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北方集成电路技术创新中心北京有限公司专利技术
北方集成电路技术创新中心北京有限公司共有113项专利
一种检测柱面曲率半径的装置及方法制造方法及图纸
本发明涉及光学测量技术领域,尤其是涉及一种检测柱面曲率半径的装置及方法。检测柱面曲率半径的装置包括测量头,所述测量头用于检测待测柱面镜的曲率半径;所述测量头包括光源、十字分划板、分光镜、准直透镜、中继透镜和CCD相机;所述中继透镜为中继...
一种放置架制造技术
本申请提供一种放置架,包括:架体,架体包括两个平行的竖杆以及横向连接两个竖杆的两个横杆;固定架,固定架包括固定圈、背架以及承载架,背架纵向连接于两个横杆上,固定圈和承载架分别设置在背架的顶端和底端,固定圈和承载架与两个竖杆构成的平面垂直...
一种测试结构制造技术
本申请提供一种测试结构,用于对待测通孔的接触电阻进行测试,包括:第一顶层金属连线和第二顶层金属连线,其中第一顶层金属连线和所述待测通孔连接;多层第一测试衬垫,顶层的第一测试衬垫和第一顶层金属连线连接;多层第二测试衬垫,顶层的第二测试衬垫...
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有叠层结构,包括一个或多个堆叠的沟道叠层,包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层,基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构,伪栅结构覆盖叠层结构的侧壁和顶部;沿垂直于伪栅结构侧壁方向,...
半导体结构的形成方法技术
一种半导体结构的形成方法,包括:形成侧墙结构后,在第一器件区中,在栅极结构一侧的基底内形成第一源漏区,以及在栅极结构另一侧的基底内形成第二源漏区,第一源漏区和第二源漏区中的其中一个作为源区,另外一个作为漏区,且漏区与源区的掺杂类型不同;...
半导体结构及其形成方法技术
本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域和第二区域,所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面都形成有栅极结构,每个栅极结构两侧的半导体衬底中都分别形成有源极和漏极;其中,所述第一区域的源...
半导体结构及其形成方法技术
半导体结构及其形成方法,其中,形成方法包括:分别在第一区域和第二区域形成横跨叠层结构的伪栅结构;在第二区域形成覆盖衬底和伪栅结构的第一覆盖层;在第一区域的叠层结构和伪栅结构两侧的衬底之上形成第一源漏掺杂层;在第一区域形成覆盖第一源漏掺杂...
半导体结构及其形成方法技术
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底上形成有叠层结构,包括一个或多个堆叠的沟道叠层,包括牺牲层和位于牺牲层上的沟道层,基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构;沿垂直于伪栅结构侧壁方向,去除部分宽度的牺牲层,形成由沟道层...
半导体结构及其形成方法技术
半导体结构及其形成方法,形成方法包括:在衬底上方、伪栅结构上方,及伪栅结构和所述叠层结构的一侧的侧壁上形成阻挡层;在伪栅结构两侧的叠层结构和伪栅结构的另一侧壁上形成源极层;去除阻挡层,形成覆盖源极层的层间介质层;在所述叠层结构中形成阻挡...
一种氧化物存储器的制备方法技术
本发明提供了一种氧化物存储器的制备方法,属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明在传统MOSFET器件的漏端上制备氧化物存储器,该氧化物存储器包括底电极层、金属氧化物层、介质层和顶电极层,所述底电极...
光电传感器及其形成方法、以及电子设备技术
一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备,光电传感器包括:像素基底,包括第一表面和第二表面,像素基底包括感光区和引线区,感光区包括像素单元,第二表面上形成有第一介质层,引线区的第一介质层中形成有互连结构;至少一层光调制层,位于像素基底的...
电平转换电路和电子装置制造方法及图纸
一种电平转换电路和电子装置
一种面向忆阻器阵列的存内计算模拟数字转换电路制造技术
本发明提供了一种面向忆阻器阵列的存内计算模拟数字转换电路,包括电流控制振荡器
用于三维集成的直接键合互连结构及制造方法技术
本发明提供一种用于三维集成的直接键合互连结构及制造方法
一种半导体结构的形成方法技术
本申请提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,在所述基底表面形成堆叠层,所述堆叠层包括依次交替堆叠的若干第一介质层和若干第二介质层;采用自对准工艺在所述堆叠层中形成暴露所述堆叠层的起始层的开口,所述开口的侧壁呈阶梯状;刻蚀所述开口...
一种半导体产品的信息传递方法及系统技术方案
本申请提供一种半导体产品的信息传递方法及系统,所述方法包括:在起始地点执行:获取待转运半导体产品的生产信息,将所述半导体产品的生产信息加密并转码为信息码,以及将所述信息码以微纳结构的形式转印至携码硅片上;在目标地点执行:解析所述微纳结构...
一种碳纳米管纳米流体工质的制备方法技术
本申请提供了一种碳纳米管纳米流体工质的制备方法,该方法包括:提供碳纳米管悬浮液;在碳纳米管悬浮液中的碳纳米管表面原位生长高分子羧酸,得到稳定碳纳米管流体工质;根据预设需求粘度改变稳定碳纳米管流体工质的酸碱值,以得到最终碳纳米管流体工质。...
半导体结构及其形成方法技术
本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底中形成有交替分布的阱区以及隔离结构,所述隔离结构在所述半导体衬底中沿X方向延伸,所述半导体衬底表面还形成有沿Y方向延伸的栅极结构,所述X方向和所述Y方向垂直...
一种面向多值忆阻器阵列的写-校验电路及方法技术
本发明提供了一种面向多值忆阻器阵列的写
一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法技术
本申请提供一种多孔碳纳米管复合膜及其制备方法,将多孔碳纳米管分散在表面活性剂溶液中,形成多孔碳纳米管悬浮液;使用网状结构的金属材料对多孔碳纳米管悬浮液进行过滤,得到多孔碳纳米管膜,在多孔碳纳米管膜中的多孔碳纳米管表面形成二氧化硅膜,得到...
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