光磁记录载体及其制造方法和制造装置制造方法及图纸

光磁记录载体，在透明基板（１１）上叠层沉积有第１电介质层（１２）、记录层（１３）、辅助记录层（１４）、第２电介质层（１５）和反射层（１６）。记录层由过渡金属－稀土金属非晶质合金构成，通常具有数百＊左右的厚度；辅助记录层也是由过渡金属－稀土金属非晶质合金构成，其居里温度Ｔｃ２比记录层的居里温度Ｔｃ１高１０Ｋ以上，其层厚度极薄，在７０＊以下。在记录层的居里温度Ｔｃ１情况下，辅助记录层的矩形比是０. ７以上。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光磁记录载体，特别是涉及用磁场调制方法作为记录方法的光磁记录载体。 光磁记录载体的记录方法中，大体上有光调制法和磁场调制法两种，磁场调制法容易实现重写，适用于边沿记录，但是这种方法必须有磁头。为了把磁场高速转换，就必须把磁头的电感量作得很小，而转换大电流。另外，要使磁头特别接近记录载体的记录层，以便对记录层产生尽可能大的作用磁场，如日本公开专利JP63-217548中所披露的那样，使用悬浮型磁头是行之有效的。 但是，无论怎样，作用于记录层的磁场还是要尽量地小，而磁场调制法用的光磁记录载体可望能用低磁场进行记录。为此，人们想方设法来减小调制用的磁场，例如，“第11届日本应用磁学会讲演简集”第268页所述，记录层中添加Nd等第4种元素来提高其低磁场下的特性;同时，如JP62-128040号日本公开专利中所披露，交替结合地构成不同的磁性层，使离散磁场减小，从而改善对外磁场的应答性;或是如JP61-188758号专利中所述的那样，把垂直磁化膜和面内磁化膜叠层设置，使磁束有效地集中在垂直磁化膜中。还有一种方法是着眼于提高磁场灵敏度，如日本公开专利JP4-281239中所述，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光磁记录载体，具有居里温度为Ｔｃ１的记录层，其特征在于还具有叠层沉积在所述记录层上的辅助记录层，所述辅助记录层的居里温度Ｔｃ２满足Ｔｃ２＞Ｔｃ１，并且所述辅助记录层的膜厚在７０埃（＊）以下。

【技术特征摘要】
JP 1992-7-29 202514/92;JP 1992-11-20 312215/92;JP 1、一种光磁记录载体，具有居里温度为Tc1的记录层，其特征在于还具有叠层沉积在所述记录层上的辅助记录层，所述辅助记录层的居里温度Tc2满足Tc2＞Tc1，并且所述辅助记录层的膜厚在70埃()以下。2、一种光磁记录载体，具有居里温度为Tc1的记录层，其特征在于还具有叠层沉积在所述记录层上的辅助记录层，所述辅助记录层的居里温度Tc2满足Tc2＞Tc1，并且所述记录层是岛状结构或不连续结构。3、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于Tc2-Tc1＞10K。4、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于Tc2-Tc1＞30K。5、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述辅助记录层叠层沉积接于所述记录层光照侧的远侧的面上。6、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于，所述辅助记录层叠层沉积接于所述记录层光照侧的近侧的面上。7、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述记录层叠层沉积在所述辅助记录层两侧的面上。8、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述辅助记录层叠层沉积在所述记录层的两侧的面上。9、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的所述辅助记录层的矩形比为0.3以上。10、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的所述辅助记录层的矩形比为0.7以上。11、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的所述辅助记录层的矩形比为0.95以上。12、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述辅助记录层的材料是过渡金属-稀土金属非晶质合金。13、根据权利要求12的记录载体，其特征在于所述辅助记录层含有稀土金属的比率为15at%以上至50at%以下。14、根据权利要求12的记录载体，其特征在于所述辅助记录层含有稀土金属的比率为18at%以上至45at%以下。15、根据权利要求12的记录载体，其特征在于所述辅助记录层含有稀土金属的比率为23at%以上至45at%以下。16、根据权利要求12的记录载体，其特征在于所述辅助记录层的过渡金属至少含有Fe和Co;稀土金属至少含有Gd，Tb，Dy的任一种或两种以上。17、根据权利要求16的记录载体，其特征在于所述辅助记录层中Gd所占比率比所述记录层中的大，或/和，稀土金属中Tb所占的比率比所述记录层的大。18、根据权利要求16或17的记录载体，其特征在于所述的辅助记录层的稀土金属和过渡金属的总和中稀土金属所占的比率比所述记录层的大，或/和，过渡金属中Co占的比率比所述记录层的大。19、根据权利要求12的记录载体，其特征在于作为过渡金属至少含有Fe和Co;并且用为稀土金属至少含有Gd，Tb，Dy重稀土金属之任一种或2种以上;以及还含有Sm，Nd，Pr轻稀土金属任一种或2种以上。20、根据权利要求19的记录载体，其特征在于所述辅助记录层的稀土金属中轻稀土金属所占的比率比所述记录层的小。21、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述记录载体层的膜厚是80以上。22、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的辅助记录层的自发磁化Ms为400emu/cc以下。23、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的辅助记录层的自发磁化Ms为250emu/cc以下。24、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于处于Tc1的辅助记录层的自发磁化ms为80emu/cc以下。25、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述记录层的居里温度Tc1和补偿温度Tcomp1之差Tc1-Tcomp1为50K以上至500K以下。26、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于所述记录层的居里温度Tc1和补偿温度Tcomp1之差Tc1-Tcomp1为300K至200K之间。27、根据权利要求1或2的记录载体，其特征在于选择所述记录层和所述辅助记录层的磁特性使之在记录时形成的磁区形成带的高温区中所述的辅助记录层起支配作用，而所述的磁区形成带的低温区中所述记录层起支配作用。28、光磁记录载体的制造方法，由下述步骤组成形成居里温度为Tc1的记录层;叠层沉积在所述记录层上形成具有比Tc1高的居里温度Tc2的辅助记录层;其特征在于所述辅助记录层的形成步骤被调整得使所述辅助记录层的膜厚在大约70以下。29、光磁记录载体的制造方法，具有形成居里温度为Tc1的记录层的步骤和叠层沉积在所述记录层上形成具有高于Tc1的居里温度Tc2的辅助记录层的步骤;其特征在于调整所述辅助记录层的形成步骤使所述辅助记录层为岛状结构或不连续结构。30、根据权利要求28或29的制造方法，其特征在于所述辅助记录层的形成采用溅射方法，溅射气压为10毫乇以下。31、根据权利要求28或29的制造方法，其特征在于所述辅助记录层的形成采用溅射法，溅射气压为3.5毫乇以下。32、根据权利要求28或29的制造方法，其特征在于所述辅助记录层的形成采用溅射法...

【专利技术属性】
技术研发人员：川濑健夫，石田方哉，根桥聡，下川渡聡，御子柴俊明，保科彰治，高桑敦可，宫泽弘，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]