本发明可低成本且高速执行存储器存储的数据的改写处理，并降低信息处理装置的消耗功率。本发明的信息处理装置１首先执行传统采用的读.修改.写的机能与写命令，在写命令内的写指令的发行结束后立即发行读命令的读指令。即，不发行写命令的预充电指令和读...

本发明可以缩小数据线驱动电路的电路面积。数据线驱动电路（２００）具有移位寄存器单元电路（Ａｉ１）～（Ａｉ４）、逻辑运算单元电路（Ｂｉ１）～（Ｂｉ４）以及控制单元电路（Ｃｉ）。控制单元电路（Ｃｉ），根据移位寄存器单元电路（Ａｉ１）～（Ａｉ...

本发明公开了一种可作为伪ＳＲＡＭ利用的的铁电存储器。该铁电存储器包括：包括：多个存储单元；以及控制部，在写入控制信号从第一逻辑值变化到第二逻辑值时，使存储单元存储数据信号所表示的存储数据，其中，在写入控制信号表示第一逻辑值时，控制部在第...

本发明公开了一种读出动作稳定的铁电存储装置。该铁电存储装置的特征在于包括：电压源，用于产生预定电压；第一位线和第二位线；第一铁电电容器，其一端电连接至第一位线；第一电阻器，设置在第一位线和电压源之间；第二铁电电容器，其一端电连接至第二位...

本发明公开了一种读出动作稳定的铁电存储装置。该铁电存储装置的特征在于包括：电压源，用于产生预定电压；第一铁电电容器，其一端电连接至第一位线；第一电阻器，设置在第一位线和电压源之间，具有第一电阻值；第二铁电电容器，其一端电连接至第二位线；...

本发明提供无论由正逻辑或负逻辑构成都使输出信号脉冲宽度相同的双向移位寄存器。数据线驱动电路（２００）具有多级移位寄存器单位电路（Ａ）。移位寄存器单位电路（Ａ）具有与Ｘ时钟信号ＸＣＫ及反相Ｘ时钟信号ＸＣＫＢ同步传送Ｘ传送开始脉冲ＳＴＸ的第...

本发明公开了一种铁电存储装置，尤其是在位线方向上集成度高的铁电存储装置。该铁电存储装置包括：在第一方向上延伸的第一位线；与第一位线连接，用于存储规定的数据的多个第一存储单元；在与第一方向大致相反方向上延伸的第二位线；与第二位线连接，用于...

本发明提供一种特别是在位线方向上集成度高的铁电存储装置，包括：位线ＢＬ，在第一方向上延伸；多个第一有源区（１１２），在位线的一侧，在第一方向上以规定的间隔配置，分别与位线和第一铁电电容器连接；多个第二有源区（１１４），在位线的另一侧，在...

本发明提供一种位线方向短的铁电存储装置。该铁电存储装置包括：第一字线ＷＬ，在第一方向上延伸；多个元件区域（１１２），在第一字线ＷＬ的两侧沿第一方向排列；以及多个第一铁电电容器（１７０），分别连接于多个元件区域（１１２），由第一字线ＷＬ驱...

本发明提供一种构成简单，并可以进行高速的读出动作的铁电存储装置。该铁电存储装置包括：多条位线；多个存储器单元，与各位线连接，用于存储规定的数据；多个读出放大器，与各位线对应设置，用于放大从存储器单元中读出的数据。其中，读出放大器包括：第...

移位寄存器，包括：多个移位电路块（ＳＢ），该电路块包含偶数的给定数量的移位单位电路（ＳＵ），并且互相串联；多个时钟脉冲供给判定电路（ＮＡＮＤ），该电路与多个移位电路块的每一个一一对应地设置，输入属于该对应的移位电路块的偶数级的移位单位电...

本发明公开了一种半导体存储装置及电子设备。其通过优化配线的布局，实现存储单元面积的小型化或者高集成化。而且实现了存储特性的提高。关于铁电存储单元的板线ＰＬ，在分割存储单元阵列而得到的列模块ＣＢ的存储单元ＭＣ上，通过位移部，将沿第一方向直...

一种半导体存储装置，包括：　　　　顺序存取的非易失性的存储阵列，具有多个规定的地址单位的数据保存行；　　　　写入数据保持模块，以所述规定的地址单位保持相当于所述规定的地址单位ｎ倍（ｎ为２以上的整数）的数据容量的写入数据，该写入数据为应写...

一种半导体存储装置，包括：　　　　顺序存取的非易失性的存储阵列，具有规定的地址单位的写入限制保存地址，该写入限制保存地址保存具有值增大的特性的数据；　　　　写入数据保持模块，以规定的地址单位保持应写入所述写入限制保存地址中的写入数据；　...

本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备，其可以提高铁电存储装置的读出容限，而且，可以提高铁电存储装置的读出特性。其中，该铁电存储装置包括：第一ｐ沟道型ＭＩＳＦＥＴ（Ｐ１－Ｌ），连接在第一节点（Ｖｍｎ－Ｌ）和第三节点（Ｖｃ－Ｌ）之间，其栅...

半导体装置（１０）在被请求的访问是对存储阵列（１００）的数据写入时，将地址计数器（１１０）的进位部（１１１）中的最大计数值设定为１２８位。另一方面，半导体存储装置（１０）在被请求的访问是对存储阵列（１００）的数据读出时，将地址计数器（１...

一种半导体存储装置，其特征在于，包括：　　　　从起始地址被顺序访问的存储阵列，具有用于存储可改写的数据的可改写区、以及与可改写区连接的用于存储只读数据的写入禁止区；　　　　访问请求接收部，接收对所述存储阵列中的期望地址的访问请求；　　　...

本发明提供一种投影机，该投影机能够有效地对投影机主体和图像再现装置进行冷却，并且其专有面积较小、能够容易谋求其小型化。投影机（１０），具备用来将图像光进行放大投影的投影机主体（１）和用来将与图像光相关的图像进行再现的图像再现装置（３０）...

一种介质处理设备，当堆放在介质储存单元内的介质的高度位于超过最大容量的高度时，该介质处理设备不执行介质运输处理，因而可靠地避免了诸如由介质运输机构同堆积介质发生碰撞而导致的介质运输机构损坏等问题。如果在介质处理设备（２００）中堆放在介质...

光磁记录载体，在透明基板（１１）上叠层沉积有第１电介质层（１２）、记录层（１３）、辅助记录层（１４）、第２电介质层（１５）和反射层（１６）。记录层由过渡金属－稀土金属非晶质合金构成，通常具有数百＊左右的厚度；辅助记录层也是由过渡金属－稀...