【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及包括非易失存储器的微机等半导体装置及包括该半导体装置的电子机器。在内部装有非易失存储器的微机等半导体装置中，为了不使写入的程序被不正当的第三者复制，希望设有不能从外部读取程序的保密功能。作为实现这一功能的方法，如特开昭62-194565中所述，有利用保护位控制禁止读出非易失存储器的数据的设定的方法。在此情况下，可以考虑利用第二非易失存储器即EPROM存储禁止读出的设定的方法，以及利用EEPROM存储禁止读出的设定的方法。可是在利用EPROM的方法中，如果一旦将禁止读出的设定存入EPROM，则存在不能再利用该半导体装置的大问题。即在该方法中，如果不是将安装了半导体装置的封装的树脂剥掉、用紫外线等照射EPROM来变更EPROM的存储内容，那么就不能解除读出禁止的设定。因此，所谓解除读出禁止的设定意味着不能二次利用该半导体装置。另一方面，在利用EEPROM的方法中，存在着第三者容易解除读出禁止的设定的问题。为了解决这样的问题，就要想办法不能解除一旦进行了的读出禁止的设定，但其后果将导致不可能再利用半导体装置的结果。本专利技术就是鉴于以上这样的技术课题...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于包括： 可从半导体装置的外部电气性地消去.写入数据的第一非易失存储器； 禁止从外部读出已写入上述第一非易失存储器的数据，保护该数据的秘密的读出禁止装置； 以及在检测到上述第一非易失存储器的全部数据已被消去时，解除上述第一非易失存储器的数据读出禁止的装置。
【技术特征摘要】
JP 1998-2-6 41180/98;JP 1997-2-27 44395/971.一种半导体装置，其特征在于包括可从半导体装置的外部电气性地消去·写入数据的第一非易失存储器；禁止从外部读出已写入上述第一非易失存储器的数据，保护该数据的秘密的读出禁止装置；以及在检测到上述第一非易失存储器的全部数据已被消去时，解除上述第一非易失存储器的数据读出禁止的装置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于通过全消去工作将上述第一非易失存储器的数据消去，同时根据是否对上述第一非易失存储器进行了上述全消去工作，检测上述第一非易失存储器的全部数据是否已被消去。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于通过指定地址、以页单位及块单位两者中的任意一者消去上述第一非易失存储器的数据，同时读出上述第一非易失存储器的全部地址的数据，检测上述第一非易失存储器的全部数据是否已被消去。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于上述读出禁止装置包括能电气性地消去·写入数据、存储上述第一非易失存储器的数据读出禁止的设定的至少一个第二非易失存储器。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于上述读出禁止装置在上述第一非易失存储器的数据读出禁止的设定被存储在上述第二非易失存储器中的情况下，禁止上述第二非易失存储器的消去·写入，在检测到上述第一非易失存储器的全部数据已被消去的情况下，解除上述第二非易失存储器的消去·写入的禁止。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于当半导体装置的电源接通时，读出上述第二非易失存储器的存储内容，根据读出的存储内容，判断是否禁止上述第一非易失存储器的数据读出。7.根据权利要求4所...
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