一种包括铁电聚合物存储器材料、具有非对称单元尺寸的聚合物存储器制造技术

提供了一种聚合物存储器及其制造方法。聚合物存储器的一个多层结构具有两组字线和在所述字线之间的一组位线。每一组字线中的字线具有彼此间隔开第一距离的中心线，并且位线具有彼此间隔开第二距离的中心线，所述第二距离小于所述第一距离。制造三层线需要三个掩模步骤。使用较老技术机器和掩模来形成两层字线，并使用新技术机器和掩模来制造位线。因此，为了制造一个多层结构，只有３３％的机器必须被更新。整个聚合物存储器具有四个多层结构，具有总共１２层线，其中４层要求新技术机器。多层结构在下层的电子线路上形成。下层的电子线路利用２８个光刻掩模步骤来构建，２８个光刻掩模步骤中的４个要求新技术机器。因此，制造整个聚合物存储器要求４０个光刻掩模步骤，其中８个要求新技术机器。因而为了制造整个聚合物存储器要求２０％的机器更新，当把机器从一代更新到下一代时，这一般被认为是可接受的。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包括铁电聚合物存储器材料的这类聚合物存储器及其制造方法。
技术介绍
聚合物存储器通常具有多条沿x方向彼此平行地延伸的导电字线和多条沿y方向彼此平行地延伸的导电位线，所以生成了单元阵列，每一个单元均在相应的字线在相应的位线上交叉的地方。通过选择在单元上交叉的字线和位线，然后给字线或位线其中之一提供电压或读出(sense)来自字线或位线其中之一的电流，信息可以被写入这些单元的其中之一，或者被从其中读取。例如，铁电聚合物存储器材料可以把字线从位线间隔开，并且，通过把选择电压施加于在选择单元上交叉的相应字线和位线，可以使其导电性在选择单元处变化。随着计算机要求更多的存储器，存在着在给定面积内包括更多数量的单元的需求，因此使得从一代聚合物存储器到下一代，对设备更新的需求不可避免。一些聚合物存储器具有总共12层金属线，在这些金属线层之间是8层铁电聚合物存储器材料。传统上曾相信，为了用光刻方法形成所有12层金属线，工具配备(tooling)必须被更新。这可能导致40％的设备更新比例，或者更多，当从一种存储器产品过渡到下一种时，这一般被认为是太高了。附图说明通过参考附图举例描述了本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚合物存储器，包括：　　　　第一批多条导电字线，所述字线沿ｙ方向彼此平行地延伸，并具有在ｘ方向上彼此间隔开第一距离的中心线；　　　　在所述字线上面沿ｘ方向和ｙ方向的第一铁电聚合物存储器材料；　　　　多条导电位线，所述位线在所述第一铁电聚合物存储器材料上面沿所述ｘ方向彼此平行地延伸，并具有在所述ｙ方向上彼此间隔开第二距离的中心线，所述第二距离小于所述第一距离，在所述第一铁电聚合物存储器材料中限定出第一聚合物存储器单元阵列，每一个聚合物存储器单元处于相应位线在所述第一批多条字线的其中相应一条上交叉的地方，以便当把选择电压差施加于所述第一阵列的相应单元的相反侧上的相应字线和位线时，所述相应单元处...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-25 10/648,5381.一种聚合物存储器，包括第一批多条导电字线，所述字线沿y方向彼此平行地延伸，并具有在x方向上彼此间隔开第一距离的中心线；在所述字线上面沿x方向和y方向的第一铁电聚合物存储器材料；多条导电位线，所述位线在所述第一铁电聚合物存储器材料上面沿所述x方向彼此平行地延伸，并具有在所述y方向上彼此间隔开第二距离的中心线，所述第二距离小于所述第一距离，在所述第一铁电聚合物存储器材料中限定出第一聚合物存储器单元阵列，每一个聚合物存储器单元处于相应位线在所述第一批多条字线的其中相应一条上交叉的地方，以便当把选择电压差施加于所述第一阵列的相应单元的相反侧上的相应字线和位线时，所述相应单元处的所述第一铁电聚合物存储器材料被改变。2.如权利要求1所述的聚合物存储器，还包括在所述位线上面沿x方向和y方向的第二铁电聚合物存储器材料；以及第二批多条导电字线，所述字线在所述第二铁电聚合物存储器材料上面沿所述y方向彼此平行地延伸，并具有在所述x方向上彼此间隔开等于所述第一距离的第三距离的中心线，在所述第二铁电聚合物存储器材料中限定出第二聚合物存储器单元阵列，每一个聚合物存储器单元处于所述第二批多条字线的其中相应一条在相应位线上交叉的地方，以便当把选择电压差施加于和所述相应第二阵列的相应单元相反的相应字线和位线时，所述相应单元处的所述铁电聚合物存储器材料被改变。3.如权利要求2所述的聚合物存储器，其中，每一条字线具有沿所述x方向的第一宽度，并且每一条位线具有沿所述y方向的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。4.如权利要求3所述的聚合物存储器，其中，所述字线中相邻的在所述x方向上彼此间隔开第一间距，并且所述位线中相邻的在所述y方向上彼此间隔开第二间距，所述第一间距大于所述第二间距。5.一种聚合物存储器，包括多个多层结构，每一个均包括多条位线，所述位线沿x方向彼此平行地延伸，并具有在y方向上彼此间隔开第一距离的中心线；在所述位线的第一和第二相反侧上的铁电聚合物存储器材料；以及，第一和第二批多条导电字线，所述铁电聚合物存储器材料和所述位线在所述第一和第二批多条字线之间，每一批的所述字线沿y方向彼此平行地延伸，并具有在x方向上彼此间隔开第二距离的中心线，所述第二距离大于所述第一距离；多个绝缘层，每一个均在相应一对多层结构之间。6.如权利要求5所述的聚合物存储器，其中，每一条字线具有沿所述x方向的第一宽度，并且每一条位线具有沿所述y方向的第二宽度，所述第二宽度小于所述第一宽度。7.如权利要求6所述的聚合物存储器，其中，所述字线中相邻的在所述x方向上彼此间隔开第一间距，并且所述位线中相邻的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马克伊森伯格，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]