本技术涉及一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，包括p型衬底，所述p型衬底的左上方设有p‑阱区，所述p‑阱区的上方设有p+区和第一n+区，所述p+区和所述第一n+区相邻设置，且第一n+区的右侧被所述p‑阱区包覆，所述p+区...

本发明公开了一种基于低栅极电荷的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；至少两个并列设置的器件单胞，器件单胞包括第一栅极区和第二栅极区，第一栅极区和第二栅极...

本实用新型涉及一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件，包括：p型衬底，所述p型衬底为掺杂有p

本实用新型涉及一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET器件，包括：衬底，所述衬底为掺杂有p

本发明公开了一种N型超结功率MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在所述半导体衬底上生长出的外延层；在所述外延层并列设置有元胞区和器件终端区，所述元胞区由交替相间的第一P柱区半导体和第一N柱区半...

本发明公开了一种基于低RDS的N沟道增强型MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底，以及在半导体衬底上生长出的外延层；金属层，金属层设置于外延层上；沟槽结构，设置于外延层中，沟槽结构包括至少两个器件单胞...

本发明公开了一种带有屏蔽栅结构的沟槽MOSFET器件及制造方法，属于半导体器件设计及制造领域，包括：半导体衬底；外延层设置于半导体衬底上，外延层在朝向半导体衬底的方向上依次设置有漂移区；金属层设置于外延层上；沟槽结构，沟槽结构设置于外延...

本发明涉及一种降低开关栅极总电荷的N沟道增强型MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掺杂有p

本发明涉及一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：在p型衬底上生长n型漂移区；在n型漂移区通过离子注入形成p

本发明涉及一种实现低导通电阻的N沟道增强型MOSFET器件的制备方法，包括以下步骤：在掺杂有p

本发明公开了一种用于汽车车载充电器控制电路，涉及电源控制技术领域，包括电源模块，用于供电；状态检测模块，用于检测储能模块的电量信息；智能控制模块，用于接收信息并控制模块工作；输入调节模块，用于通过半桥LLC谐振电路完成稳压处理；充电模式...

本发明公开了一种汽车空调系统智能控制电路，涉及空调控制技术领域，包括电源模块，用于供电；电源控制模块，用于电源切换；压力检测模块，用于压力检测；智能控制模块，用于接收信号并控制模块工作；待机控制模块，用于待机控制；通路选择模块，用于鼓风...

本实用新型公开了一种用于汽车电子元件的保护装置，具体涉及保护装置技术领域，包括箱体，所述箱体顶部设置有箱盖，所述箱盖顶部中心线处设置有把手，所述把手横截面形状设置为倒U形，所述箱盖两侧均设置有锁体，所述锁体底部设置有锁扣，所述锁扣一侧与...

本实用新型公开了一种汽车电子元器件检测装置，具体涉及检测装置技术领域，包括检测台，所述检测台底部均匀设置有多个第一支撑杆，所述第一支撑杆横截面形状设置为倒T形，所述检测台顶部均匀设置有多个第二支撑杆，多个所述第二支撑杆顶部共同设置有顶板...

本发明公开了一种电动汽车车窗控制电路，涉及汽车控制技术领域，包括电源控制模块，用于供电和对辅助电源进行充电；电源切换模块，用于电源切换控制；稳压模块，用于稳压控制；感应控制模块，用于感应车窗所受的压力；通信模块，用于数据通信；智能控制模...

本发明公开了一种汽车的驱动和制动控制电路，涉及汽车控制技术领域，包括电源模块，用于供电；面部识别模块，用于通过神经网络系统进行面部识别；智能控制模块，用于接收信息并控制模块工作；电机驱动模块，用于驱动电机工作；泄放调节模块，用于缓慢泄放...

本发明公开了一种汽车储能系统热失控多路控制电路，涉及储能保护控制技术领域，包括储能系统模块，用于储能和电压变换；储能模组检测模块，用于检测储能模组的温度和电压；故障识别模块，用于进行分级识别检测和信号放大滤波；快速自锁保护模块，用于与设...

本实用新型公开了一种抗高压具有防护结构的MOS管，涉及MOS管技术领域，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构。本实用新型所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管...

本实用新型公开了一种具有耐击穿结构的二极管，包括外壳，所述外壳的内壁固定连接有绝缘壳，所述外壳的两侧分别连接有阳极引线与阴极引线，所述阳极引线的一端固定连接有金属触丝，所述阴极引线的一端固定连接有N型锗片。本实用新型所述的一种具有耐击穿...

本实用新型公开了半导体技术领域的一种具有静电防护功能的MOS管，包括MOS管安装外壳和MOS管主体，所述MOS管安装外壳的外侧壁的底部的左侧固定装配有G端引脚，且所述MOS管安装外壳的外侧壁的底部的中间且位于G端引脚的右侧固定装配有D端...