提供能提供磁性能优、可靠性好的磁铁的磁铁材料制造方法、薄带状磁铁材料、粉末状磁铁材料及粘结磁铁。急冷薄带制造装置１具备简体２、加热用的线圈４、冷却辊５。在筒体２的下端形成喷射磁铁材料的合金熔液６的喷嘴３。在冷却辊５的圆周面５３上设置气体...

本发明提供能制造磁特性优良、可靠性优良磁铁的冷却辊子、薄带状磁铁材料、磁铁粉末及粘合磁铁。为此，急冷薄带制造装置１具有筒体２、加热用线圈４、和冷却辊子５。在筒体２的下端上形成喷射磁铁材料熔融金属６的喷嘴３。在冷却辊子５的周面５３上设有凹...

本发明提供一种磁特性优良、信赖性高、特别是热稳定性优良的磁铁。为此，本发明的磁铁粉末是由以Ｒ↓［ｘ］（Ｆｅ↓［１－ａ］ＣＯ↓［ａ］）↓［１００ｘ－ｙ－ｚ］Ｂ↓［ｙ］Ｍ↓［ｚ］（Ｒ是除Ｄｙ外的至少１种的稀土类元素、Ｍ是Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｖ...

提供能提供磁性能优、可靠性好的磁铁的冷却辊、薄带状磁铁材料、磁铁粉末及粘结磁铁。急冷薄带制造装置１具备筒体２、加热用线圈４、冷却辊５。在筒体２下端形成喷射磁铁材料合金熔液６的喷嘴３。冷却辊５的圆周面５３上设置气体抽出手段。像氦气的惰性气...

本发明能提供能制造优良磁特性、优良可靠性的磁铁的一种磁铁材料的制造方法、薄带状磁铁材料、粉末状磁铁材料和粘合磁铁。为此，急冷薄带制造装置１具有筒体２、加热用线圈４、和冷却辊子５。在筒体２的下端形成喷射磁铁材料熔融金属６的喷嘴３。在冷却辊...

本发明的磁铁材料制造用的冷却辊５，是由辊基材５１和包覆其外圆周面的表面层５２构成的。辊５１的构成材料，优选由热传导率高的金属材料构成。表面层５２，由比辊基材５１热传导率低的材料构成，优选由陶瓷构成。令表面层５２的最大厚度为Ｔ↓［ｍａｘ］...

本发明的薄带状磁铁材料（急冷薄带８）是通过从喷嘴３中喷出含有稀土元素和过渡金属的合金熔液，碰撞在冷却辊５的圆周面５３上，而进行急冷得到的，其构成组织，由软磁性相和硬磁性相相邻接存在的组织构成。急冷薄带８，在分别以Ｄ１ｈ、Ｄ１ｓ作为辊面８...

提供能够提供磁性能优良、可靠性良好的磁铁的磁铁粉末及粘结磁铁。急冷薄带制造装置１具备筒体２、加热用的线圈４和冷却辊５。在筒体２的下端形成喷射磁铁合金的熔液６的喷嘴３。冷却辊５以辊基体材料５１和表面层５２构成。另外，在冷却辊５的圆周面５３...

制造粘结磁铁的方法，包括制成包括具有剩余磁通密度Ｂｒ↓［Ａ］和矫顽磁力Ｈｃ↓［Ａ］的磁体粉末Ａ和具有剩余磁通密度Ｂｒ↓［Ｂ］和矫顽磁力Ｈｃ↓［Ｂ］的磁体粉末Ｂ的２种以上磁性粉末混合物，各剩余磁通密度及矫顽力之间具有Ｂｒ↓［Ａ］＞Ｂｒ↓［...

本发明提供一种磁通密度、磁化性优良、耐热性（热稳定性）高的磁铁。本发明的磁铁粉末由以Ｒ↓［ｘ］（Ｆｅ↓［１－ｙ］Ｃｏ↓［ｙ］）↓［１００－ｘ－ｚ－ｗ］Ｂ↓［ｚ］Ａｌ↓［ｗ］表示的合金成分构成，其结构为一种具有软磁相和硬磁相的复合结构，在...

一种磁通密度高，充磁性优良，可靠性、耐热性、耐蚀性高的磁铁。它由Ｒ↓［ｘ］（Ｆｅ↓［１－ｙ］Ｃｏ↓［ｙ］）↓［１００－ｘ－ｚ－ｗ］Ｂ↓［ｚ］Ｓｉ↓［ｗ］（Ｒ是至少一种稀土类元素；ｘ：８．１－９．４原子％；ｙ：０－０．３０；ｚ：４．６－６...

本发明提供镀覆工具、镀覆方法及电镀装置，该镀覆工具在由贯穿形成于自由转动的托架（１０）的小室（３０）的内壁面、在小室（３０）的两端分别按照横断的方式跨设的阴极线（３３ａ、３３ｂ）所划出的空间中，配置工件（７０）。在各小室（３０）的周围，...

本发明提供镀覆工具、镀覆方法及电镀装置，该镀覆工具在由贯穿形成于自由转动的托架（１０）的小室（３０）的内壁面、在小室（３０）的两端分别按照横断的方式跨设的阴极线（３３ａ、３３ｂ）所划出的空间中，配置工件（７０）。在各小室（３０）的周围，...

本发明提供镀覆工具、镀覆方法及电镀装置，该镀覆工具在由贯穿形成于自由转动的托架（１０）的小室（３０）的内壁面、在小室（３０）的两端分别按照横断的方式跨设的阴极线（３３ａ、３３ｂ）所划出的空间中，配置工件（７０）。在各小室（３０）的周围，...

本发明的导电性粘合剂的特征在于，含有用通式（１）表示的化合物，［式中，Ｘ↑［１］、Ｘ↑［２］、Ｘ↑［３］以及Ｘ↑［４］分别独立，表示氢原子或直链烷基，可以相同，也可以不同；其中，Ｘ↑［１］、Ｘ↑［２］、Ｘ↑［３］以及Ｘ↑［４］当中的至少...

本发明的目的在于，提供一种例如在显示装置中，能够降低显示不均的电子器件用基板、该电子器件用基板的制造方法、具备该电子器件用基板的显示装置以及可靠性高的电子机器。本发明的电子器件用基板，具有：基板；在该基板上设置的开关元件；将该开关元件覆...

一种主字线和位线短路也无短路电流的半导体存储装置。具有多个含有多列的位线对、子字线和正规存储单元的阵列块。还有配设为遍及多个正规存储单元阵列块上的主字线。根据子行地址信号选择一条主字线的主行选择译码器、选择从属于主字线的一条子字线的子行...

一种半导体存储器装置，其特征在于，包括： 多个静态存储单元，在多列的一对位线和多行的字线的各个交叉部上，连接在上述一对位线和上述字线上； 多个存储单元阵列块，把上述多行的字线沿该字线的纵向分割成多个，在每个所分割的字线上，对...

在设定了禁止读出非易失存储器的数据后也能再利用的半导体装置及电子机器。禁止从外部读出写入的数据，保护数据的秘密。在检测到全部数据被消去后，解除数据读出禁止。因此微机可以再利用。通过全部消去工作本身或读出全部地址数据，能检测全部数据是否被...

低功率ＲＡＭ器件的位线预充电电路只是有选择地对将被读出的位线预充电，使得尽量减少预充电和整个ＲＡＭ功率消耗。最佳ＲＡＭ预充电电路使用读出放大器中的预充电器件作为主位线预充电器件，通过列ＭＵＸ有选择地连接并对被选中的位线预充电；电路还包括...