【技术实现步骤摘要】
本技术涉及超结功率mosfet领域，具体指有一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件。
技术介绍
1、功率mosfet因其超快的开关速度和高工作频率而被广泛使用。但是，由于导通电阻随着导通电压的增加而迅速增加，因此传统功率mosfet的额定电压限制在500v左右。
2、参考图4，现有技术通过在漂移区横向扩散氧化物形成均匀结构的ldd区，并且ldd区p1～p5的掺杂浓度依次降低。这样的均匀结构，一来需要掺杂浓度不同的制备工艺繁杂且困难，二来ldd区只形成在漂移区的浅表面，形成的超结结构较浅，横向功率器件中容易形成的基底辅助耗尽效应，使得其导通电阻和耐压难以进一步优化。
3、针对上述的现有技术存在的问题设计一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件是本技术研究的目的。
技术实现思路
1、针对上述现有技术存在的问题，本技术在于提供一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，能够有效解决上述现有技术存在的至少一个问题。
2、本技术的技术
【技术保护点】
1.一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，其特征在于：若干所述p型圆柱依所述p-阱区向所述第二n+区的方向呈一字型排列。
3.根据权利要求2所述的一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，其特征在于：所述p型圆柱的直径依所述p-阱区向所述第二n+区的方向依次减小。
4.根据权利要求3所述的一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，其特征在于：相邻的所述p型圆柱之间的直径差为0.15～0.35μm。
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【技术特征摘要】
1.一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，其特征在于：若干所述p型圆柱依所述p-阱区向所述第二n+区的方向呈一字型排列。
3.根据权利要求2所述的一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，其特征在于：所述p型圆柱的直径依所述p-阱区向所述第二n+区的方向依次减小。
4.根据权利要求3所述的一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，其特征在于：相邻的所述p型圆柱之间的直径差为0.15～0.35μm。
5.根据权利要求4所述的一种高电压低导通电阻的n型超结功率mosfet器件，其特征在于：最靠近所述p-阱区的所述p型圆柱的直径为3.2～3.7μ...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂长招，王力，涂金福，
申请(专利权)人：福建康博电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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