存储电路、半导体装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种主要在程序电路等使用的存储电路，可以简单、稳定地读取存储数据。所述存储电路包括：具有一端及另一端的第一铁电电容器和第二铁电电容器、电连接于第一铁电电容器的一端以及第二铁电电容器的另一端的第一连接部、电连接于第一铁电电容器的另一端以及第二铁电电容器的一端的第二连接部、使第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的一端之间产生规定的电位差的电位差提供部。优选电位差提供部包括具有第一端以及第二端的触发器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储电路、半导体装置以及电子设备。尤其涉及一种能够简单读取存储数据的存储电路、包括该存储电路的半导体装置及电子设备、以及驱动方法。
技术介绍
作为现有的存储单元，在日本专利特开昭64-66899号公报(专利文献1)中已有披露。在专利文献1中披露的存储单元包括具有两个内部节点的静态单元和具有两个铁电电容器的非易失性部分。并且，通过在铁电电容器上提供该铁电电容器接受极化翻转的电压，使一个内部节点的电压稍高于另一个内部节点的电压。由此，从非易失性部分向静态单元传输数据。
技术实现思路
但是，在上述专利文献1中所披露的现有存储单元中，当将数据从非易失性部分向静态单元传输时，需要对位线进行预充电，并向铁电电容器提供电压，因而产生了动作变复杂的问题。此外，在上述专利文献1中所披露的现有存储单元中，虽然一个内部节点的电压高于另一个内部节点的电压，但由于其差不大，所以一旦组成静态单元的晶体管的阈值电压出现制造偏差，也会发生静态单元误动作的问题。因此，本专利技术的目的在于提供一种能解决上述问题的存储电路、半导体装置以及电子设备。该目的可通过权利要求中的独立权利要求的技术特征的组合而实现。从属权利要求规定了对本专利技术更有利的具体实施例。为达到上述目的，根据本专利技术的第一方面，提供了一种存储电路，其特征在于包括具有一端以及另一端的第一铁电电容器以及第二铁电电容器；电连接于所述第一铁电电容器的所述一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端的第一连接部；电连接于所述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述一端的第二连接部；在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间提供规定电位差的电位差提供部。根据该构成，也能使第一铁电电容器的一端和另一端之间，以及第二铁电电容器的一端和另一端之间产生规定电位差。而且，第一铁电电容器的电压方向与第二铁电电容器的电压方向互不相同。因此，根据该构成，能够以极简单的结构，使第一铁电电容器以及第二铁电电容器稳定地存储不同的数据。此外，优选的是所述电位差提供部包括具有第一端及第二端的触发器，其通过所述触发器在所述第一端和所述第二端之间设定所述规定的电位差，从而在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间提供所述规定的电位差。根据该构成，通过使触发器的第一端或者第二端的至少一方变成规定电位，从而在第一端和第二端之间产生规定电位差。因此，根据相关构成，不但能够稳定地将不同的数据存储在第一铁电电容器以及第二铁电电容器中，而且还能够容易地替换该存储数据。另外，优选所述第一连接部包括第一开关，将该第一开关设置在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述另一端之间，所述第二连接部包括第二开关，将该第二开关设置在所述第一铁电电容器的所述另一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间。在相关构成中，能够将第一铁电电容器的一端和第二铁电电容器的另一端，以及第一铁电电容器的另一端和第二铁电电容器的一端电切断。因此，例如能够读取已写入第一铁电电容器以及第二铁电电容器中的规定数据。此外，优选通过所述电位差提供部在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间提供规定的电位差，从而将数据写入所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器中，该存储电路进一步包括读取部，该读取部基于所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器的电容读取已写入所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器中的数据；控制部，当所述电位差提供部将所述数据写入所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器时，该控制部使所述第一开关以及所述第二开关导通，当所述读取部读取已写入所述第一铁电电容器以及所述第二铁电电容器中的所述数据时，其使所述第一开关以及所述第二开关为非导通。而且，优选还包括放电部，其使所述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端的电位大致相同。在相关构成中，能够使第一铁电电容器的一端和另一端，且所述第二铁电电容器的一端和另一端之间的电位差大致为0。因此，可以抑制第一铁电电容器以及第二铁电电容器的劣化。根据本专利技术的第二方面，提供一种特征在于包括上述存储电路的半导体装置。在此，所谓的半导体装置是由包括本专利技术的存储电路的半导体构成的普通装置。虽然对其构成无特别限定，但是，例如涵盖所有需要配置含有上述存储电路的存储装置的所有装置，所述存储装置包括铁电存储器装置、DRAM、闪存存储器等存储装置等。根据本专利技术的第三方面，提供一种特征在于包含上述半导体装置的电子设备，在此，所谓的电子设备是指包含根据本专利技术的半导体装置的且能实现指定功能的普通设备。虽然对其构成无特别限定，但是，例如，包括必须配备诸如包括上述半导体装置的计算机通用装置、便携电话、PHS、PDA、电子记事本、IC卡等存储装置的所有装置。附图说明图1是作为根据本专利技术一个实施例的半导体装置的铁电存储装置500的结构示意图。图2是程序电路100的第一实施方式示意图。图3为第一实施方式的程序电路100的工作时序图。图4为第一铁电电容器122以及第二铁电电容器124的磁滞特性示意图。图5为程序电路100的第二实施方式的示意图。图6为第二实施方式的程序电路100的工作时序图。图7为程序电路100的第三实施方式示意图。图8为第三实施方式的程序电路100的工作时序图。图9是作为包括本专利技术半导体装置的电子设备一例的个人计算机1000的构成立体图。具体实施例方式以下参照附图，对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。以下阐述的实施方式，并非不正当限定权利要求范围所记载的本专利技术的内容，本实施方式中描述的构成也未必全部都作为本专利技术的解决手段加以采用。图1是表示铁电存储装置500结构的示意图，该铁电存储装置500为本专利技术一实施方式所涉及的半导体装置的一个例子，包括存储单元阵列510、列译码器520、行译码器530、控制部540、冗余单元阵列550以及冗余电路600。存储单元阵列510包括多个以阵列状配置的铁电电容器。各铁电电容器由字线WL1～WLm(m为2或大于2的整数)和位线BL1～BLn(n为大于等于2的整数)当中的任意位线BL以及字线WL控制。具体而言，通过控制位线BL以及字线WL的电位，读取写入该铁电电容器中的数据，并且向该铁电电容器中写入数据。控制部540对铁电存储装置500进行总控制。具体而言，控制部540从铁电电容器中读取数据，向铁电电容器中写入数据，分别将行地址信号以及列地址信号提供给行译码器530以及列译码器520。此外，控制部540将控制程序电路100的控制信号提供给冗余电路600。而且，控制部540生成驱动铁电存储装置500的驱动电压，并将其提供给包含程序电路100的各部分。行译码器530控制字线WL1～WLm的电位。具体而言，行译码器530从控制部540接收行地址信号，根据该行地址信号，选择规定的字线WLj(j为从1开始的m的整数)。而列译码器520控制位线BL1～BLn的电位。具体而言，列译码器520从控制部540接收列地址信号，根据该列地址信号，选择规定的位线BLk(k为从1开始的n的整数)。由此，选择与通过行译码器530选择的字线WLj以及通过列译码器520选择的位线BLk对应的铁电电容器。冗余电路600包括多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储电路，其特征在于包括：第一铁电电容器，具有一端及另一端；第二铁电电容器，具有一端及另一端；第一连接部，用于电连接所述第一铁电电容器的所述一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端；第二连接部，用于电连接所 述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述一端；以及电位差提供部，用于使所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间产生规定的电位差。

【技术特征摘要】
JP 2004-1-6 2004-0014461.一种存储电路，其特征在于包括第一铁电电容器，具有一端及另一端；第二铁电电容器，具有一端及另一端；第一连接部，用于电连接所述第一铁电电容器的所述一端以及所述第二铁电电容器的所述另一端；第二连接部，用于电连接所述第一铁电电容器的所述另一端以及所述第二铁电电容器的所述一端；以及电位差提供部，用于使所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间产生规定的电位差。2.根据权利要求1所述的存储电路，其特征在于所述电位差提供部包括具有第一端及第二端的触发器，其通过所述触发器在所述第一端和所述第二端之间设定所述规定的电位差，使所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述一端之间产生所述规定的电位差。3.根据权利要求1或2所述的存储电路，其特征在于所述第一连接部包括第一开关，设置在所述第一铁电电容器的所述一端和所述第二铁电电容器的所述另一端之间；所述第二连接部包括第二开关，设置在所述第一铁电电容器的所述另一端和...

【专利技术属性】
技术研发人员：小出泰纪，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]