【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及磁光记录介质，更准确地说，涉及在此介质中使用的介电材料。现行的许多磁光(MO)介质的构造是四个层次(四层)的薄膜叠层，通过在一块透明基片上依次沉积各个层而形成。这些层次包括一个第一介电层，一个稀土过渡金属(RE-TM)磁光层，它呈现垂直磁性异向，一个第二介电层，以及一个金属反射器层。RE-TM层具有很高的活性，必须与周围环境分开而实现稳定。两相邻介电层的一个作用就是作为MO膜与周围环境之间的一种阻挡层。此外，介电层还必须显示出适当的光学性能和与相邻RE-TM磁光层的合格的低反应性。在现行介质中的稀土过渡金属磁光层典型的厚度是20nm至60nm。然而，业已表明采用多层MO层的介质结构可能有利于，例如多层记录操作或者标志边缘不稳定性减少(mark-edge jitter reduction)。前述多层MO方案的功能一般依赖于激光器相当大部分入射光能量与每个MO层的相互作用。然而，对于一种典型的铽-铁-钴(Tb-Fe-Co)MO四层结构来说，在一个30nm厚的FeTbCo层与相邻第二介电层之间的界面只出现少于5％的入射能量。因此，虽然实际厚度可以...
【技术保护点】
一种磁光记录介质（１２，１００），包括一个透明基片（１４）和在其上的磁光叠层，该叠层包括许多层小于１０ｎｍ厚的磁光膜（２０，３０，４０，５０，６０，和７０），其中相邻层是由一个基本上由ＹＯｘ组成的介电层（２５，３５，４５，５５，和６５）分隔的。
【技术特征摘要】
US 1994-9-27 08/313,3351.一种磁光记录介质(12，100)，包括一个透明基片(14)和在其上的磁光叠层，该叠层包括许多层小于10nm厚的磁光膜(20，30，40，50，60，和70)，其中相邻层是由一个基本上由YOx组成的介电层(25，35，45，55，和65)分隔的。2.根据权利要求1所述的介质，其中每个介电层至少为1nm厚。3.根据权利要求2所述的介质，其中磁光膜包括TbFeCo。4.根据权利要求2所述的介质，其中磁光膜层厚度小于约4nm。5.根据权利要求4所述的介质，其中磁光叠层包括至少6个磁光膜层。6.根据权利要求1所述的介质，其中YOx接近Y2O3。7.根据权利要求1所述的介质，其中在磁光叠层与基片之间和叠层的对端上进一步提供介电层(15和75)。8.根据权利要求7所...
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