强电介质存储器装置以及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种强电介质存储器装置，其具有一端电连接在位线上的强电介质电容器，其特征是，具备：生成规定电压的电压源；设置于所述位线和所述电压源之间的电阻体；与电阻体串联设置，且对是否通过所述电阻体向所述位线以规定期间供给所述规定电压进行切换的开关。电压源，生成驱动该强电介质存储器的驱动电压、强电介质电容器的耐电压和驱动该强电介质存储器的驱动电压之间的电压、或者比强电介质电容器的耐电压小的电压，来作为规定电压。由此，这种强电介质存储器装置，强电介质的劣化少且能够高速动作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及强电介质存储器装置和电子设备，尤其涉及强电介质的劣化少的强电介质存储器装置。
技术介绍
特开2002-100183号公报(专利文献1)已公开作为以往FeRAM的一例。上述专利文献1公开的强电介质存储器，在读出放大器的前级具备将被二值化的信号中的低电位侧信号修正设定成0V的0级设定电路。特开2002-100183号公报但是，专利文献1公开的以往FeRAM中，由于向存储单元外加高电压，因此会出现构成存储单元的强电介质的疲劳特性大幅度劣化的问题。另外，由于电路结构复杂，还出现读出动作费时、动作变迟缓的问题。
技术实现思路
本专利技术鉴于以上的事实，其目的在于提供一种能解决上述问题的强电介质存储器装置以及电子设备。通过本专利技术技术方案的范围的第1方案记载的特征组合来达成上述目的。另外接下来的技术方案规定本专利技术的优选的具体例。为了达到所述目的，本专利技术的第一类型提供一种强电介质存储器装置，具有一端电连接在位线上的强电介质电容器，其特征是，具备生成规定电压的电压源；设置于所述位线和所述电压源之间的电阻体；设置于所述电压源和所述位线之间的、对是否通过所述电阻体向所述位线以规定期间供给所述规定电压进行切换的开关。这里，开关是例如n型或者p型的MOS晶体管。通过该结构，根据写入到强电介质电容器中的数据，位线的充电特性会有很大不同。由此可以在写入到强电介质电容器中的数据间获得大的读出电位差，从而可以获得大的相对于强电介质的材料特性和工序的偏差的余量。进而可以稳定地运行强电介质存储器装置。另外根据该结构，即使在存储单元阵列大的时候，也能确保充分的读出电压，因此能够很容易地进行强电介质存储器装置的大容量化和高集成化。另外，优选所述电压源生成与驱动该强电介质存储器的驱动电压大致相同的电压来作为所述规定电压。根据该结构，由于可以将生成驱动电压的驱动电压源作为所述电压源使用，因此能对强电介质存储器装置进行高集成化。另外，所述电压源还可以生成所述强电介质电容器的耐电压和驱动该强电介质存储器的驱动电压之间的电压来作为所述规定电压。根据该结构，由于能减小外加到构成强电介质电容器的强电介质上的电压，因此能够抑制强电介质特性、特别是能够抑制疲劳特性的劣化。进而能提供可靠性高的强电介质存储器装置。另外，所述电压源还可以生成比所述强电介质电容器的耐电压小的电压来作为所述规定电压。根据该结构，可以提供不仅能抑制强电介质特性的劣化，同时不需要再写入动作的强电介质存储器。优选所述开关是n型晶体管，且该晶体管的源极及漏极其中之一电连接到所述电压源或者所述位线上，其中之另一个电连接到所述电阻体上。由此能够提供动作进一步稳定的强电介质存储器装置。另外，优选所述强电介质存储器装置还具备在开始向所述位线以及所述电阻体供给所述规定电压之后、以在所述位线达到与所述规定电压大致相同电位之前停止所述供给的方式控制所述开关的控制机构。此时，优选该强电介质存储器装置还具备电连接在所述强电介质电容器另一端的板线；和在向所述位线供给所述规定电压的期间，将所述板线的电位控制为接地电位的板线控制部。根据该结构，可以在进行读取动作时获得大的读出电位差，因此能提供动作稳定的强电介质存储器装置。根据本专利技术的第2类型，提供具有所述的强电介质存储器装置的电子设备。这里的所谓电子设备是指备有本专利技术的存储器装置的发挥一定功能的通常设备，对其结构没有特别限定，其包含例如具备上述存储器装置的通常电脑装置、便携电话、PHS、PDA、电子笔记本、IC卡等需要存储装置的所有装置。附图说明图1是表示本专利技术实施方式一的强电介质存储器装置100的结构的方框图。图2是表示电容器阵列110的电路结构的一部分的图。图3是表示在本实施方式的强电介质存储器装置100中，读出写入到强电介质电容器Cp中的数据的读出动作、和写入数据的写入动作的实施例一的时间图。图4是表示电容器阵列110的等价电路图。图5是表示强电介质电容器Cp的Q-V滞后特性和C-V特性的图。图6是表示位线BL相对于向位线BL的VCC的供给时间t的电位的图。图7是表示在本实施方式的强电介质存储器装置100中，读出写入到强电介质电容器Cp中的数据的读出动作、和写入数据的写入动作的实施例二的时间图。图8是表示在本实施方式的强电介质存储器装置100中，读出写入到强电介质电容器Cp中的数据的读出动作、和写入数据的写入动作的实施例三的时间图。图中100-强电介质存储器装置，110-电容器阵列，120-位线控制部，130-板线控制部，140-字线控制部，200-恒压源，210-预充电。具体实施例方式下面参照附图，通过本专利技术的实施方式，详细说明本专利技术。但是以下的实施方式并不局限于与专利的技术方案范围相关的专利技术，另外，实施方式中说明的特征的组合并不一定全部要在本专利技术的解决方案中存在。图1是表示本专利技术实施方式一的强电介质存储器装置100的结构的方框图。强电介质存储器装置100结构上备有以阵列状设置多个强电介质电容器的电容器阵列110、位线控制部120、板线控制部130、字线控制部140。位线控制部120控制位线BL的电位，且基于位线BL电位，判断写入到强电介质电容器Cp中的数据。板线控制部控制板线PL的电位。另外，字线控制部140控制字线WL的电位。图2是表示电容器阵列110的电路结构的一部分的图。电容器阵列110备有位线BL、板线PL、强电介质电容器Cp、作为电压源一例的恒压源200、预充电电压源210、电阻体R、作为开关的一例的晶体管TR1、TR2以及TR3。另外，电容器阵列110备有与位线BL和板线PL进行电连接的以阵列状配置的多个强电介质电容器Cp，而以下将该多个电容器Cp中的一个作为例子，说明强电介质存储器装置100的结构以及动作。强电介质电容器Cp的一端经由晶体管TR2电连接于位线BL上，且另一端与板线PL进行电连接。即，晶体管TR2的源极以及漏极的一方电连接到强电介质电容器Cp的一端上，而另一端与位线BL电连接。另外，晶体管TR2的栅极上连接字线WL，且晶体管TR2根据位线WL的电位变化，对是否电连接位线BL和强电介质电容器Cp进行切换。恒压源200生成供给位线BL的规定电压。恒压源200生成例如与驱动强电介质存储器装置100的驱动电压VCC大致相同的电压。此时，恒压源200可以是设置于强电介质存储器装置100上的、生成驱动电压VCC的驱动电压源。在其他例子中，恒压源200可以生成驱动电压VCC和后述的耐电压Vc之间的电压，另外，也可以生成比抗电压Vc小的电压。关于恒压源200生成这些电压并供给位线BL的情况下的强电介质存储器装置100的动作，参照图7和图8如后介绍。电阻体R设置在位线BL和恒压源200之间。另外，晶体管TR1设置在恒压源200和位线BL之间，且将恒压源200生成的电压经由电阻体R向位线BL供给。晶体管TR1的源极以及漏极的之一方电连接到恒压源200上，而另一方与电阻体R电连接。另外，信号Read向晶体管TR1的栅极供给，基于信号Read的电位变化，对是否经由电阻体R向位线BL供给该电压进行切换。另外，在本实施方式中，在位线BL端部介由晶体管R1和电阻体R设置有恒压源200，而在其他实施方式中，也可以设置成在位线BL上的电连接多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种强电介质存储器装置，具有一端电连接在位线上的强电介质电容器，其特征是，具备：　　　　生成规定电压的电压源；　　　　设置于所述位线和所述电压源之间的电阻体；　　　　设置于所述电压源和所述位线之间的、对是否通过所述电阻体向所述位线以规定期间供给所述规定电压进行切换的开关。

【技术特征摘要】
JP 2003-11-6 2003-3770671.一种强电介质存储器装置，具有一端电连接在位线上的强电介质电容器，其特征是，具备生成规定电压的电压源；设置于所述位线和所述电压源之间的电阻体；设置于所述电压源和所述位线之间的、对是否通过所述电阻体向所述位线以规定期间供给所述规定电压进行切换的开关。2.如权利要求1所述的强电介质存储器装置，其特征是所述电压源生成与驱动该强电介质存储器的驱动电压大致相同的电压来作为所述规定电压。3.如权利要求1所述的强电介质存储器装置，其特征是所述电压源生成所述强电介质电容器的耐电压和驱动该强电介质存储器的驱动电压之间的电压来作为所述规定电压。4.如权利要求1所述的强电介质存储器装置，其特征是所述电压源生成比所述强...

【专利技术属性】
技术研发人员：山村光宏，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]