤。此额外晶片传送增加制作中的排队时间。全部晶片传送还引入在工具之间进行传送期间对晶片造成颗粒污染的可能性。因此，开发用于检测晶片上的缺陷而无上文中所描述的一或多个缺点的方法及系统将是有利的。
技术实现思路
各种实施例的以下描述绝不解释为限制所附权利要求书的标的物。一个实施例涉及一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统。所述系统包含光学子系统，所述光学子系统包含至少光源及检测器。所述光学子系统经配置以在对所述晶片执行的检验过程期间将由所述光源产生的光引导到所述晶片且使用所述检测器检测来自所述晶片的光。所述检验过程是在已对所述晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行。所述晶片的检验不在所述第一及第二过程步骤之间执行。所述第一过程步骤包含在所述晶片上形成针对所述晶片的设计的第一部分，且所述第二过程步骤包含在所述晶片上形成针对所述晶片的所述设计的第二部分。所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥。所述系统还包含一或多个计算机子系统，其经配置用于接收由所述检测器响应于由所述检测器检测到的光产生的输出。所述计算机子系统还经配置用于基于所述输出检测所述晶片上的缺陷。另外，所述计算机子系统经配置用于确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置且基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。可根据本文中所描述的任何实施例进一步配置所述系统。另一实施例涉及一种用于检测晶片上的缺陷的计算机实施方法。所述方法包含获取由检验系统在对晶片执行的检验过程期间针对所述晶片产生的输出。所述检验过程是在已对所述晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行。所述晶片的检验不在所述第一及第二过程步骤之间执行。所述第一过程步骤包含在所述晶片上形成针对所述晶片的设计的第一部分，且所述第二过程步骤包含在所述晶片上形成针对所述晶片的所述设计的第二部分。所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥。所述方法还包含基于所述输出检测所述晶片上的缺陷。另外，所述方法包含确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置。所述方法进一步包含基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。可如本文中所描述那样进一步执行上文中所描述的方法的步骤中的每一者。另外，上文中所描述的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，上文中所描述的方法可由本文中所描述的所述系统中的任何者执行。另一实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其含有存储于其中的用于致使计算机系统执行用于检测晶片上的缺陷的计算机实施方法的程序指令。所述计算机实施方法包含上文中所描述的方法的步骤。可如本文中所描述那样进一步配置所述计算机可读媒体。可如本文中进一步描述那样执行方法的步骤。另外，所述方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步骤。附图说明在受益于优选实施例的以下详细描述的情况下且在参考附图之后，所属领域的技术人员将明白本专利技术的进一步优点，其中：图1是说明根据本文中所描述的实施例配置的系统的一个实施例的侧视图的示意图；图2是说明形成于晶片上的针对所述晶片的设计的不同部分的一个实例的横截面图的示意图；图3是说明形成于晶片上的针对所述晶片的设计的不同部分的一个实例的平面图的示意图；图4到5是说明可由本文中所描述的系统执行的功能的实施例的流程图；图6是说明包含可在计算机系统上执行用于执行本文中所描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图；及图7是说明用于检测晶片上的缺陷的当前使用的方法的一个实例的流程图。虽然本专利技术易于以各种修改及替代形式呈现，但本专利技术的特定实施例通过图式中的实例展示且在本文中经详细描述。图式可不按比例绘制。然而，应了解，图式及另外详细描述不希望将本专利技术限于所揭示的特定形式，而相反，本专利技术将涵盖落于如由所附权利要求书界定的本专利技术的精神及范围内的全部修改、等效物及替代物。具体实施方式现参考图式，应注意，图未按比例绘制。特定来说，在很大程度上放大图的一些元件的尺度以强调元件的特性。还应注意，所述图未按相同比例绘制。已使用相同元件符号指示可经类似配置的展示于一个以上图中的元件。除非本文中另有指明，否则所描述且展示的任何元件可包含任何合适市售元件。一个实施例涉及一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统。在图1中展示此系统的一个实施例。系统100包含光学子系统102，如本文中进一步描述那样配置所述光学子系统102。系统还可包含经配置用于如本文中进一步描述那样使用由光学子系统产生的输出执行一或多个步骤的计算机子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统，其包括：光学子系统，其包括至少光源及检测器，其中所述光学子系统经配置以在对所述晶片执行的检验过程期间将由所述光源产生的光引导到所述晶片且使用所述检测器检测来自所述晶片的光，其中所述检验过程是在已对所述晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行，其中所述晶片的检验不在所述第一及第二过程步骤之间执行，其中所述第一过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的设计的第一部分，其中所述第二过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的所述设计的第二部分，且其中所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥；及一或多个计算机子系统，其经配置用于接收由所述检测器产生的响应于由所述检测器检测的所述光的输出，基于所述输出检测所述晶片上的缺陷，确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置，且基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.07.29 US 62/030,074;2015.07.27 US 14/809,7741.一种经配置以检测晶片上的缺陷的系统，其包括：光学子系统，其包括至少光源及检测器，其中所述光学子系统经配置以在对所述晶片执行的检验过程期间将由所述光源产生的光引导到所述晶片且使用所述检测器检测来自所述晶片的光，其中所述检验过程是在已对所述晶片执行至少第一及第二过程步骤之后执行，其中所述晶片的检验不在所述第一及第二过程步骤之间执行，其中所述第一过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的设计的第一部分，其中所述第二过程步骤包括在所述晶片上形成针对所述晶片的所述设计的第二部分，且其中所述设计的所述第一及第二部分在所述晶片上在空间中互斥；及一或多个计算机子系统，其经配置用于接收由所述检测器产生的响应于由所述检测器检测的所述光的输出，基于所述输出检测所述晶片上的缺陷，确定所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的位置，且基于所述缺陷相对于所述设计的所述第一及第二部分的所述位置使所述缺陷的不同部分与所述第一或第二过程步骤相关联。2.根据权利要求1所述的系统，其中确定所述缺陷的所述位置包括使由所述检测器产生的针对所述缺陷的所述输出与所述设计的所述第一或第二部分对准。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于取样所述经检测缺陷的部分，其中所述系统进一步包括经配置以产生所述经检测缺陷的所述经取样部分的图像的缺陷重检子系统，且其中确定所述缺陷的所述位置包括使所述经检测缺陷的所述经取样部分的图像与所述设计的所述第一或第二部分对准。4.根据权利要求3所述的系统，其中取样所述经检测缺陷的所述部分包括从基于所述缺陷跨所述晶片的空间分布确定的所述缺陷的不同子群体随机选择缺陷。5.根据权利要求3所述的系统，其中所述缺陷重检子系统包括基于电子束的缺陷重检子系统。6.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于确定与所述第一及第二过程步骤中的一者相关联的所述缺陷的所述不同部分中的一者的一或多个特性。7.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于分别与所述第一及第二过程步骤相关联的所述缺陷的所述不同部分分别针对所述第一及第二过程步骤产生第一及第二检验结果。8.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置用于基于分别与所述第一及第二过程步骤相关联的所述缺陷的所述不同部分单独监测所述第一及第二过程步骤。9.根据权利要求1所述的系统，其中使用仅针对所述设计的所述第一部分的信息执行所述第一过程步骤，其中使用仅针对所述设计的所述第二部分的信息执行所述第二过程步骤，且其中使用针对所述设计的所述第一及第二部分两者的所述信息执行确定所述缺陷的所述位置。10.根据权利要求1所述的系统，其中所述设计的所述第一及第二部分互斥的所述空间是在大体上平行于所述晶片的上表面的平面中。11.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·T·巴里斯，R·巴布尔纳特，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US