在半导体集成电路，根据对在ｎ行ｍ列配设存储元（ｎ、ｍ是自然数）的各比特写入指令的输入，对与矩阵各行对应的信号线进行充电，并对一行部分的全比特写入终止后，对下一信号线进行充电，而且与充电的信号线对应的１行部分的比特，分别顺序地写入。短时间...

实现能够以适当的时序切换动作模式，而且减少外部端子数量的半导体集成电路。通过进行控制使得响应使用了墨水匣的打印机的动作转移到低功耗模式，能够不对通常模式带来影响而使动作模式转移。在低功耗四模式中，通过把指定的地址初始化，能够谋求减少功耗...

在把数据写入请求信号ＷＲ作为输入，根据输出的写入控制信号ＷＲＩＴＥ禁止数据写入的写入禁止电路中，抑制芯片面积的同时减小动作电流。在电流镜电路ＣＭ中，通过把基准电流Ｉｒｅｆ与在Ｎ晶体管Ｔ３的源－漏间流过的电流ＩＤ进行比较，能够检测高电位电...

本发明的目的在于提供一种内置ＲＡＭ驱动器，可以以低的功耗在向ＲＡＭ写入动画数据的同时写入静画数据。内置ＲＡＭ驱动器ＩＣ（４２０）使用和静画数据不同的系统，经ＬＶＤＳ标准高速串行传输线，从ＭＰＵ（４００）接收动画数据。ＬＶＤＳ接收电路根据...

本发明的目的在于提供一种内置ＲＡＭ驱动器，可以在向ＲＡＭ写入动画数据的同时写入静画数据。内置ＲＡＭ驱动器ＩＣ（２４）具有传送从ＭＰＵ（１０）来的静画数据、动画数据的第１、第２总线（１１０）、（１１２）、存储静画数据和动画数据的ＲＡＭ（１...

提供了一种使用存储器的方法，它有助于有效的ＳＩＭＤ操作。所述使用存储器的方法包括下列步骤：包含有预定的两维存储器空间，它由预定的沿纵向和横向方向排列的虚拟最小两维存储器空间构成；将所述虚拟最小两维存储器空间的各个地址预先分配给ｎ个物理存...

一种在包括编程阶段和再现阶段的多个阶段下运行的驱动电路，该电路包括：多个各通过该电路的电流通路，一个电流驱动元件，一个连接成运行上控制提供给所述元件的电流的晶体管，一个连接成在编程阶段期间用来存储该晶体管的操作电压的电容器，以及控制这些...

本发明目的在于提供即使时钟信号的驱动能力低也可靠地动作的移位寄存器。数据线驱动路电路２００，具备将各移位寄存器单位电路Ｕａ１～Ｕａｎ＋２级联连接的移位寄存器部２１０；将各控制单位电路Ｕｃ１～Ｕｃｎ＋２级联连接的时钟信号控制部２２０。各控...

一种存储器改写控制系统，是一种对于可以在由多个区域构成的，能够以区域为单位清除数据的，具有存储起动引导数据的起动引导区域、存储被所述起动引导数据选择性地起动的引导数据的至少２个引导区域、和存储被所述起动引导数据或所述引导数据所起动的主数...

一种读出电路，用于检测电容器元件中存储的电荷，包括：一个充电积分器电路，用于从电容器元件接收电荷；鉴别器电路，串联耦合到所述充电积分器电路，该鉴别器电路包括第一输入端，用于从积分器电路接收输出信号，和第二输入端，用于接收参考电压信号。

本发明提供一种基本不用变更以往技术的电路便可以进行多值存储的强电介体存储器。由存储的值，通过改变施加写入脉冲的时间而进行多值存储。作为写入脉冲用的电压只要准备一个即可，只要将复位或读出用的电压与写入脉冲的电压作成一样，便可以提供仅以一个...

本发明提供一种能够防止干扰的强介电体记忆装置及其驱动方法以及驱动电路。在强介电体记忆装置中，对于在多条字线（１４）与多条位线（１６）的各交点上形成的多个强介电体记忆单元（１８）的至少一个选择单元，重复进行数据读出、数据再写入、及数据写入...

本发明提供一种减少强电介质电容器特性劣化的强电介质存储器装置，包括：具有串联连接形成环状的多个强电介质电容器的第１强电介质电容器组；和切换第１强电介质电容器组中的任意一个强电介质电容器是否电连接在第１位线以及第１板线上的切换机构。优选切...

本发明提供一种强电介质存储器装置，其具有一端电连接在位线上的强电介质电容器，其特征是，具备：生成规定电压的电压源；设置于所述位线和所述电压源之间的电阻体；与电阻体串联设置，且对是否通过所述电阻体向所述位线以规定期间供给所述规定电压进行切...

本发明提供一种主要在程序电路等的存储电路中使用，可以简单、可靠地读取存储数据的存储电路。包括：含有第一端及第二端的触发器；用于向第一端提供第一电容的第一铁电电容器；用于向第二端提供第一电容之外的第二电容的第二铁电电容器；向将第一电容及第...

本发明公开了一种主要用于程序电路等的存储电路，该存储电路能简易、稳定地读出存储数据，其包括：具有第一端和第二端触发器；具有第一铁电电容器和第二铁电电容器，用于存储规定数据的存储部；对所述触发器供给电压，基于所述规定的数据通过控制所述第一...

本发明公开了一种能简易、稳定地读出存储数据的存储电路，该存储电路包括：具有串联连接的第一铁电电容器和第二铁电电容器的存储部；用于在所述存储部的两端生成电位差的电位差生成部；根据在所述两端生成了所述电位差时的所述第一铁电电容器和所述第二铁...

本发明提供了一种铁电存储装置，包括：单元阵列，设置了多个具有串联连接的第一铁电电容器以及第二铁电电容器的存储单元；存储单元选择部，从多个所述存储单元中选择出某一个；电位差生成部，使被选择的所述存储单元的一端和另一端之间产生电位差；判定部...

本发明提供一种主要在程序电路等使用的存储电路，可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括：具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的...

本发明提供一种移位寄存器，其可以用Ｎ级传送元件，将比传送元件的级数Ｎ少的Ｍ个数据用Ｍ个时钟信号进行跳跃传送。移位寄存器（５０）包括：Ｍ级传送元件（５１Ａ～５１Ｆ、５２Ａ～５２Ｆ、５３Ａ～５３Ｆ），其中，Ｍ为大于等于３的整数，用于在一个周...