温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本技术涉及一种高电压低导通电阻的N型超结功率MOSFET器件，包括p型衬底，所述p型衬底的左上方设有p‑阱区，所述p‑阱区的上方设有p+区和第一n+区，所述p+区和所述第一n+区相邻设置，且第一n+区的右侧被所述p‑阱区包覆，所述p+区和所...
该专利属于福建康博电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建康博电子技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。