一种半导体功率器件及其制造方法和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体功率器件，所述半导体功率器件包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底的第一表面，具有第一导电类型；第二外延层，设置于所述第一外延层上，具有所述第一导电类型，其中，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度；栅极结构，设置于所述第二外延层上，所述栅极结构包括绝缘栅介质层和位于所述绝缘栅介质层上的栅极；阱区，设置于所述栅极结构两侧的所述第一外延层和所述第二外延层中，具有第二导电类型。根据本申请的半导体功率器件，能够降低绝缘栅介质层的电场强度，提高器件可靠性。提高器件可靠性。提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件及其制造方法和电子装置


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体功率器件及其制造方法和电子装置。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)是新一代宽禁带半导体材料，其10倍于硅的临界击穿电场，高的饱和漂移速率和高热导率等优异的材料特性，使得基于SiC材料的电力电子器件性能远远优于Si基材料，特别是在高压高功率上具有很广阔的应用前景。
[0003]现有常规的平面栅SiC金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,简称MOSFET)，其低浓度掺杂的外延层可以实现高的击穿电压，但会使得器件导通电阻增大。为了在一定耐压条件下有较低器件导通电阻，通过增大结型场效应晶体管(Junction Field
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Effect Transistor，简称JFET)区宽度或者提高JFET区的掺杂浓度可以有效降低JFET电阻，进而降低器件导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件包括：衬底；第一外延层，设置于所述衬底的第一表面，具有第一导电类型；第二外延层，设置于所述第一外延层上，具有所述第一导电类型，其中，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度；栅极结构，设置于所述第二外延层上，所述栅极结构包括绝缘栅介质层和位于所述绝缘栅介质层上的栅极；阱区，设置于所述栅极结构两侧的所述第一外延层和所述第二外延层中，具有第二导电类型。2.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一外延层为高掺杂浓度外延层，所述高掺杂浓度外延层的掺杂浓度大于或等于第一阈值浓度；所述第二外延层为低掺杂浓度外延层，所述低掺杂浓度外延层的掺杂浓度小于或等于第二阈值浓度。3.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度范围为10
16
～10
17
cm
‑3，所述第一外延层的厚度大于10μm；所述第二外延层的掺杂浓度范围为10
14
～10
15
cm
‑3，所述第二外延层的厚度小于0.5μm。4.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述阱区的厚度大于所述第二外延层的厚度。5.如权利要求1所述的半导体功率器件，其特征在于，所述半导体功率器件还包括：源极区，所述源极区位于所述栅极结构两侧的所述阱区靠近所述第二外延层的顶面的部分区域中，具有第一导电类型；接触区，所述接触区位于所述源极区外侧的所述阱区中，具有第二导电类型；绝缘介质隔离层，所述绝缘介质隔离层覆盖所述绝缘栅介质层和所述栅极，并且所述绝缘介质隔离层中具有源极接触孔，所述源极接触孔露出部分所述源极区的表面；源极金属层，所述源极金属层的至少一部分形成在所述绝缘介质隔离层上，且部分所述源极金属层通过所述源极接触孔与所述源极区接触；漏极金属层，覆盖所述衬底的第二表面，所述第二表面和所述第一表面相对设置。6.一种半导体功率器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底和设置于所述衬底的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨涛涛，钟树理，卢汉汉，邱凯兵，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：