一种抗高压具有防护结构的MOS管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗高压具有防护结构的MOS管，涉及MOS管技术领域，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构。本实用新型专利技术所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管，导热机构在使用时可通过导热胶层和导热片对主半导体的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体的散热效果，可提高主半导体的抗高压效果，防护机构在使用时可对G针脚、D针脚与S针脚的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚、D针脚与S针脚的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况，使用的效果相对于传统方式更好。好。好。

【技术实现步骤摘要】
一种抗高压具有防护结构的MOS管


[0001]本技术涉及MOS管
，具体涉及一种抗高压具有防护结构的MOS管。

技术介绍

[0002]MOS管的全称为金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管,具有三个电极,分别为:栅极G、源极S和漏极D,根据其半导体结构可以分为P
‑
MOS和N
‑
MOS。
[0003]在MOS管的使用过程中，通常会承载一定的电压，当电压过高时MOS管的温度会随着升高，现有的MOS管在使用时散热效果一般，且抗高压性一般，另外现有的MOS管在使用时三个针脚处容易发生弯折断裂，为此，我们提出一种抗高压具有防护结构的MOS管。

技术实现思路

[0004]本技术的主要目的在于提供一种抗高压具有防护结构的MOS管，可以有效解决
技术介绍
中的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采取的技术方案为：一种抗高压具有防护结构的MOS管，包括主半导体，所述主半导体的上端外表面设有固定片，所述固定片的中部设有固定孔，所述主半导体的后端外表面设有导热机构，所述主半导体的下端外表面设有G针脚、D针脚与S针脚，所述G针脚位于D针脚的一侧，所述D针脚位于S针脚的一侧，所述主半导体与G针脚、D针脚和S针脚之间均设有防护机构，所述防护机构包括外圈、缓冲柱、内圈与防腐层，所述导热机构包括导热胶层、导热片与保护层。
[0006]优选的，所述缓冲柱位于外圈的内壁，所述内圈位于缓冲柱的一端外表面，所述防腐层位于内圈的内壁。
[0007]优选的，所述外圈的内壁与缓冲柱的另一端外表面可拆卸连接，所述缓冲柱的数量为八组。
[0008]优选的，所述缓冲柱的一端外表面与内圈的外壁可拆卸连接，所述内圈的内壁与防腐层的外壁可拆卸连接，所述防腐层的材质为防腐胶，所述外圈和内圈的材质均为绝缘橡胶，所述缓冲柱的材质为高弹橡胶。
[0009]优选的，所述导热片位于导热胶层的一端外表面，所述保护层位于导热片的一端外表面。
[0010]优选的，所述导热胶层的一端外表面与导热片的另一端外表面可拆卸连接，所述导热片的一端外表面与保护层的一端外表面可拆卸连接。
[0011]优选的，所述导热片为铜材质，所述保护层为阻燃橡胶材质。
[0012]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：该一种抗高压具有防护结构的MOS管，导热机构在使用时可通过导热胶层和导热片对主半导体的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体的散热效果，可提高主半导体的抗高压效果，防护机构在使用时可对G针脚、D针脚与S针脚的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚、D针脚与S针脚的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况，使用的效果相对于传统方式更
好。
附图说明
[0013]图1为本技术一种抗高压具有防护结构的MOS管的整体结构示意图；
[0014]图2为本技术一种抗高压具有防护结构的MOS管防护机构8的结构图；
[0015]图3为本技术一种抗高压具有防护结构的MOS管导热机构4的结构图。
[0016]图中：1、主半导体；2、固定片；3、固定孔；4、导热机构；401、导热胶层；402、导热片；403、保护层；5、G针脚；6、D针脚；7、S针脚；8、防护机构；801、外圈；802、缓冲柱；803、内圈；804、防腐层。
具体实施方式
[0017]为使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本技术。
[0018]如图1
‑
3所示，一种抗高压具有防护结构的MOS管，包括主半导体1，主半导体1的上端外表面设有固定片2，固定片2的中部设有固定孔3，主半导体1的后端外表面设有导热机构4，主半导体1的下端外表面设有G针脚5、D针脚6与S针脚7，G针脚5位于D针脚6的一侧，D针脚6位于S针脚7的一侧，主半导体1与G针脚5、D针脚6和S针脚7之间均设有防护机构8，防护机构8包括外圈801、缓冲柱802、内圈803与防腐层804，导热机构4包括导热胶层401、导热片402与保护层403。
[0019]进一步的，缓冲柱802位于外圈801的内壁，内圈803位于缓冲柱802的一端外表面，防腐层804位于内圈803的内壁，外圈801的内壁与缓冲柱802的另一端外表面可拆卸连接，缓冲柱802的数量为八组，缓冲柱802的一端外表面与内圈803的外壁可拆卸连接，内圈803的内壁与防腐层804的外壁可拆卸连接，防腐层804的材质为防腐胶，外圈801和内圈803的材质均为绝缘橡胶，缓冲柱802的材质为高弹橡胶，防护机构8在使用时可对G针脚5、D针脚6与S针脚7的连接处起到稳定保护的效果，在使用时可避免G针脚5、D针脚6与S针脚7的连接处发生弯折，在使用时可避免发生断裂的情况。
[0020]进一步的，导热片402位于导热胶层401的一端外表面，保护层403位于导热片402的一端外表面，导热胶层401的一端外表面与导热片402的另一端外表面可拆卸连接，导热片402的一端外表面与保护层403的一端外表面可拆卸连接，导热片402为铜材质，保护层403为阻燃橡胶材质，导热机构4在使用时可通过导热胶层401和导热片402对主半导体1的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体1的散热效果，可提高主半导体1的抗高压效果。
[0021]需要说明的是，本技术为一种抗高压具有防护结构的MOS管，在使用时，可将内圈803分别套至在G针脚5、D针脚6与S针脚7的外部，在使用时，内圈803可通过缓冲柱802与外圈801形成缓冲防护效果，当G针脚5、D针脚6与S针脚7受力时，缓冲柱802可起到缓冲抗压的效果，在使用时可避免发生断裂的效果，另外防腐层804在使用时可对G针脚5、D针脚6与S针脚7起到防腐蚀的效果，在使用时导热片402通过导热胶层401贴合在主半导体1的后方，可对主半导体1的热量进行快速传导散热，在使用时可提高主半导体1的散热效果，可提高主半导体1的抗高压效果，较为实用。
[0022]以上显示和描述了本技术的基本原理、主要特征和本技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本技术的优选例，并不用来限制本技术，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗高压具有防护结构的MOS管，包括主半导体(1)，其特征在于：所述主半导体(1)的上端外表面设有固定片(2)，所述固定片(2)的中部设有固定孔(3)，所述主半导体(1)的后端外表面设有导热机构(4)，所述主半导体(1)的下端外表面设有G针脚(5)、D针脚(6)与S针脚(7)，所述G针脚(5)位于D针脚(6)的一侧，所述D针脚(6)位于S针脚(7)的一侧，所述主半导体(1)与G针脚(5)、D针脚(6)和S针脚(7)之间均设有防护机构(8)，所述防护机构(8)包括外圈(801)、缓冲柱(802)、内圈(803)与防腐层(804)，所述导热机构(4)包括导热胶层(401)、导热片(402)与保护层(403)。2.根据权利要求1所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管，其特征在于：所述缓冲柱(802)位于外圈(801)的内壁，所述内圈(803)位于缓冲柱(802)的一端外表面，所述防腐层(804)位于内圈(803)的内壁。3.根据权利要求1所述的一种抗高压具有防护结构的MOS管，其特征在于：所述外圈(801)的内壁与缓冲柱(80...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂长招，
申请(专利权)人：福建康博电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：